公开(公告)号：CN114927581B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202210387755.6

申请日：2022-04-14

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 宋金会 ,  杨帅 ,  陈路华 ,  陈昊天

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明属于图像传感器领域，涉及一种硅基CMOS图像传感器三维感光像素结构及其制备方法。本发明可以有效提高光线入射效率，扩大光线空间角，从而有效提高前照式CMOS结构的综合感光性能；其纳米柱结构的感光像素结构，由于陷光效应和共振吸收增强效应，可有效提高光吸收利用率；由于硅纳米柱为内外型体PN结结构，因此相比相同横截面积的平面PN结感光像素，其具有更大面积的势垒区，可提高其满阱容量；因此同时实际入射光存在垂直以外的其他入射角度，使得其侧壁势垒区也可以响应入射光线，从而有效提高综合弱光响应能力；该结构制备方法难度较小，适合整合应用到成熟IC工业产线，从而有效提高硅基CMOS图像传感器的像素感光性能。

公开(公告)号：CN118899258A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410932464.X

申请日：2024-07-12

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 宋金会 ,  王毅 ,  陈路华 ,  曾相喆

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明属于硅加工领域，具体涉及一种深硅孔结构博世刻蚀工艺加工方法。传统博世刻蚀工艺在深硅孔加工中存在侧壁扇贝褶皱严重、刻蚀深度受限等问题，无法满足高集成度芯片封装的要求。针对这些问题，本发明在传统博世刻蚀工艺基础上引入氧气，并调整SF6、C4F8流量、ICP功率、偏置电压、工艺气压及刻蚀和钝化时间的参数，成功解决了150μm以下深度槽型孔刻蚀的难题。通过这些改进，本发明显著减少了刻蚀过程中产生的侧壁扇贝褶皱，提升了硅孔的侧壁质量和垂直度，从而提高了硅通孔结构的电气性能和整体可靠性。该方法不仅适用于芯片三维封装，还可应用于微机电系统、微流控芯片等微纳器件的制造，有效提升了产品的加工深度和质量。

公开(公告)号：CN114927581A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210387755.6

申请日：2022-04-14

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 宋金会 ,  杨帅 ,  陈路华 ,  陈昊天

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明属于图像传感器领域，涉及一种硅基CMOS图像传感器三维感光像素结构及其制备方法。本发明可以有效提高光线入射效率，扩大光线空间角，从而有效提高前照式CMOS结构的综合感光性能；其纳米柱结构的感光像素结构，由于陷光效应和共振吸收增强效应，可有效提高光吸收利用率；由于硅纳米柱为内外型体PN结结构，因此相比相同横截面积的平面PN结感光像素，其具有更大面积的势垒区，可提高其满阱容量；因此同时实际入射光存在垂直以外的其他入射角度，使得其侧壁势垒区也可以响应入射光线，从而有效提高综合弱光响应能力；该结构制备方法难度较小，适合整合应用到成熟IC工业产线，从而有效提高硅基CMOS图像传感器的像素感光性能。