公开(公告)号：CN119710907A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411827594.3

申请日：2024-12-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱银燕 ,  沈健 ,  朱志飞 ,  高文萍

IPC: C30B23/02 ,  C30B30/00 ,  C30B29/22 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B29/68

Abstract: 本发明公开了一种复杂氧化物界面一维体系的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积技术，基于衬底本身的台阶结构，通过沿台阶流动的生长方式制备复杂氧化物的新型一维纳米材料，其包括：在衬底上外延生长材料S，厚度为1个台阶高度，横向宽度为L1；在衬底上或者在材料S上沿新的台阶边缘横向外延生长材料B，横向宽度为L2，厚度为1个台阶高度；将L1+L2作为一个周期，重复生长n个周期；重复上述步骤，在纵向方向上实现N个重复，即实现复杂氧化物新型界面一维体系的制备。本发明方法开拓了一种新的材料界面调控途径，并且可以推广到其他关联体系，为全氧化物自旋电子器件的研发奠定物理基础。

公开(公告)号：CN120035369A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510159011.2

申请日：2025-02-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱银燕 ,  沈健 ,  高文萍 ,  廖文涛

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  C23C14/30 ,  C23C14/06 ,  C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明公开了一种在锰氧化物中实现低场室温庞磁阻效应的器件及其制备方法。该制备方法包括：在衬底上制备庞磁阻掺杂稀土锰氧化物薄膜，实现300K以上的内禀相变温度，并处于反铁磁绝缘态；在锰氧化物薄膜表面制备稀有气体固态缓冲层；在缓冲层上沉积孤立的铁磁纳米岛，以在反铁磁相中直接诱导出铁磁畴成核；在铁纳米岛表面沉积保护层。本发明通过制备的铁纳米岛控制相分离尺度以及原始铁磁畴百分比，使其略低于渗流阈值；通过施加小磁场，诱导铁磁畴长大形成渗流，在低场下实现庞磁阻效应。本发明制备方法简单，器件可以同时满足在低场和室温下实现庞磁阻效应，是自旋电子学领域的重大突破，对于传感、存储、类脑计算等应用意义重大。