公开(公告)号：CN1457090A

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN03121623.4

申请日：2003-03-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 戴维·罗素·埃文斯 ,  许胜籘 ,  布鲁斯·戴尔·乌尔里克 ,  道格拉斯·詹姆斯·特威 ,  莉萨·H·什特克尔

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  Y10S438/975

Abstract: 本发明提供了一种利用自对齐浅沟槽隔离工艺生产半导体器件的方法，所述自对齐浅沟槽隔离工艺分离形成的与栅极结构自对齐的元件，所述方法包括下列步骤：提供覆盖衬底上的栅极绝缘层的第一多晶硅层；形成穿过第一多晶硅层并深入衬底的沟槽；提供覆盖衬底的氧化物层，所述衬底包括沟槽，以便在沟槽内氧化物层的上表面高于第一多晶硅层的下表面；提供第二多晶硅层，其覆盖氧化物层，以便沟槽内第二多晶硅层的上表面低于第一多晶硅层的上表面；平面化第二多晶硅层、氧化物层及第一多晶硅层，同时在沟槽内的第二多晶硅层的上表面处停止平面化步骤。

公开(公告)号：CN1278407C

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN03121623.4

申请日：2003-03-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 戴维·罗素·埃文斯 ,  许胜籘 ,  布鲁斯·戴尔·乌尔里克 ,  道格拉斯·詹姆斯·特威 ,  莉萨·H·什特克尔

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  Y10S438/975

Abstract: 本发明提供了一种利用自对齐浅沟槽隔离工艺生产半导体器件的方法，所述自对齐浅沟槽隔离工艺分离形成的与栅极结构自对齐的元件，所述方法包括下列步骤：提供覆盖衬底上的栅极绝缘层的第一多晶硅层；形成穿过第一多晶硅层并深入衬底的沟槽；提供覆盖衬底的氧化物层，所述衬底包括沟槽，以便在沟槽内氧化物层的上表面高于第一多晶硅层的下表面；提供第二多晶硅层，其覆盖氧化物层，以便沟槽内第二多晶硅层的上表面低于第一多晶硅层的上表面；平面化第二多晶硅层、氧化物层及第一多晶硅层，同时在沟槽内的第二多晶硅层的上表面处停止平而化步骤。