公开(公告)号：CN102244004A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110123637.6

申请日：2011-05-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 桥本尚义 ,  米元久

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76232

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，该制造方法包括：在半导体衬底上形成浅沟槽的步骤；在浅沟槽中形成绝缘层的步骤；以及在浅沟槽中形成深沟槽的步骤，该深沟槽穿透该绝缘层且比该浅沟槽深；其中形成深沟槽的步骤包括：形成第一深沟槽，该第一深沟槽包括相对于半导体衬底具有第一锥角的内侧面；以及形成第二深沟槽，该第二深沟槽包括相对于半导体衬底具有第二锥角的内侧面，其中该第二锥角不同于该第一锥角。

公开(公告)号：CN101996920A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010260783.9

申请日：2010-08-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 田尻雅之 ,  桥本尚义 ,  米元久 ,  原园丰洋

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法及半导体装置，特别是涉及一种能够形成特性良好的高耐压晶体管的元件隔离膜的形成方法。首先在基板上预先形成栅极氧化膜(102)，然后在其上形成CMP阻挡膜(104)后，对栅极氧化膜和CMP阻挡膜进行蚀刻，通过蚀刻半导体基板形成沟槽(108)。另外，在以场绝缘膜填充沟槽内部之前，在沟槽内壁上形成衬垫绝缘膜(112)，利用衬垫绝缘膜掩埋CMP阻挡膜下方的栅极氧化膜侧面的凹陷部分，由此能够抑制在栅极氧化膜侧方的元件隔离膜上形成空隙。

公开(公告)号：CN102244004B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201110123637.6

申请日：2011-05-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 桥本尚义 ,  米元久

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76232

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，该制造方法包括：在半导体衬底上形成浅沟槽的步骤；在浅沟槽中形成绝缘层的步骤；以及在浅沟槽中形成深沟槽的步骤，该深沟槽穿透该绝缘层且比该浅沟槽深；其中形成深沟槽的步骤包括：形成第一深沟槽，该第一深沟槽包括相对于半导体衬底具有第一锥角的内侧面；以及形成第二深沟槽，该第二深沟槽包括相对于半导体衬底具有第二锥角的内侧面，其中该第二锥角不同于该第一锥角。

公开(公告)号：CN102315219A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110191168.1

申请日：2011-07-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 疋田智之 ,  桥本尚义

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/0921

Abstract: 半导体器件及其制造方法。本发明提供的半导体器件包括：第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底中形成的第一导电类型的第一阱区域；在半导体衬底中形成且布置在与第一阱区域相邻的区域中的第二导电类型的外延区域；在外延区域的下部的区域中形成且具有比外延区域的杂质浓度高的杂质浓度的第二导电类型的掩埋区域；在第一阱区域和外延区域之间以及在第一阱区域和掩埋区域之间的边界形成的沟槽；在第一阱上形成的第一半导体元件；以及在外延区域上形成的第二半导体元件。