一种等离子体源的半导体设备在线清洁系统

    公开(公告)号:CN118385212A

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202410490611.2

    申请日:2024-04-23

    摘要: 本发明公开了一种等离子体源的半导体设备在线清洁系统,涉及半导体设备管道清洁技术领域,包括:清洁系统反应发射器,用于发射等离子清洁气体;一体式气体传输管路,用于传输等离子清洁气体;气体流量截止摆阀,用于调节等离子清洁气体的流量;分体式气体传输管路,用于传输等离子清洁气体;连接管路,用于将等离子清洁气体引入待清洁管路内;第一气动隔膜阀,用于控制清洁气体是否进入清洁系统反应发射器;第二气动隔膜阀,控制清洁气体是否进入设备端反应发射器;本系统节约用料成本,设备端的清洁气体通过第一气动隔膜阀和第二气动隔膜阀流入清洁系统反应发射器或设备端反应发射器,不需要重新制作气体管路提供清洁系统反应发射器所需气体。

    一种用于半导体设备的搬运架

    公开(公告)号:CN116598251B

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202310681912.9

    申请日:2023-06-09

    IPC分类号: H01L21/687 H01L21/677

    摘要: 本发明涉及一种用于半导体设备的搬运架,属于沉积覆膜设备技术领域。包括架体,架体上还设有若干优弧,优弧上固定有锁紧机构,锁紧机构另一端固定在用于承托晶圆的承载环上。承载环分为内圈和外圈,内圈低于外圈,内圈上设有突出于内圈表面的用于支撑晶圆的支撑件;外圈上设有用于凸鞘部插入的凸鞘孔。通过承载环与搬运架架体之间增设锁紧机构,保证了搬运架在加速或者减速过程中晶圆位置的稳定性,以满足沉积的质量及均匀性,保证产品质量;通过在承载环上设有支撑件,降低了晶圆与承载环的接触面积,保障晶圆的品质。

    一种化学气相沉积设备用的多工位硅片搬运装置

    公开(公告)号:CN116479411B

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202310470024.2

    申请日:2023-04-27

    IPC分类号: C23C16/458 C23C16/54

    摘要: 本发明公开了一种化学气相沉积设备用的多工位硅片搬运装置,包括:密封组件,套接在主轴上部,实现Z向密封和旋转密封;旋转机构,与主轴下部连接,用于获取旋转量实现主轴旋转运动;Z向升降机构,分别与密封组件、旋转机构连接,实现主轴升降运动;该Z向升降机构包括用于获取升降量的测量部件。所述旋转机构包括位于搬运壳体下部的DD马达、圆光栅、读数头,所述Z向升降机构,包括音圈电机、Z向滑块主体、滑块和导轨,所述测量部件包括直线光栅尺和Z向读数头。本装置结构紧凑,采用垂直驱动方式,重心与动力在同一条垂直线上,能够保证往复旋转和升降移动的稳定性,且能够获知旋转量和升降量。

    一种薄膜气相沉积加热装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117286476A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202311513170.5

    申请日:2023-11-14

    摘要: 本发明公开了一种薄膜气相沉积加热装置,包括沉积腔和旋转装置;旋转装置包括:设在沉积腔下方的基座、设在基座上的磁流体密封传动装置、设在沉积腔内的加热盘、与磁流体密封传动装置配合的空心轴以及驱动空心轴转动的驱动装置;空心轴上端穿入沉积腔后固连加热盘;基座具有安装腔,空心轴下端穿入安装腔并连接有旋转电连接部件;旋转电连接部件包括:固设在空心轴下端的绝缘轴、均设在基座上且分别连接绝缘轴的滑环组件和电刷组件;加热盘内设有加热管和温度传感器,加热管和温度传感器均依次经空心轴内和绝缘轴分别电连接电刷组件和滑环组件;滑环组件和电刷组件用于旋转时的供电。本发明防止了旋转时供电导线的扭转纠缠并且满足电路的供电。

    具有四通道射频电源分配器
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117248201A

    公开(公告)日:2023-12-19

    申请号:CN202311086989.8

    申请日:2023-08-28

    IPC分类号: C23C16/505

    摘要: 本发明公开了具有四通道射频电源分配器,包括四个支路,每个支路具有高频汇流单元、低频滤波单元、谐振组合单元和输出单元,所述高频汇流单元与低频滤波单元、输出单元相连,所述低频滤波单元的一个支路与低频输入板相连,另一个支路通过电容C1与谐振组合单元相连,所述谐振组合单元还与输出单元相连。所述高频汇流单元,包括高频输入端子和第一高频汇流板;所述低频滤波单元,包括L1电感、低频汇流板和L4磁环电感;所述谐振组合单元包括第二高频汇流板、谐振滤波电路和谐振陷波电路;所述输出单元包括继电器和L3电感。本分配器可以将一路高频射频电源和一路低频射频电源平均分配给四路输出,大大节约了生产制造成本。

