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公开(公告)号:CN114752900A
公开(公告)日:2022-07-15
申请号:CN202210290345.X
申请日:2022-03-23
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/58 , C23F1/18 , C23F1/28 , G01B21/32
Abstract: 本发明涉及薄膜传感器设计、生产与安装技术领域,具体的,涉及一种薄膜传感器的制备、释放以及转移贴装方法。本发明解决了现有工艺难以在大型构件和具有复杂曲面构件上应用薄膜传感器的问题,各层薄膜应力相互补偿,有效降低了薄膜传感器的残余应力,且有利于发挥MEMS工艺生产效率高的特点。另外,释放后的薄膜传感器可以保存在转移胶带上,运输和储存成本低,粘贴工艺简单,使用方便。