一种质量流量控制器校准方法及系统

    公开(公告)号:CN118567328A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202410608993.4

    申请日:2024-05-16

    IPC分类号: G05B23/02

    摘要: 本发明公开了一种质量流量控制器校准方法及系统,涉及半导体制造技术领域;将原MFCA、新MFCB分别连接至ChamberA、ChamberB上,设定ChamberA内的初始压力为;当原MFCA、新MFCB通入气体流量Qin后,通过ChamberA、ChamberB内的增加压力,得到ChamberA、ChamberB内的当前压力;记录ChamberA、ChamberB不同时间的压力值,根据记录的压力值利用最小二乘法分别拟合第一直线方程、第二直线方程,并得到第一直线方程的斜率A和第二直线方程的斜率B;通过斜率A与斜率B获取校准值k;将新MFCB的斜率B与校准值k相乘使得新MFCB的气体输出量与原MFCA的气体输出量误差归零,从而达到了校准目的。本发明能够快速的校正新MFC流量,使与原MFC具有一致性,从而确保半导体制造工艺稳定性。

    一种具有清洁能力的晶圆传输装置及多站式沉积腔的清洁方法

    公开(公告)号:CN116825713B

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202311045264.4

    申请日:2023-08-18

    IPC分类号: H01L21/687 H01L21/67 B08B5/02

    摘要: 本发明公开了一种具有清洁能力的晶圆传输装置及多站式沉积腔的清洁方法,其中一种具有清洁能力的晶圆传输装置,包括旋转装置和吹扫结构,旋转装置包括晶圆载具、主轴和升降旋转装置,晶圆载具固设于主轴的端部,晶圆载具用于承载多个晶圆,升降旋转装置能够驱动主轴做升降运动和旋转运动;在晶圆移出沉积腔后,晶圆载具带动吹扫结构同步旋转至设定的旋转角度,吹扫结构能够在设定的位置进行吹扫。本发明公开的一种具有清洁能力的晶圆传输装置及多站式沉积腔的清洁方法,通过旋转轴喷气产生气墙来减少腔室主轴下方的沉积,在清洁时能够控制晶圆传输装置旋转到恰当的角度,同时从喷气孔中喷出吹扫气体,使腔室内的颗粒物污染尽可能低。

    不依赖于任务传递的晶圆传输方法

    公开(公告)号:CN117153748A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202311223749.8

    申请日:2023-09-21

    IPC分类号: H01L21/677

    摘要: 本发明公开了不依赖于任务传递的晶圆传输方法,包括:将晶圆盒进行地图扫描,得到晶圆盒内存在的晶圆片数、晶圆传输路线和工艺任务;获取晶圆要进入的工艺腔室,然后将晶圆ID及工艺任务依次发送给相应工艺腔室的调度中;通过工艺腔室的调度形成一任务池,获知工艺腔室的工艺任务,所述工艺任务为station运行模式,该station运行模式包括2×3、6×1;每个工艺腔室根据工艺任务提前准备相应的执行条件;如果当前晶圆携带的工艺任务与工艺腔室任务池的当前工艺任务相同,则允许当前晶圆进入工艺腔室。其让工艺腔室相对独立,建立对应的任务池,此任务池可以对工艺任务进行排序,使工艺腔室提前准备该工艺的相关执行条件,同时对进入工艺腔室的晶圆进行校验。

    一种具有清洁能力的晶圆传输装置及多站式沉积腔的清洁方法

    公开(公告)号:CN116825713A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202311045264.4

    申请日:2023-08-18

    IPC分类号: H01L21/687 H01L21/67 B08B5/02

    摘要: 本发明公开了一种具有清洁能力的晶圆传输装置及多站式沉积腔的清洁方法,其中一种具有清洁能力的晶圆传输装置,包括旋转装置和吹扫结构,旋转装置包括晶圆载具、主轴和升降旋转装置,晶圆载具固设于主轴的端部,晶圆载具用于承载多个晶圆,升降旋转装置能够驱动主轴做升降运动和旋转运动;在晶圆移出沉积腔后,晶圆载具带动吹扫结构同步旋转至设定的旋转角度,吹扫结构能够在设定的位置进行吹扫。本发明公开的一种具有清洁能力的晶圆传输装置及多站式沉积腔的清洁方法,通过旋转轴喷气产生气墙来减少腔室主轴下方的沉积,在清洁时能够控制晶圆传输装置旋转到恰当的角度,同时从喷气孔中喷出吹扫气体,使腔室内的颗粒物污染尽可能低。

    一种化学气相沉积设备用的多工位硅片搬运装置

    公开(公告)号:CN116479411A

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202310470024.2

    申请日:2023-04-27

    IPC分类号: C23C16/458 C23C16/54

    摘要: 本发明公开了一种化学气相沉积设备用的多工位硅片搬运装置,包括:密封组件,套接在主轴上部,实现Z向密封和旋转密封;旋转机构,与主轴下部连接,用于获取旋转量实现主轴旋转运动;Z向升降机构,分别与密封组件、旋转机构连接,实现主轴升降运动;该Z向升降机构包括用于获取升降量的测量部件。所述旋转机构包括位于搬运壳体下部的DD马达、圆光栅、读数头,所述Z向升降机构,包括音圈电机、Z向滑块主体、滑块和导轨,所述测量部件包括直线光栅尺和Z向读数头。本装置结构紧凑,采用垂直驱动方式,重心与动力在同一条垂直线上,能够保证往复旋转和升降移动的稳定性,且能够获知旋转量和升降量。