    一种大气机械臂ATM与真空机械臂VAC取、放晶圆方法

    公开(公告)号:CN117198954A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202310940060.0

    申请日:2023-07-28

    摘要: 本发明公开了一种大气机械臂ATM与真空机械臂VAC取、放晶圆方法,包括:大气机械臂从晶圆盒内获取未镀膜的晶圆后,先确定LoadLock的哪个腔室能实现大气机械臂调度执行放片及取片方法,如果上腔室能实现则大气机械臂进入上腔室进行调度,如果下腔室能实现则大气机械臂进入下腔室进行调度;如果上腔室和下腔室均能实现则大气机械臂先进入上腔室进行调度再进入下腔室进行调度;如果上腔室和下腔室均不能实现,则确定哪个腔室能实现大气机械臂调度执行放片方法或大气机械臂调度执行取片方法;两个独立的上腔室和下腔室不区分出入腔,每个腔室都有出入的可能性,大气机械臂、真空机械臂可以在LoadLock门开启的时候做一套放、取片动作。

    工艺腔室独立调度方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117153733A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202311223752.X

    申请日:2023-09-21

    IPC分类号: H01L21/67 H01L21/677

    摘要: 本发明公开了工艺腔室独立调度方法,包括:将晶圆盒进行地图扫描,得到晶圆盒内存在的晶圆片数、每个晶圆传输路线和工艺任务;根据晶圆传输路线和工艺任务得到每个晶圆要进入的工艺腔室,然后将晶圆ID及工艺任务依次发送给相应工艺腔室的调度中;通过工艺腔室的调度形成一任务池;每个工艺腔室根据工艺任务提前准备相应的执行条件;将当前晶圆携带的工艺任务与工艺腔室任务池的当前工艺任务进行对比,如果相同,则允许当前晶圆进入工艺腔室;进入工艺腔室的多个晶圆执行完相同工艺任务后,从任务池中删除该项工艺任务,工艺腔室为下一项任务提前准备相应的执行条件。本方法中工艺腔室提前准备该工艺的相关执行条件,且具有校验功能。

    一种对晶圆位置进行校准的装置及方法

    公开(公告)号:CN116864417A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202310886387.4

    申请日:2023-07-19

    IPC分类号: H01L21/67

    摘要: 本发明公开了一种对晶圆位置进行校准的装置及方法,涉及半导体制造技术领域;其装置包括设置在PM工艺腔体入口处的第一对对射传感器,所述第一对对射传感器包括位于PM工艺腔体顶部的上对射传感器和位于PM工艺腔体底部的下对射传感器,所述上对射传感器与下对射传感器对称设置,通过VTM机械手传进PM工艺腔体的晶圆从上对射传感器与下对射传感器之间穿过。所述对射传感器用于获取基准数据和实际数据,通过对比基准数据与实际数据得到横向误差和纵向误差,进而通过VTM机械手进行补偿。本发明只需利用对射传感器和设备本身的VTM机械手进行定位矫正,引入的外部误差对精度影响极小,计算误差由于耗费算力极低且兼容性好可以布置在PLC等现成硬件中。

    一种spindle主轴上磁流体冷却的方法

    公开(公告)号:CN118888244A

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202410974019.X

    申请日:2024-07-19

    IPC分类号: H01F1/44 H05K7/20

    摘要: 本发明公开了一种spindle主轴上磁流体冷却的方法,涉及半导体设备冷却技术领域;包括:在滑块主体上盖根部加工出第一避让槽,在滑块主体上盖侧壁加工出第二避让槽;在盘管模具上缠绕铜管形成螺旋铜管,该螺旋铜管具有两个伸出端,第一伸出端从螺旋铜管根部引出作为进水管,第二伸出端起始于螺旋铜管顶部且紧贴其内壁从根部引出作为出水管;将进水管和出水管分别焊接在水管夹两侧的通孔内;焊接后,将螺旋铜管套接在滑块主体上盖外周,此时第一伸出端从第一避让槽穿出,第二伸出端从第二避让槽穿出;将螺旋铜管上的缝隙及螺旋铜管与滑块主体上盖之间的缝隙添胶焊接。本发明通过循环水把热量带走,达到给磁流体散热的作用。