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公开(公告)号：CN114481330B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202210121520.2
申请日：2022-02-09
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种声表面波滤波器用压电基片的还原方法、产品及用途，所述的还原方法包括以下步骤：(Ⅰ)碳酸锂与粘结剂混合得到液态浆料，并流涂于基片的表面；(Ⅱ)将步骤(Ⅰ)中涂覆有液态浆料的基片进行低温烘干，随后将烘干后的基片放入陶瓷容器中；(Ⅲ)将步骤(Ⅱ)中装有基片的陶瓷容器进行热处理，随后降温，完成还原处理。本发明减少了使用的还原材料的种类，操作简单，还原材料更均匀更密切的附着在基片表面，从而保证处理后的颜色一致性，达到所需要的还原效果。
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公开(公告)号：CN115314018A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210979510.2
申请日：2022-08-16
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种声表面波滤波器及其制备方法，其中声表面波滤波器包括：复合晶圆基底；复合晶圆基底包括单晶硅片以及依次层叠在单晶硅片一侧的类金刚石层和压电层；叉指换能结构，位于压电层远离单晶硅片的一侧；叉指换能结构包括相对设置的两个汇流条，以及并排设置在两个汇流条之间的多个电极指；每个电极指交替的连接到汇流条中的一个汇流条；多个负载块，负载块与电极指一一对应设置；每一负载块对应位于一电极指的末端；与同一汇流条连接的多个电极指末端的负载块，到对侧汇流条的距离相等。降低了声表面波滤波器的制造成本的同时，提高了声表面波滤波器的频段。
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公开(公告)号：CN114481330A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210121520.2
申请日：2022-02-09
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种声表面波滤波器用压电基片的还原方法、产品及用途，所述的还原方法包括以下步骤：(Ⅰ)碳酸锂与粘结剂混合得到液态浆料，并流涂于基片的表面；(Ⅱ)将步骤(Ⅰ)中涂覆有液态浆料的基片进行低温烘干，随后将烘干后的基片放入陶瓷容器中；(Ⅲ)将步骤(Ⅱ)中装有基片的陶瓷容器进行热处理，随后降温，完成还原处理。本发明减少了使用的还原材料的种类，操作简单，还原材料更均匀更密切的附着在基片表面，从而保证处理后的颜色一致性，达到所需要的还原效果。
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公开(公告)号：CN110850688B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201911192741.3
申请日：2019-11-28
Applicant: 清华大学 , 天通瑞宏科技有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种铌酸锂薄膜表面制作光学微纳图形的方法，属于微纳加工技术领域，包括：制作电子束曝光所需版图；对铌酸锂衬底进行清洗、烘干；在铌酸锂衬底上溅射金属导电层；在铌酸锂衬底上旋涂电子束胶；将铌酸锂衬底进行第一次电子束曝光制作标记；显影和定影；在铌酸锂衬底上磁控溅射金属制作金属标记；去胶剥离金属掩蔽的图形，制成带有金属突起标记的铌酸锂片；在铌酸锂片上旋涂电子束胶；将铌酸锂片进行第二次电子束曝光制作图形；显影和定影；进行图形转移，形成微纳结构。通过本发明所述方法，可在不导电的铌酸锂材料上制作侧壁陡直的图形，且可制作尺寸900nm以下的微纳图形，所制作的光波导折射率对比度大，可减小光器件尺寸，提高光器件性能。
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公开(公告)号：CN119401976A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202510000612.9
申请日：2025-01-02
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
Inventor： 沃基·特梅斯根·贝利 , 张玲琴 , 毕秀文 , 沈瞿欢 , 鲍景富
Abstract: 本发明属于声表面波技术领域，本发明提供了一种TC‑SAW谐振器及含有其的滤波器，所述TC‑SAW谐振器包括依次层叠设置的压电基板、含有叉指换能器的功能层及温度补偿层；还含有设置在叉指换能器上方的两对双金属条，每对所述双金属条包括母线边缘金属条以及有源区金属条。在向所述功能层的正投影中，所述母线边缘金属条的一侧边缘与对应的母线的一侧边缘相贴合，且设置在叉指换能器的间隙区；所述有源区金属条具有与叉指换能器的有源区相重叠的部分。通过设置双金属条这种新的结构，可以实现对间隙区的声速调节，使得波导能力得到改善，并有效抑制杂散模式，防止横向能量泄露，从而提高谐振器的品质因数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115241043A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210889363.X
