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公开(公告)号：CN117460388B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202311786539.X
申请日：2023-12-25
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
IPC: H10N30/086 , H10N30/072 , H10N30/00
Abstract: 本发明提供一种复合衬底及其制备方法，所述制备方法包括：将第一晶圆和第二晶圆进行第一键合，对所述第二晶圆进行第一减薄处理得到复合晶圆；所述复合晶圆的第二晶圆一侧与压电晶圆进行第二键合，对所述压电晶圆进行第二减薄处理得到所述复合衬底。所述复合衬底的制备方法和复合衬底可最多实现三层单晶层，利用对每层材料的各向异性调控，可实现更丰富更精准的性能调控，从而解决现有复合衬底中无法解决的问题，实现器件性能的进一步提升。
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公开(公告)号：CN118353414A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410773426.4
申请日：2024-06-17
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种声表面波谐振器及声表面波滤波器，该声表面波谐振器包括压电性衬底以及设置于压电性衬底的一侧表面上的叉指换能器；叉指换能器包括在第一方向上排列的多个电极区域，电极区域中包括交替排列的叉指电极和间隙；其中，第一方向平行于声表面波的传播方向；同一电极区域中的叉指电极的第一距离相同，至少两个电极区域中的叉指电极的第一距离不相同；和/或，同一电极区域中的叉指电极的第一占空比相同，至少两个电极区域中的叉指电极的第一占空比不相同。该声表面波谐振器的叉指换能器存在不同的电极区域设置，声表面波的入射波与反射波相位发生偏移，使得在谐振频率的低频侧频域内不能发生强耦合，实现纵波寄生响应的抑制。
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公开(公告)号：CN114481330B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202210121520.2
申请日：2022-02-09
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种声表面波滤波器用压电基片的还原方法、产品及用途，所述的还原方法包括以下步骤：(Ⅰ)碳酸锂与粘结剂混合得到液态浆料，并流涂于基片的表面；(Ⅱ)将步骤(Ⅰ)中涂覆有液态浆料的基片进行低温烘干，随后将烘干后的基片放入陶瓷容器中；(Ⅲ)将步骤(Ⅱ)中装有基片的陶瓷容器进行热处理，随后降温，完成还原处理。本发明减少了使用的还原材料的种类，操作简单，还原材料更均匀更密切的附着在基片表面，从而保证处理后的颜色一致性，达到所需要的还原效果。
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公开(公告)号：CN115314018A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210979510.2
申请日：2022-08-16
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种声表面波滤波器及其制备方法，其中声表面波滤波器包括：复合晶圆基底；复合晶圆基底包括单晶硅片以及依次层叠在单晶硅片一侧的类金刚石层和压电层；叉指换能结构，位于压电层远离单晶硅片的一侧；叉指换能结构包括相对设置的两个汇流条，以及并排设置在两个汇流条之间的多个电极指；每个电极指交替的连接到汇流条中的一个汇流条；多个负载块，负载块与电极指一一对应设置；每一负载块对应位于一电极指的末端；与同一汇流条连接的多个电极指末端的负载块，到对侧汇流条的距离相等。降低了声表面波滤波器的制造成本的同时，提高了声表面波滤波器的频段。
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公开(公告)号：CN118353414B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410773426.4
申请日：2024-06-17
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种声表面波谐振器及声表面波滤波器，该声表面波谐振器包括压电性衬底以及设置于压电性衬底的一侧表面上的叉指换能器；叉指换能器包括在第一方向上排列的多个电极区域，电极区域中包括交替排列的叉指电极和间隙；其中，第一方向平行于声表面波的传播方向；同一电极区域中的叉指电极的第一距离相同，至少两个电极区域中的叉指电极的第一距离不相同；和/或，同一电极区域中的叉指电极的第一占空比相同，至少两个电极区域中的叉指电极的第一占空比不相同。该声表面波谐振器的叉指换能器存在不同的电极区域设置，声表面波的入射波与反射波相位发生偏移，使得在谐振频率的低频侧频域内不能发生强耦合，实现纵波寄生响应的抑制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117013984B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311052879.X
