公开(公告)号：CN100543586C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200710004363.2

申请日：2007-01-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·施奈德 ,  黎家辉 ,  R·J·贝扎马 ,  D·L·戈德法布

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683

CPC classification number: G03D3/02 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70716 ,  G03F7/70916 ,  H01L21/68735

Abstract: 一种用于在浸入式光刻中减少污染物的装置，包括具有卡盘晶片的晶片卡盘组件，该卡盘晶片配置为在其支撑表面上保持半导体晶片。在晶片卡盘中具有缝隙，该缝隙与晶片的外边缘相邻，并且该缝隙中包含一定量的浸入式光刻液体。在晶片卡盘中配置液体循环路径，以便促进在缝隙中的浸入式光刻液体的向外辐射运动，从而相对于半导体晶片的上表面，将浸入式光刻液体的弯月面保持在选定高度。

公开(公告)号：CN101008790A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200710004363.2

申请日：2007-01-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·施奈德 ,  黎家辉 ,  R·J·贝扎马 ,  D·L·戈德法布

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683

CPC classification number: G03D3/02 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70716 ,  G03F7/70916 ,  H01L21/68735

Abstract: 一种用于在浸入式光刻中减少污染物的装置，包括具有卡盘晶片的晶片卡盘组件，该卡盘晶片配置为在其支撑表面上保持半导体晶片。在晶片卡盘中具有缝隙，该缝隙与晶片的外边缘相邻，并且该缝隙中包含一定量的浸入式光刻液体。在晶片卡盘中配置液体循环路径，以便促进在缝隙中的浸入式光刻液体的向外辐射运动，从而相对于半导体晶片的上表面，将浸入式光刻液体的弯月面保持在选定高度。

公开(公告)号：CN1873536A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610085093.8

申请日：2006-05-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·L·戈德法布 ,  S·J·霍姆斯 ,  D·A·科利斯 ,  D·吉奥 ,  D·施奈德 ,  K·希梅尔 ,  D·V·霍拉克 ,  K·E·彼得里洛

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/42 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/2041 ,  G03F7/11 ,  Y10S430/162

Abstract: 一种在光致抗蚀层中形成图像的方法。该方法包括提供基材；在基材上形成光致抗蚀层；在光致抗蚀层上形成污染吸除面层，该污染吸除面层包括一种或多种聚合物和一种或多种阳离子络合剂；透过含有不透明和透明区域的光掩模使光致抗蚀层暴露在光化辐射下，不透明区域遮蔽了光化辐射而透明区域可透过光化辐射，光化辐射改变了光致抗蚀层中受到辐射的区域的化学组成，从而在光致抗蚀层中形成曝光和未曝光区域；以及去除光致抗蚀层的曝光区域或光致抗蚀层的未曝光区域。污染吸除面层包括一种或多种聚合物、一种或多种阳离子络合剂和铸膜溶剂。