公开(公告)号：CN103996760B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201410263672.1

申请日：2014-06-12

申请人： 天津大学

发明人： 毛陆虹 ,  谢荣 ,  张世林 ,  郭维廉 ,  谢生 ,  武雷 ,  崔猛

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L21/266

摘要： 本发明涉及硅基发光电子器件技术领域，为提供一种基于标准CMOS工艺的硅基发光器件，它既可以反向偏置发光，又可以正向偏置注入发光，而且正向注入发光功率密度大、效率高。为此，本发明采取的技术方案是，与标准CMOS技术兼容的硅基正向注入器件，轻掺杂的p型硅片衬底上设置有一对p+有源区和一对n+有源区，每对有源区占一轴线，两对有源区成十字分布；p型硅片衬底及有源区上部设置有二氧化硅电极氧化层；有源区上方区域的二氧化硅电极氧化层设置有通孔，通孔用于有源区通过TiSi2，形成和金属之间的欧姆接触引出后形成管脚。本发明主要应用于硅基发光电子器件设计制造。

公开(公告)号：CN103365331B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201310305983.5

申请日：2013-07-19

申请人： 天津大学

发明人： 谢生 ,  付友 ,  毛陆虹 ,  张世林

IPC分类号： G05F1/567

摘要： 本发明公开了一种二阶补偿基准电压产生电路，本发明基于SiGe BiCMOS工艺，通过对传统帯隙基准PTAT电流进行镜像复制，利用SiGe BiCMOS工艺中的NPN晶体管组成的PTAT电流平方生成电路产生与温度平方成比例的电流来补偿VBE的高阶项，进而得到高精度的基准电压源。本发明的核心思想是通过PTAT电流和PTAT平方电流分别产生与温度一次项和二次项相关的电压项，补偿VBE中对应的非线性项，进而得到高精度的基准电压。因此，PTAT电流平方产生电路为本发明的核心电路模块。本发明降低了基准电路的复杂度，提高了基准电压的稳定性，满足了高性能模/数转换器、数/模转换器以及其它高性能集成电路的应用。

公开(公告)号：CN102412884A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110366871.1

申请日：2011-11-18

申请人： 天津大学

发明人： 毛陆虹 ,  吴龙 ,  胡焙剑 ,  谢生 ,  张世林

IPC分类号： H04B7/06

摘要： 本发明公开了一种在4G移动终端采用MIMO实现波束赋形的装置，其涉及无线移动通信技术领域，特别是涉及一种在4G移动终端采用MIMO实现波束赋形的装置。所述在4G移动终端采用MIMO实现波束赋形的装置由馈电系统、功分器、移相器、T/R组件和天线连接组成，馈电系统与功分器相连接，移相器与功分器相连接，功分器与T/R组件相连接，T/R组件与天线相连接。本发明使用MIM0技术能够充分利用空间资源，在不增加系统带宽和天线总发射功率的情况下，可有效对抗无线信道衰落的影响，大大提高系统的频谱资源利用率和信道容量，采用了创新的设计在提高系统性能的同时，降低了电路的复杂度，减少了系统的成本。

公开(公告)号：CN106298978A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610877332.7

申请日：2016-10-08

申请人： 天津大学

发明人： 毛陆虹 ,  赵帆 ,  郭维廉 ,  谢生 ,  张世林

IPC分类号： H01L29/88 ,  H01L21/329 ,  H01L23/64 ,  H01Q13/10 ,  H01Q1/22

CPC分类号： H01L29/882 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66151 ,  H01Q1/22 ,  H01Q13/10

摘要： 一种失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源及制作工艺，包括设置在主衬底上的左电极和右电极，右电极的左侧边嵌入在形成于左电极右侧下部的凹边内，且在左电极和右电极两端的上下相对的端面之间对称的各设置有二氧化硅层，从而在主衬底、二氧化硅层、左电极和右电极之间形成有相连通的空气腔，左电极的右侧边中部形成有向右电极凸出的凸块，左电极位于凸块的两侧对称的形成有凹槽，其中，两个凹槽的下面为构成空气腔底面的主衬底，凸块的底面与所对应的主衬底的上端面之间设置有共振隧穿型二极管，共振隧穿型二极管为刀结构，刀结构的刀把部分横插入到形成在右电极左侧下部的凹边内。本发明可以通过改变RTD在振荡器中的位置，来实现振荡器在不同频段的振荡。

公开(公告)号：CN103762219B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201410012983.0

申请日：2014-01-10

申请人： 天津大学

发明人： 谢生 ,  毛陆虹 ,  张世林 ,  侯贺刚

IPC分类号： H01L31/046 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明属于太阳能技术领域，为实现抑制SEE产生的电荷在芯片中的扩散，本发明采用的技术方案是，串联升压太阳能电池单元制备方法，包括如下步骤：1)在轻掺杂的P?型硅衬底上制备浅沟槽隔离区；2)在浅沟槽隔离区间的器件有源区内制备一个中等掺杂的N阱；3)利用离子注入工艺在N型基底中制备一个大面积、重掺杂的P+有源区；4)利用离子注入工艺在所述P+有源区外侧的N型基底上制备重掺杂的N+接触区；5)在晶片表面淀积合适厚度的介质层；6)在器件上表面制备出所述两种太阳能电池的阳极电极和阴极电极；7)制作串联升压电池单元的阳极和阴极。本发明主要应用于太阳能电池的设计制造。

