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公开(公告)号：CN101996920A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010260783.9
申请日：2010-08-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法及半导体装置，特别是涉及一种能够形成特性良好的高耐压晶体管的元件隔离膜的形成方法。首先在基板上预先形成栅极氧化膜(102)，然后在其上形成CMP阻挡膜(104)后，对栅极氧化膜和CMP阻挡膜进行蚀刻，通过蚀刻半导体基板形成沟槽(108)。另外，在以场绝缘膜填充沟槽内部之前，在沟槽内壁上形成衬垫绝缘膜(112)，利用衬垫绝缘膜掩埋CMP阻挡膜下方的栅极氧化膜侧面的凹陷部分，由此能够抑制在栅极氧化膜侧方的元件隔离膜上形成空隙。
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