申请日：2022-07-27
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种废旧晶圆的再生方法，所述再生方法包括以下步骤：(1)挑选可再生不良晶圆，使用混合酸对所述不良晶圆进行腐蚀；(2)对步骤(1)腐蚀后的晶圆进行碱洗和水洗；(3)对步骤(2)水洗后的晶圆进行抛光处理，经最终清洗后得到再生晶圆；其中，所述晶圆的材料包括钽酸锂和/或铌酸锂，本发明采用先酸腐蚀、碱洗、抛光后再药液清洗的方法对废旧晶圆进行再生可以去除芯片上的金属电路和一些光刻胶的残胶，同时避免晶圆表面的酸和残胶的残留，回收再生的晶圆可以实现直接应用，大大节约了生产成本。
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公开(公告)号：CN119382659A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202510000613.3
申请日：2025-01-02
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
Inventor： 沃基·特梅斯根·贝利 , 张玲琴 , 毕秀文 , 沈瞿欢 , 鲍景富
Abstract: 本发明属于声表面波技术领域，本发明提供了一种声波谐振器及滤波器，所述声波谐振器包括依次层叠设置的压电基板、功能层及温度补偿层；所述功能层包括叉指换能器以及反射器；所述声波谐振器还包括椭圆金属环，所述椭圆金属环设置于所述叉指换能器的上方，且与所述叉指换能器的表面所在的平面具有第一间隔。本发明通过在TC‑SAW的叉指换能器的上方设置几何特征和尺寸特征可以调整的椭圆金属环，从而在叉指换能器中的间隙区创建不同的声速区，进而有效抑制杂散模式、防止横向能量泄露，提高波导能力及谐振器的品质因数。
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公开(公告)号：CN118944630A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411419517.4
申请日：2024-10-12
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种声表面波谐振器，该声表面波谐振器包括：复合晶圆；复合晶圆包括叠层设置的支撑衬底以及压电层；叉指换能器，位于复合晶圆的一侧；叉指换能器包括多个叉指电极，多个叉指电极包括多个第一电极和多个第二电极，第一电极与第二电极沿第一方向依次交替设置且均沿第二方向延伸，沿第二方向，第一电极的延伸长度小于第二电极的延伸长度；其中，支撑衬底的厚度H1满足：150μm≤H1≤2000μm；压电层的厚度H2满足：300nm≤H2≤1500nm。采用上述技术手段，复合晶圆包括叠层设置的支撑衬底以及压电层，使声表面波谐振器具有较好的热沉效应，可加快散热，提高功率耐受性，进而提高谐振器的性能。
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公开(公告)号：CN117787206B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311855802.6
申请日：2023-12-28
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
IPC: G06F30/398 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种电光晶体器件幅频特性的计算方法、装置、设备和介质，通过建立电场‑应力‑位移‑应变的多物理场耦合模型；接着根据所述多物理场耦合模型计算置于电场环境中的电光晶体的电场量和应变量；接着根据所述电场量和所述应变量，获取所述电光晶体的折射率；接着根据所述折射率计算所述电光晶体的幅频响应函数；根据所述幅频响应函数计算所述电光晶体在任意频率下的频率响应。进而，该方案通过在计算折射率之前，构建了各个物理量之间的耦合关系，解决了由于与折射率相关的电场量和应变量的不精准，导致的最终的幅频特性计算的不精准的问题。
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公开(公告)号：CN117787206A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311855802.6
申请日：2023-12-28
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
IPC: G06F30/398 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种电光晶体器件幅频特性的计算方法、装置、设备和介质，通过建立电场‑应力‑位移‑应变的多物理场耦合模型；接着根据所述多物理场耦合模型计算置于电场环境中的电光晶体的电场量和应变量；接着根据所述电场量和所述应变量，获取所述电光晶体的折射率；接着根据所述折射率计算所述电光晶体的幅频响应函数；根据所述幅频响应函数计算所述电光晶体在任意频率下的频率响应。进而，该方案通过在计算折射率之前，构建了各个物理量之间的耦合关系，解决了由于与折射率相关的电场量和应变量的不精准，导致的最终的幅频特性计算的不精准的问题。
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