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公开(公告)号：CN119382650A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411976849.2
申请日：2024-12-31
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种滤波器的频率修调方法、装置、设备及介质，该滤波器的频率修调方法包括：获取目标晶圆内多个目标滤波器的目标位置信息；多个所述目标滤波器均包括目标调频层，且各所述目标滤波器的目标调频层的厚度均相等；根据各所述目标滤波器的至少两个预设频率确定各所述目标滤波器对应的目标调频层的刻蚀厚度；根据所述目标位置信息和所述刻蚀厚度确定各所述目标滤波器对应的刻蚀时间；根据所述目标位置信息和所述刻蚀时间采用离子束刻蚀各所述目标滤波器对应的目标调频层。采用上述技术手段，能够保证目标晶圆内多个目标滤波器的频率值相同，进而能够提高目标晶圆的良率以及生产效率。
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公开(公告)号：CN117155332B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311186055.1
申请日：2023-09-13
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
Inventor： 沃基·特梅斯根·贝利 , 毕秀文 , 张玲琴 , 蓝伟亮 , 鲍景富
Abstract: 本发明公开了一种横向激励体声波谐振器及滤波器，该横向激励体声波谐振器包括：有效孔径区，有效孔径区包括多个叉指电极；叉指电极沿第一方向排列且均沿第二方向延伸；第一方向与第二方向相交；汇流区，汇流区包括沿第二方向分别位于有效孔径区两侧的汇流条，叉指电极与一侧的汇流条电连接，且与另一侧的汇流条之间存在间隙；负载区，负载区包括多个负载块，沿第一方向，负载块位于叉指电极之间，且沿第二方向，负载块位于间隙内。采用上述技术手段，通过设置负载区，且负载区包括多个负载块，如此剪切声波在第二方向传输时，存在声速差，进而能够抑制谐振器的杂散模式以及减少谐振器的侧声能量泄漏，提高谐振器的品质因数。
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公开(公告)号：CN118041276A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410173626.6
申请日：2024-02-07
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
Abstract: 本发明属于封装技术领域，尤其涉及一种封装结构及封装方法。该封装方法通过在芯片表面设置牺牲层，使牺牲层仅覆盖于叉指换能器的表面，并在芯片表面涂覆光敏材料形成第一保护层；将掩膜板置于芯片的上方，对第一保护层光刻，使第一保护层上形成通孔；对第一保护层硬化处理并使刻蚀气体穿过通孔将牺牲层刻蚀，形成空腔结构；在第一保护层表面涂覆光敏材料，形成第二保护层并对第二保护层硬化处理。该封装方法通过刻蚀气体去除牺牲层，形成与芯片大小适配的空腔结构，减小了封装结构的体积，优化了声表面滤波器芯片的封装。
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公开(公告)号：CN119382659A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202510000613.3
申请日：2025-01-02
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
Inventor： 沃基·特梅斯根·贝利 , 张玲琴 , 毕秀文 , 沈瞿欢 , 鲍景富
Abstract: 本发明属于声表面波技术领域，本发明提供了一种声波谐振器及滤波器，所述声波谐振器包括依次层叠设置的压电基板、功能层及温度补偿层；所述功能层包括叉指换能器以及反射器；所述声波谐振器还包括椭圆金属环，所述椭圆金属环设置于所述叉指换能器的上方，且与所述叉指换能器的表面所在的平面具有第一间隔。本发明通过在TC‑SAW的叉指换能器的上方设置几何特征和尺寸特征可以调整的椭圆金属环，从而在叉指换能器中的间隙区创建不同的声速区，进而有效抑制杂散模式、防止横向能量泄露，提高波导能力及谐振器的品质因数。
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公开(公告)号：CN117038614A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311069912.X
申请日：2023-08-23
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/492 , H01L23/50 , H01L23/528 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种封装结构及其制备方法。封装结构包括：封装基板，封装基板包括位于封装基板内部的导电层，导电层包括至少一个接地导电部；芯片，固定于封装基板的第一表面，芯片包括至少一个接地端，接地端与接地导电部通过第一通孔一一对应电连接；第一绝缘层，覆盖芯片和封装基板的至少部分第一表面；外层金属层，包覆第一绝缘层以及封装基板的至少部分侧面；其中，接地导电部延伸至封装基板的侧面并与外层金属层电连接。本申请中，接地导电部在导电层中占用的面积减小，节约了封装基板内部的空间；与此同时，外层金属层的存在可保证封装结构具有较好的电磁屏蔽效果，提升器件稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119401976A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202510000612.9
