公开(公告)号：CN103996760A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410263672.1

申请日：2014-06-12

申请人： 天津大学

发明人： 毛陆虹 ,  谢荣 ,  张世林 ,  郭维廉 ,  谢生 ,  武雷 ,  崔猛

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L21/266

CPC分类号： H01L33/0054 ,  H01L21/266 ,  H01L33/08

摘要： 本发明涉及硅基发光电子器件技术领域，为提供一种基于标准CMOS工艺的硅基发光器件，它既可以反向偏置发光，又可以正向偏置注入发光，而且正向注入发光功率密度大、效率高。为此，本发明采取的技术方案是，与标准CMOS技术兼容的硅基正向注入器件，轻掺杂的p型硅片衬底上设置有一对p+有源区和一对n+有源区，每对有源区占一轴线，两对有源区成十字分布；p型硅片衬底及有源区上部设置有二氧化硅电极氧化层；有源区上方区域的二氧化硅电极氧化层设置有通孔，通孔用于有源区通过TiSi2，形成和金属之间的欧姆接触引出后形成管脚。本发明主要应用于硅基发光电子器件设计制造。

公开(公告)号：CN103996760B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201410263672.1

申请日：2014-06-12

申请人： 天津大学

发明人： 毛陆虹 ,  谢荣 ,  张世林 ,  郭维廉 ,  谢生 ,  武雷 ,  崔猛

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L21/266

摘要： 本发明涉及硅基发光电子器件技术领域，为提供一种基于标准CMOS工艺的硅基发光器件，它既可以反向偏置发光，又可以正向偏置注入发光，而且正向注入发光功率密度大、效率高。为此，本发明采取的技术方案是，与标准CMOS技术兼容的硅基正向注入器件，轻掺杂的p型硅片衬底上设置有一对p+有源区和一对n+有源区，每对有源区占一轴线，两对有源区成十字分布；p型硅片衬底及有源区上部设置有二氧化硅电极氧化层；有源区上方区域的二氧化硅电极氧化层设置有通孔，通孔用于有源区通过TiSi2，形成和金属之间的欧姆接触引出后形成管脚。本发明主要应用于硅基发光电子器件设计制造。

公开(公告)号：CN203883033U

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201420312701.4

申请日：2014-06-12

申请人： 天津大学

发明人： 谢荣 ,  武雷 ,  崔猛

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L21/266

摘要： 本实用新型涉及硅基发光电子器件技术领域，为提供一种基于标准CMOS工艺的硅基发光器件，它既可以反向偏置发光，又可以正向偏置注入发光，而且正向注入发光功率密度大、效率高。为此，本实用新型采取的技术方案是，与标准CMOS技术兼容的硅基正向注入发光器件，结构为：轻掺杂的p型硅片衬底上设置有一对p+有源区和一对n+有源区，每对有源区占一轴线，两对有源区成十字分布；p型硅片衬底及有源区上部设置有二氧化硅电极氧化层；有源区上方区域的二氧化硅电极氧化层设置有通孔，通孔用于有源区通过TiSi2，形成和金属之间的欧姆接触引出后形成管脚。本实用新型主要应用于硅基发光电子器件的设计制造。