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公开(公告)号：CN100477423C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610153153.5
申请日：2006-12-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S2301/176
Abstract: 在衬底上形成的氮化物半导体分层部分上，以此顺序形成绝缘膜和p侧电极。此外，在p侧电极之上、将发生解理的位置周围形成端部电极保护层。
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公开(公告)号：CN101276995B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN200810088459.6
申请日：2008-03-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L22/26 , H01S5/0014 , H01S5/0425 , H01S5/209 , H01S5/2214 , H01S5/2277 , H01S5/34306 , H01S5/3436 , H01S2301/18 , H01S2304/00
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器芯片及其制造方法，该方法能够抑制层中断，并且同时减少在水平方向上光辐射角的制造偏差。该方法包括在n型GaAs基板上形成半导体元件层的步骤，该半导体元件层由包括蚀刻标记层的多个半导体层组成；在该半导体元件层中的接触层中形成凹陷部分的步骤，该凹陷部分具有没有到达该蚀刻标记层的深度；以及通过干法蚀刻来蚀刻该半导体元件层且同时用激光监测在该凹陷部分的底区域中的蚀刻深度而形成脊部分的步骤。
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公开(公告)号：CN102693925A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210082180.3
申请日：2012-03-26
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种半导体发光元件的温度特性检查装置和温度特性检查方法。温度特性检查装置包括电流施加/电压测定装置和测定对象的半导体发光元件。电流施加/电压测定装置包括电流施加部、电压检测部。电流施加/电压测定装置例如是芯片探针，将探针对准晶圆状态的半导体发光元件的电极来进行电流施加、电压测定。使用所测定的正向电压值和光输出值，例如通过外部的运算部、判定部来进行半导体发光元件的温度特性的好坏判定。由此，能够提供一种不增加芯片面积、能够以低成本实现的温度特性检查装置和温度特性检查方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102693925B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201210082180.3
申请日：2012-03-26
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种半导体发光元件的温度特性检查装置和温度特性检查方法。温度特性检查装置包括电流施加/电压测定装置和测定对象的半导体发光元件。电流施加/电压测定装置包括电流施加部、电压检测部。电流施加/电压测定装置例如是芯片探针，将探针对准晶圆状态的半导体发光元件的电极来进行电流施加、电压测定。使用所测定的正向电压值和光输出值，例如通过外部的运算部、判定部来进行半导体发光元件的温度特性的好坏判定。由此，能够提供一种不增加芯片面积、能够以低成本实现的温度特性检查装置和温度特性检查方法。
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公开(公告)号：CN104620398B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201480002009.4
申请日：2014-06-10
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0095 , H01L33/02 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/325 , H01L33/42 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 半导体发光元件(10)具备：基板(11)；半导体层叠部(22)，设置在基板(11)上，至少具有第一导电型半导体层(14)、发光层(16)和第二导电型半导体层(18)。基板(11)相对于来自发光层(16)的光而具有透光性，并具有六面体形状，包括设置半导体层叠部(22)的第一面(11a)、位于与第一面(11a)相反的一侧的第二面(11b)、与第一面(11a)及第二面(11b)正交的一对第三面(11c)、与第一面(11a)及第二面(11b)正交且与一对第三面(11c)不同的一对第四面(11d)。第一面(11a)具有交替地形成凹部(31A)和凸部(31B)而成的凹凸构造(31)。第三面(11c)分别在与第二面(11b)相距第一距离的位置具有第一改质层(41)。第四面(11d)分别具有两层以上的改质层(42，43，44)。
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公开(公告)号：CN104620398A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201480002009.4
申请日：2014-06-10
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0095 , H01L33/02 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/325 , H01L33/42 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 半导体发光元件(10)具备：基板(11)；半导体层叠部(22)，设置在基板(11)上，至少具有第一导电型半导体层(14)、发光层(16)和第二导电型半导体层(18)。基板(11)相对于来自发光层(16)的光而具有透光性，并具有六面体形状，包括设置半导体层叠部(22)的第一面(11a)、位于与第一面(11a)相反的一侧的第二面(11b)、与第一面(11a)及第二面(11b)正交的一对第三面(11c)、与第一面(11a)及第二面(11b)正交且与一对第三面(11c)不同的一对第四面(11d)。第一面(11a)具有交替地形成凹部(31A)和凸部(31B)而成的凹凸构造(31)。第三面(11c)分别在与第二面(11b)相距第一距离的位置具有第一改质层(41)。第四面(11d)分别具有两层以上的改质层(42，43，44)。
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公开(公告)号：CN101276995A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810088459.6
申请日：2008-03-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L22/26 , H01S5/0014 , H01S5/0425 , H01S5/209 , H01S5/2214 , H01S5/2277 , H01S5/34306 , H01S5/3436 , H01S2301/18 , H01S2304/00
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器芯片及其制造方法，该方法能够抑制层中断，并且同时减少在水平方向上光辐射角的制造偏差。该方法包括在n型GaAs基板上形成半导体元件层的步骤，该半导体元件层由包括蚀刻标记层的多个半导体层组成；在该半导体元件层中的接触层中形成凹陷部分的步骤，该凹陷部分具有没有到达该蚀刻标记层的深度；以及通过干法蚀刻来蚀刻该半导体元件层且同时用激光监测在该凹陷部分的底区域中的蚀刻深度而形成脊部分的步骤。
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公开(公告)号：CN1979984A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610153153.5
申请日：2006-12-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S2301/176
Abstract: 在衬底上形成的氮化物半导体分层部分上，以此顺序形成绝缘膜和p侧电极。此外，在p侧电极之上、将发生解理的位置周围形成端部电极保护层。
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