    一种晶圆托盘
    6.
    发明公开
    一种晶圆托盘 审中-实审

    公开(公告)号:CN116435233A

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202310297702.X

    申请日:2023-03-24

    IPC分类号: H01L21/677

    摘要: 本发明涉及一种晶圆托盘,属于半导体技术领域。包括托盘本体边缘均布若干个晶圆槽和让位口,晶圆槽与让位口连通,晶圆槽内侧设有若干个与转台定位柱配合的定位孔。该托盘结构简单,操作方便,该托盘边缘均布若干个晶圆槽和让位口,由于让位口是开口状态,机械手执行动作时只需找准定位落下后撤回即可,无需在托盘下方加设顶升装置,减少相应的顶升机械结构,从而减少故障率及设备成本,提高了传送效率。本发明结构简单,易于制造,方便拿取。

    一种spindle主轴上磁流体冷却的方法

    公开(公告)号:CN118888244A

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202410974019.X

    申请日:2024-07-19

    IPC分类号: H01F1/44 H05K7/20

    摘要: 本发明公开了一种spindle主轴上磁流体冷却的方法,涉及半导体设备冷却技术领域;包括:在滑块主体上盖根部加工出第一避让槽,在滑块主体上盖侧壁加工出第二避让槽;在盘管模具上缠绕铜管形成螺旋铜管,该螺旋铜管具有两个伸出端,第一伸出端从螺旋铜管根部引出作为进水管,第二伸出端起始于螺旋铜管顶部且紧贴其内壁从根部引出作为出水管;将进水管和出水管分别焊接在水管夹两侧的通孔内;焊接后,将螺旋铜管套接在滑块主体上盖外周,此时第一伸出端从第一避让槽穿出,第二伸出端从第二避让槽穿出;将螺旋铜管上的缝隙及螺旋铜管与滑块主体上盖之间的缝隙添胶焊接。本发明通过循环水把热量带走,达到给磁流体散热的作用。

    一种应用在管路清洁系统上的冷却装置

    公开(公告)号:CN118371497A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410490618.4

    申请日:2024-04-23

    摘要: 本发明公开了一种应用在管路清洁系统上的冷却装置,涉及半导体设备冷却技术领域;包括:进水供应块,用于提供冷却水;进水接头,设置在清洁系统反应发射器上,用于将冷却水送入反应发射器内部水路;出水接头,设置在清洁系统反应发射器上,用于将反应发射器内部水路的冷却水输出;三通接头,用于接收冷却水;冷却水管,用于冷却气体传输管路;冷却块,用于冷却气体传输管路;三通切换阀,用于切换水路;回水供应块,用于收集冷却回水。当管路清洁系统不运行时,循环冷却水只流向清洁系统反应发射器,当管路清洁系统运行时切换三通阀,此时循环冷却水流过清洁系统反应发射器、气体传输管路形成循环冷却的效果。

    集成在PECVD设备上的管路及阀门清洁系统

    公开(公告)号:CN118345346A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202410490609.5

    申请日:2024-04-23

    IPC分类号: C23C16/455 C23C16/52

    摘要: 本发明公开了集成在PECVD设备上的管路及阀门清洁系统,涉及半导体设备管道清洁技术领域,包括:PECVD设备的气柜,用于提供清洁气体;气体传输管路,与PECVD设备的气柜相连,用于传输清洁气体;清洁系统反应发射器,与气体传输管路相连,用于发射等离子清洁气体;分体式气体传输管路,焊接在PECVD设备的排气混合总管上,将等离子清洁气体引入待清洁管路及阀门。本发明将现有PECVD设备上增加一套管路及阀门清洁系统,可在无需人力的情况下,高效清洁管路及阀门上的内残留薄膜,如碳化硅等,实现在线自动清洁,有效减少设备停机次数,增加产能并节约人力成本,同时保证了PECVD设备的洁净度,确保工艺的稳定持久。

    一种冷却半导体设备上清洁系统的方法

    公开(公告)号:CN118180063A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202410490614.6

    申请日:2024-04-23

    摘要: 本发明公开了一种冷却半导体设备上清洁系统的方法,涉及半导体设备冷却技术领域;包括:冷却水由进水供应块流向清洁系统反应发射器内部水路,从内部水路流出后流经三通接头进入三通切换阀;当清洁系统运行时打开三通切换阀的第一端和第三端,关闭第二端,三通接头内冷却水流入冷却水管、冷却块,进入三通切换阀的第一端,通过三通切换阀的第三端进入回水供应块;当清洁系统未运行时打开三通切换阀的第二端和第三端,关闭第一端,三通接头内冷却水流经三通切换阀进入回水供应块。本方法降低气体传输管路、清洁系统反应发射器的工作温度,延长其使用寿命,可有效节约循环冷却水的使用。