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公开(公告)号:CN116147705A
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN202310220997.0
申请日:2023-03-09
Applicant: 大连理工大学 , 中国航空工业集团公司沈阳空气动力研究所
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明属于测试领域,提出一种高温温度和压力原位复合测量传感器、制备及使用方法,包括敏感元件、陶瓷基座和耐高温引线;敏感元件为设有高温电极的弹性膜片,其包括五个铂金属电极和四个氧化铟锡压敏电阻。四个阻值相等的氧化铟锡压敏电阻连成惠斯登电桥。该传感器集成亚微米厚度的铂薄膜热敏电阻和氧化铟锡压敏电阻,实现原位同时测量温度‑压力参量。传感元件采用倒装齐平式封装,敏感的弹性膜片直接感受介质温度压力,避免引进气道管腔效应的影响。该测试方法无引压进气道,固有频率约等于敏感元件的固有频率,可实现高频动态测量。
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公开(公告)号:CN116147705B
公开(公告)日:2025-04-25
申请号:CN202310220997.0
申请日:2023-03-09
Applicant: 大连理工大学 , 中国航空工业集团公司沈阳空气动力研究所
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明属于测试领域,提出一种高温温度和压力原位复合测量传感器、制备及使用方法,包括敏感元件、陶瓷基座和耐高温引线;敏感元件为设有高温电极的弹性膜片,其包括五个铂金属电极和四个氧化铟锡压敏电阻。四个阻值相等的氧化铟锡压敏电阻连成惠斯登电桥。该传感器集成亚微米厚度的铂薄膜热敏电阻和氧化铟锡压敏电阻,实现原位同时测量温度‑压力参量。传感元件采用倒装齐平式封装,敏感的弹性膜片直接感受介质温度压力,避免引进气道管腔效应的影响。该测试方法无引压进气道,固有频率约等于敏感元件的固有频率,可实现高频动态测量。
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公开(公告)号:CN114752900A
公开(公告)日:2022-07-15
申请号:CN202210290345.X
申请日:2022-03-23
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/58 , C23F1/18 , C23F1/28 , G01B21/32
Abstract: 本发明涉及薄膜传感器设计、生产与安装技术领域,具体的,涉及一种薄膜传感器的制备、释放以及转移贴装方法。本发明解决了现有工艺难以在大型构件和具有复杂曲面构件上应用薄膜传感器的问题,各层薄膜应力相互补偿,有效降低了薄膜传感器的残余应力,且有利于发挥MEMS工艺生产效率高的特点。另外,释放后的薄膜传感器可以保存在转移胶带上,运输和储存成本低,粘贴工艺简单,使用方便。
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