申请日：2023-08-21
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种键合晶圆及薄膜声表面波器件，键合晶圆包括衬底；压电层，位于衬底的一侧；其中，衬底的材质至少需要满足如下要求：衬底的剪切波声速大于薄膜声表面波器件的基态水平剪切波声速，且小于薄膜声表面波器件的任意n阶水平剪切波声速，n≥1。本发明提供的技术方案，以使得声表面波器件工作时，主模式波得到增强，而高阶模式杂波向下扩散，从而使得高阶模式杂波得到抑制，能够更全面地提升器件的性能。
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公开(公告)号：CN115208348A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210876373.X
申请日：2022-07-25
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种声表面波谐振器及其制作方法和滤波器。该声表面波谐振器包括：衬底；位于所述衬底上的高声速层，所述高声速层的材料包括砷化硼；位于所述高声速层上的远离所述衬底一侧的压电层。本发明的技术方案可以增强滤波器的功率承受能力，提高滤波器的频率和性能。
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公开(公告)号：CN112398456A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011305105.X
申请日：2020-11-20
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
IPC: H03H3/007 , H03H3/08 , H03H9/02 , H03H9/145 , H03H9/25 , H03H9/46 , H03H9/48 , H03H9/64 , H03H9/72
Abstract: 本发明公开一种高性能声表面波器件及其制备方法。包括：衬底、低声阻抗层、压电层和金属电极；低声阻抗层设置在衬底上，压电层设置在低声阻抗层上，金属电极设置在压电层上。制备：S1、获取衬底，在衬底上依次制备低声阻抗层和压电层，用有机溶剂和去离子水对压电层清洗；S2、在压电层上光刻出周期性排列的光刻胶图形；S3、采用电子束蒸发技术，在光刻胶图形上制备出周期性排列的金属叉指电极；S4、用剥离工艺，在金属薄膜上制备金属电极。本发明的高性能声表面波器件可以在保证较大的机电耦合系数的同时，提高器件的Q值，和传统的声表面波器件相比其在宽带宽、高性能的滤波器及双工器应用中有很大的优势；本发明声表面波器件的制备方法简单。
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公开(公告)号：CN119182381B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411639240.6
申请日：2024-11-18
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
Abstract: 本发明涉及声波通信技术领域，公开一种声表面波滤波器，包括压电衬底、第一金属连接层、第一钝化层和第二金属连接层，在压电衬底的作用端设有若干谐振器，串联谐振器和并联谐振器通过第一金属连接层依次连接。第一钝化层包裹谐振器和第一金属连接层，隔绝水分，提高性能可靠性。第一钝化层刻蚀出连接窗口，在连接窗口设置植球与第一金属连接层接触，植球的另一端与外围电路（比如陶瓷或树脂载板）接触实现输入和输出信号；第二金属连接层通过第一钝化层上的开窗窗口与第一金属连接层连接，可提高谐振器连接自由度，减小声表面波滤波器尺寸；增加散热效率，提高声表面波滤波器可承受的输入功率。
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公开(公告)号：CN119182381A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411639240.6
申请日：2024-11-18
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
Abstract: 本发明涉及声波通信技术领域，公开一种声表面波滤波器，包括压电衬底、第一金属连接层、第一钝化层和第二金属连接层，在压电衬底的作用端设有若干谐振器，串联谐振器和并联谐振器通过第一金属连接层依次连接。第一钝化层包裹谐振器和第一金属连接层，隔绝水分，提高性能可靠性。第一钝化层刻蚀出连接窗口，在连接窗口设置植球与第一金属连接层接触，植球的另一端与外围电路（比如陶瓷或树脂载板）接触实现输入和输出信号；第二金属连接层通过第一钝化层上的开窗窗口与第一金属连接层连接，可提高谐振器连接自由度，减小声表面波滤波器尺寸；增加散热效率，提高声表面波滤波器可承受的输入功率。
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