一种深硅孔结构博世刻蚀工艺加工方法

    公开(公告)号:CN118899258A

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202410932464.X

    申请日:2024-07-12

    Abstract: 本发明属于硅加工领域,具体涉及一种深硅孔结构博世刻蚀工艺加工方法。传统博世刻蚀工艺在深硅孔加工中存在侧壁扇贝褶皱严重、刻蚀深度受限等问题,无法满足高集成度芯片封装的要求。针对这些问题,本发明在传统博世刻蚀工艺基础上引入氧气,并调整SF6、C4F8流量、ICP功率、偏置电压、工艺气压及刻蚀和钝化时间的参数,成功解决了150μm以下深度槽型孔刻蚀的难题。通过这些改进,本发明显著减少了刻蚀过程中产生的侧壁扇贝褶皱,提升了硅孔的侧壁质量和垂直度,从而提高了硅通孔结构的电气性能和整体可靠性。该方法不仅适用于芯片三维封装,还可应用于微机电系统、微流控芯片等微纳器件的制造,有效提升了产品的加工深度和质量。

    一种铜纳米粒子用于圆二色不对称因子测定对映体过量分析方法

    公开(公告)号:CN118275352A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202410431418.1

    申请日:2024-04-11

    Abstract: 本发明属于圆二色光学传感分析应用领域,公开了一种圆二色不对称因子方法测定对映体过量分析方法,具体为铜纳米粒子用于圆二色不对称g因子方法测定氨基酸的对映体过量。铜纳米粒子是采用二价铜盐水溶液与十二烷基硫酸钠水溶液在室温下搅拌制备的,再与氨基酸分子自组装进行圆二色的手性光学传感分析。本发明采用的铜纳米粒子制备方法简单、稳定性好且原料廉价易得,可用于测定氨基酸的绝对构型和ee值。

    一种电子式高压电流互感器

    公开(公告)号:CN2456285Y

    公开(公告)日:2001-10-24

    申请号:CN00265522.5

    申请日:2000-12-26

    Abstract: 一种电子式高压电流互感器,涉及电力互感器。它用非铁磁环型测最线圈完成电流的测量,用信号采集和电光变换器件把测量线圈的信号变成光信号,由光纤传输至低电位端,电光变换电源取自高电压端。这种新型电子式高压电流互感器结构简单、工业实现方便,消除了电磁互感器在绝缘和信号传输方面的隐患与不足,光纤信号可直接输入到电力系统的计算机中。

    一种新型电磁操动机构
    7.
    实用新型

    公开(公告)号:CN2413376Y

    公开(公告)日:2001-01-03

    申请号:CN99259089.2

    申请日:1999-12-29

    Abstract: 一种新型电磁操动机构,涉及电力开关的操动机构。该装置的特征是将已有的电磁机构磁路中无气隙地插入永磁体,用由永磁体剩磁产生的保持力取代复杂的锁扣系统的作用;用电容器的脉冲放电取代大功率直流电源;用可控硅取代原控制电路中的有触点开关;机构整体运行可靠、寿命长,并不受外界环境干扰。这种新型操动机构的结构简单、工业实现方便,消除了开关可靠性最大的隐患,用市电供电的方式完成操动机构的功能。

    光电转换曝光可控同步采样保持器

    公开(公告)号:CN2264934Y

    公开(公告)日:1997-10-15

    申请号:CN95200936.6

    申请日:1995-01-13

    Abstract: 一种光电转换曝光可控同步采样保持器,包括一光电采集单元及与之相配置的信号控制电路和模拟开关选择控制器,利用光电二极管阵列光电转换直接对储能电容进行可控同步充、放电,以实现对图象同步采样保持,有图象同步、速度高、价格便宜的特点。

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