公开(公告)号：CN105279544A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510732786.0

申请日：2015-10-30

申请人： 天津大学

发明人： 毛陆虹 ,  李艳辉 ,  谢生 ,  张世林

IPC分类号： G06K19/07

摘要： 一种利用可见光通信的无源射频识别标签，有依次连接的光接收机、判决电路、数字基带、数控开关和射频反向散射调制电路，数字基带还连接存储器，还设置有用于向光接收机、判决电路、数字基带、存储器、数控开关和射频反向散射调制电路提供稳定的电源电压的电源管理电路，射频反向散射调制电路的输出端连接射频天线，电源管理电路的电源输入端连接光电池，光电池的输出端还通过电容连接光接收机。本发明用可见光通信发射机的光源为标签提供能量，有效克服普通无源射频标签电磁辐射大，对人体有害的缺点；发射级使用射频反向调制和射频天线，能克服可见光通信发射级功耗大、LED难以集成的缺点。同时标签整体功耗的减小进一步减小，提高标签芯片集成度。

公开(公告)号：CN104681638A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510084618.5

申请日：2015-02-17

申请人： 天津大学

发明人： 毛陆虹 ,  赵帆 ,  郭维廉 ,  谢生 ,  张世林 ,  贺鹏鹏

IPC分类号： H01L29/88 ,  H01L23/66 ,  H01L23/482 ,  H01Q1/22

CPC分类号： H01L29/882 ,  H01L23/482 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/66 ,  H01Q1/22

摘要： 一种具有新型材料结构的半球形透镜矩阵太赫兹波源，在半球形透镜，半球形透镜的下表面设置有由多个RTO发射单元构成的RTO矩阵，RTO矩阵位于半球形透镜下表面的圆心处。RTO矩阵是由2×2～32×32个RTO发射单元构成的矩阵。本发明波导的宽度与振荡器的宽度不同，这样就在振荡器与波导之间形成驻波。RTD位于通过热沉与振荡器的上电极相连，同时可以通过改变RTD在振荡器中的位置，来实现振荡器在不同频段的振荡。波导由于传输高频电磁波，损耗极小，太赫兹波经过波导后最终进过缝隙天线或微带贴片天线发射出去，这样就实现了芯片之间的水平或垂直通信。在当前的工艺条件下，无需增加工艺难度，即可将RTO的功率提高十几倍至几十倍。

公开(公告)号：CN103365331A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310305983.5

申请日：2013-07-19

申请人： 天津大学

发明人： 谢生 ,  付友 ,  毛陆虹 ,  张世林

IPC分类号： G05F1/567

摘要： 本发明公开了一种二阶补偿基准电压产生电路，本发明基于SiGe BiCMOS工艺，通过对传统帯隙基准PTAT电流进行镜像复制，利用SiGe BiCMOS工艺中的NPN晶体管组成的PTAT电流平方生成电路产生与温度平方成比例的电流来补偿VBE的高阶项，进而得到高精度的基准电压源。本发明的核心思想是通过PTAT电流和PTAT平方电流分别产生与温度一次项和二次项相关的电压项，补偿VBE中对应的非线性项，进而得到高精度的基准电压。因此，PTAT电流平方产生电路为本发明的核心电路模块。本发明降低了基准电路的复杂度，提高了基准电压的稳定性，满足了高性能模/数转换器、数/模转换器以及其它高性能集成电路的应用。

公开(公告)号：CN102496844A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201110402640.1

申请日：2011-12-07

申请人： 天津大学

发明人： 毛陆虹 ,  李建恒 ,  张世林 ,  谢生

IPC分类号： H01S3/09

摘要： 本发明公开了用于4G光载无线通信的CMOS激光器驱动电路，其涉及无线通信领域，特别是涉及用于4G光载无线通信的CMOS激光器驱动电路。所述用于4G光载无线通信的CMOS激光器驱动电路由CMOS模拟射频部分、CMOS数字部分、模数转换器和带有光电探测器的激光器连接而成，本发明采用功耗低、易于集成的MOS设计，同时具有矫正激光器非线性特性的模拟预失真功能，满足新一代无线通信TD-LTE(4G)标准的要求。

公开(公告)号：CN101819650A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN201010154042.2

申请日：2010-04-23

申请人： 天津大学

发明人： 毛陆虹 ,  田金峰 ,  张世林 ,  谢生 ,  刘启源

IPC分类号： G06K19/077

摘要： 本发明公开了一种RFID电子标签，属于射频识别技术领域，所述电子标签包括：太阳能电池天线、电感、电容、标签芯片；所述太阳能电池天线的第一端和所述电感的第一端、所述电容的第一端相连；所述电感的第二端和所述标签芯片的正极性端相连；所述电容的第二端和所述标签芯片的天线输入端相连；所述太阳能电池天线的第二端和所述标签芯片的负极性端分别接地。通过使用本发明实施例提供的RFID电子标签，提高了有源标签和半有源标签的使用寿命，使有源标签和半有源标签可以长期工作而不需要更换电池，避免了因使用普通电池造成的环境污染、减少制作工艺的复杂度，增加了无源标签和半有源标签的通信距离。