一种铜纳米粒子用于圆二色不对称因子测定对映体过量分析方法

    公开(公告)号:CN118275352A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202410431418.1

    申请日:2024-04-11

    Abstract: 本发明属于圆二色光学传感分析应用领域,公开了一种圆二色不对称因子方法测定对映体过量分析方法,具体为铜纳米粒子用于圆二色不对称g因子方法测定氨基酸的对映体过量。铜纳米粒子是采用二价铜盐水溶液与十二烷基硫酸钠水溶液在室温下搅拌制备的,再与氨基酸分子自组装进行圆二色的手性光学传感分析。本发明采用的铜纳米粒子制备方法简单、稳定性好且原料廉价易得,可用于测定氨基酸的绝对构型和ee值。

    一种标定薄膜材料XPS深度剖析刻蚀速率的方法

    公开(公告)号:CN113218983A

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN202110464287.3

    申请日:2021-04-28

    Abstract: 本发明涉及表面分析技术领域,特别指一种标定薄膜材料XPS深度剖析刻蚀速率的方法。本发明通过真空蒸镀法制备平整薄膜样品,经过离子刻蚀后使用探针式表面轮廓仪标定弧坑深度,进而获得该薄膜样品真实离子刻蚀速率和刻蚀深度。由于不同材料的性质差别较大,如果按照仪器参考值设定刻蚀速率,其实际刻蚀速率与仪器参考值可能会相差巨大,这就导致对材料表界面进行刻蚀分析时会产生较大偏差。此方法实施简单且结果直观、准确,解决了目前对深度剖析刻蚀速率无法精确测定的难题。在对薄膜材料进行深度剖析和刻蚀分析时,有助于提高XPS分析的准确度。

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