公开(公告)号：CN101154563A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710153263.6

申请日：2007-09-29

Applicant: 大日本网目版制造株式会社

Inventor： 荒木浩之 ,  林豊秀

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/30 ,  H01L21/67 ,  B08B3/00 ,  G02F1/1333 ,  H01J9/00 ,  G03F1/00 ,  G11B7/26

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68742

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置，由于基板的表面上存在各种形状的孔洞，因而在冲洗处理时向基板上供给纯水后，纯水的一部分会浸入孔洞内。即使使基板高速旋转也很难将浸入孔洞内的纯水甩出来。因此，在冲洗处理之后，将HFE布满基板而形成HFE层。这种情况下，由于纯水和HFE的比重有差异，HFE会浸入孔洞内，而纯水会从孔洞内浮出到HFE层的上面。这样就切实地防止了纯水残留在孔洞内。

公开(公告)号：CN101093788A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710110046.9

申请日：2007-06-19

Applicant: 大日本网目版制造株式会社

Inventor： 林豊秀

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/30 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置，该基板处理方法包括：清洗处理工序，向作为待处理对象的基板的主面供给纯水而对该基板进行清洗；干燥前处理工序，在该清洗处理工序之后，向基板的主面供给含有挥发性比纯水更高的有机溶剂的干燥前处理液，使在该主面上残留的纯水置换成干燥前处理液；干燥处理工序，在该干燥前处理工序之后，除去被供给到基板的主面上的干燥前处理液而使该基板干燥。干燥前处理工序包括：纯水·有机溶剂混合液供给工序，将含有纯水和有机溶剂的混合液作为干燥前处理液而向基板的主面供给；混合比变更工序，在进行该纯水·有机溶剂混合液供给工序的期间中，使含有纯水和有机溶剂的混合液中的有机溶剂的比例增加。

公开(公告)号：CN100490060C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200710110046.9

申请日：2007-06-19

Applicant: 大日本网目版制造株式会社

Inventor： 林豊秀

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/30 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置，该基板处理方法包括：清洗处理工序，向作为待处理对象的基板的主面供给纯水而对该基板进行清洗；干燥前处理工序，在该清洗处理工序之后，向基板的主面供给含有挥发性比纯水更高的有机溶剂的干燥前处理液，使在该主面上残留的纯水置换成干燥前处理液；干燥处理工序，在该干燥前处理工序之后，除去被供给到基板的主面上的干燥前处理液而使该基板干燥。干燥前处理工序包括：纯水·有机溶剂混合液供给工序，将含有纯水和有机溶剂的混合液作为干燥前处理液而向基板的主面供给；混合比变更工序，在进行该纯水·有机溶剂混合液供给工序的期间中，使含有纯水和有机溶剂的混合液中的有机溶剂的比例增加。

公开(公告)号：CN101271833A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810083372.X

申请日：2008-03-13

Applicant: 大日本网目版制造株式会社

Inventor： 林豊秀

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/306 ,  B08B3/04 ,  B08B3/10 ,  B08B3/08

CPC classification number: H01L21/67023 ,  B08B3/048 ,  B08B3/08 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67253

Abstract: 一种基板处理装置，用处理液对基板进行处理，其包括：处理槽，用于贮存处理液；保持机构，在保持基板的状态下位于所述处理槽内的处理位置；第一处理液供给装置，用于将第一处理液供给至所述处理槽内；第二处理液供给装置，用于将表面张力比第一处理液小且沸点比第一处理液高的第二处理液供给至所述处理槽内；温度调节装置，用于将所述处理槽中的第二处理液的温度调节在第一处理液的沸点以上且第二处理液的沸点以下的温度范围；控制装置，对所述第二处理液供给装置进行控制，从而使从所述第一处理液供给装置供给并贮存于所述处理槽内的第一处理液置换为第二处理液，同时，对所述温度调节装置进行控制，由此将第二处理液维持在所述温度范围内。

公开(公告)号：CN101271833B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200810083372.X

申请日：2008-03-13

Applicant: 大日本网目版制造株式会社

Inventor： 林豊秀

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/306 ,  B08B3/04 ,  B08B3/10 ,  B08B3/08

CPC classification number: H01L21/67023 ,  B08B3/048 ,  B08B3/08 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67253

Abstract: 一种基板处理装置，用处理液对基板进行处理，其包括：处理槽，用于贮存处理液；保持机构，在保持基板的状态下位于所述处理槽内的处理位置；第一处理液供给装置，用于将第一处理液供给至所述处理槽内；第二处理液供给装置，用于将表面张力比第一处理液小且沸点比第一处理液高的第二处理液供给至所述处理槽内；温度调节装置，用于将所述处理槽中的第二处理液的温度调节在第一处理液的沸点以上且第二处理液的沸点以下的温度范围；控制装置，对所述第二处理液供给装置进行控制，从而使从所述第一处理液供给装置供给并贮存于所述处理槽内的第一处理液置换为第二处理液，同时，对所述温度调节装置进行控制，由此将第二处理液维持在所述温度范围内。

公开(公告)号：CN101276742B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200810087412.8

申请日：2008-03-27

Applicant: 大日本网目版制造株式会社

Inventor： 基村雅洋 ,  高桥弘明 ,  前川直嗣 ,  林豊秀

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  B08B3/04 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  B08B3/12

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其有：有存积处理液的内槽和回收溢出的处理液的外槽的处理槽；供给配管，连通内外槽使处理液循环；第一分支配管，分流供给配管；分离装置，设于第一分支配管，分离处理液中的纯水和溶剂，排出纯水；第二分支配管，连通分离装置的上下游；纯水去除装置，设于第二分支配管，吸附去除纯水；注入管，设于供给配管，在分离装置下游注入纯水；溶剂注入装置，将溶剂注到注入管中；控制装置，在从注入管供纯水并用清洗基板的纯水清洗处理后，执行注入溶剂并置换纯水的置换处理后，切换至第一分支配管，通过分离装置执行去除纯水的分离去除处理，再切换至第二分支配管，通过纯水去除装置执行吸附并去除纯水的吸附去除处理。

公开(公告)号：CN101276742A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810087412.8

申请日：2008-03-27

Applicant: 大日本网目版制造株式会社

Inventor： 基村雅洋 ,  高桥弘明 ,  前川直嗣 ,  林豊秀

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  B08B3/04 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  B08B3/12

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其有：有存积处理液的内槽和回收溢出的处理液的外槽的处理槽；供给配管，连通内外槽使处理液循环；第一分支配管，分流供给配管；分离装置，设于第一分支配管，分离处理液中的纯水和溶剂，排出纯水；第二分支配管，连通分离装置的上下游；纯水去除装置，设于第二分支配管，吸附去除纯水；注入管，设于供给配管，在分离装置下游注入纯水；溶剂注入装置，将溶剂注到注入管中；控制装置，在从注入管供纯水并用清洗基板的纯水清洗处理后，执行注入溶剂并置换纯水的置换处理后，切换至第一分支配管，通过分离装置执行去除纯水的分离去除处理，再切换至第二分支配管，通过纯水去除装置执行吸附并去除纯水的吸附去除处理。