申请日：2025-01-02
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
Inventor： 沃基·特梅斯根·贝利 , 张玲琴 , 毕秀文 , 沈瞿欢 , 鲍景富
Abstract: 本发明属于声表面波技术领域，本发明提供了一种TC‑SAW谐振器及含有其的滤波器，所述TC‑SAW谐振器包括依次层叠设置的压电基板、含有叉指换能器的功能层及温度补偿层；还含有设置在叉指换能器上方的两对双金属条，每对所述双金属条包括母线边缘金属条以及有源区金属条。在向所述功能层的正投影中，所述母线边缘金属条的一侧边缘与对应的母线的一侧边缘相贴合，且设置在叉指换能器的间隙区；所述有源区金属条具有与叉指换能器的有源区相重叠的部分。通过设置双金属条这种新的结构，可以实现对间隙区的声速调节，使得波导能力得到改善，并有效抑制杂散模式，防止横向能量泄露，从而提高谐振器的品质因数。
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公开(公告)号：CN117060881A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311063417.8
申请日：2023-08-22
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种声表面波滤波器及滤波元件，该声表面波滤波器包括：衬底；多个叉指电极，位于衬底的一侧，多个叉指电极包括多个第一电极和多个第二电极，第一电极与第二电极沿第一方向依次交替设置且均沿第二方向延伸，沿第二方向，第一电极的延伸长度小于第二电极的延伸长度；第一方向与第二方向相交；至少一个第一负载结构，位于第一电极远离衬底的一侧，且第一负载结构在衬底上的正投影与至少一个第一电极在衬底上的正投影交叠。采用上述技术方案，通过设置第一负载结构，能够减小声表面波在第一负载结构设置区域的传播速度，进而产生声速差，能够抑制横向模，提高声表面波滤波器的Q值。
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公开(公告)号：CN117938109B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202410104136.0
申请日：2024-01-24
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
Inventor： 沃基·特梅斯根·贝利 , 毕秀文 , 张玲琴 , 蓝伟亮 , 鲍景富
Abstract: 本发明公开了一种横向激励体声波谐振器及其制备方法，该横向激励体声波谐振器包括：基底；位于基底一侧的多个叉指电极；多个叉指电极沿第一方向排列且均沿第二方向延伸；第一方向与第二方向相交且均与基底所在平面平行；沿第一方向位于叉指电极两侧的声阻抗结构，声阻抗结构与叉指电极接触，且声阻抗结构的声阻抗与叉指电极的声阻抗存在差异。采用上述技术手段，沿第一方向通过在叉指电极的两侧设置声阻抗结构，能够重塑电场线，进而抑制主模式的反谐振频率附近的水平谐波，提高谐振器的工作性能。
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公开(公告)号：CN117938109A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410104136.0
申请日：2024-01-24
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
Inventor： 沃基·特梅斯根·贝利 , 毕秀文 , 张玲琴 , 蓝伟亮 , 鲍景富
Abstract: 本发明公开了一种横向激励体声波谐振器及其制备方法，该横向激励体声波谐振器包括：基底；位于基底一侧的多个叉指电极；多个叉指电极沿第一方向排列且均沿第二方向延伸；第一方向与第二方向相交且均与基底所在平面平行；沿第一方向位于叉指电极两侧的声阻抗结构，声阻抗结构与叉指电极接触，且声阻抗结构的声阻抗与叉指电极的声阻抗存在差异。采用上述技术手段，沿第一方向通过在叉指电极的两侧设置声阻抗结构，能够重塑电场线，进而抑制主模式的反谐振频率附近的水平谐波，提高谐振器的工作性能。
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公开(公告)号：CN117727739A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311770376.6
申请日：2023-12-20
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , H01L21/56 , H01L23/31
Abstract: 本发明公开了一种半导体结构及其制备方法。其中，该半导体结构包括：衬底和堆叠结构；在衬底一侧包括第一区域和第二区域；堆叠结构设置在第一区域；半导体结构还包括图形开口，图形开口设置在第二区域且部分贯穿衬底；图形开口用于作为半导体结构是否存在钝化层的判断依据。本发明的技术方案，通过在半导体结构的第二区域上刻蚀图形开口，刻蚀一定深度的衬底，使得设置在衬底表面的钝化层和刻蚀区域存在一定对比度差异，能够直观观测到图形开口，根据两者之间的对比度判断是否存在钝化层结构，有效检测在制程中因设备异常或人为失误等原因造成的钝化层漏做而未及时发现的情况，提升了半导体结构的稳定性和可靠性，降低失效风险。
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