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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109844772A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780064786.5
申请日：2017-10-25
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06N3/04
Abstract: 一种存储器单元结构，包括：包含多个单元组件的突触存储器单元，所述多个单元组件中的每一个包括至少一个单位单元；多个写入线，被配置为将突触状态写入该突触存储器单元，所述多个写入线中的每一个用于通过将第二组预定数量的状态写入到所述多个单元组件的相应单元组件中包括的单位单元而将第一组预定数量的状态写入所述相应单元组件，所述第一组依赖于所述第二组和包括在所述相应单元组件中的至少一个单位单元的数量；读取线，被配置为从突触存储器单元读取突触状态，所述读取线被用于同时从所述多个单元组件的全体读取所述第一组预定数量的状态之一。
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公开(公告)号：CN111587440B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201980008114.1
申请日：2019-01-07
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06N3/02
Abstract: 神经形态芯片包括突触单元，所述突触单元包括各自的电阻性器件、轴突线路、树突线路和开关。所述突触单元连接到轴突线路和树突线路以形成交叉阵列。所述轴突线路被配置为接收输入数据并将所述输入数据提供给所述突触单元。所述树突线路被配置为接收输出数据并且经由一个或多个相应输出线提供所述输出数据。所述开关中的给定的一个开关被配置为将输入端子连接到一个或多个输入线，并且将所述给定的一个开关的一个或多个输出端子可变地连接到给定的一个或多个轴突线路。
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公开(公告)号：CN116710937A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202180082612.8
申请日：2021-11-17
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06N20/00
Abstract: 一种神经形态突触阵列，包括：多个突触阵列单元，所述多个突触阵列单元通过电路连接，使得所述突触阵列单元被分配给阵列的行和列，所述突触阵列单元分别具有单极性突触权重，所述行分别连接到所述突触阵列单元的相应输入端，所述列分别连接到所述突触阵列单元的相应输出端，在所述阵列的列中排列的所述突触阵列单元被定义为操作列阵列；以及电流镜阵列，每个电流镜呈现N：1的镜比率，其中N是所述突触阵列单元的列的数量，分别连接到相应行使得与所有所述电流镜对应的权重被设置为在学习阶段期间被更新的所有所述突触阵列单元的平均权重。
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公开(公告)号：CN111587440A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201980008114.1
申请日：2019-01-07
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06N3/02
Abstract: 神经形态芯片包括突触单元，所述突触单元包括各自的电阻性器件、轴突线路、树突线路和开关。所述突触单元连接到轴突线路和树突线路以形成交叉阵列。所述轴突线路被配置为接收输入数据并将所述输入数据提供给所述突触单元。所述树突线路被配置为接收输出数据并且经由一个或多个相应输出线提供所述输出数据。所述开关中的给定的一个开关被配置为将输入端子连接到一个或多个输入线，并且将所述给定的一个开关的一个或多个输出端子可变地连接到给定的一个或多个轴突线路。
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公开(公告)号：CN112805783A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201980065342.2
申请日：2019-10-02
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 神经形态电路(500)包括交叉开关突触阵列单元。所述交叉开关突触阵列单元包括互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管(T6)，所述CMOS晶体管(T6)的导通电阻由所述CMOS晶体管(T6)的栅极电压控制，以更新所述交叉开关突触阵列单元的权重。神经形态电路(500)还包括一组行线，所述一组行线分别将所述突触阵列单元与所述突触阵列单元的第一端的多个突触前神经元串联连接。神经形态电路(500)还包括一组列线，所述一组列线分别将所述突触阵列单元与所述突触阵列单元的第二端的多个突触后神经元串联连接。通过执行电荷共享技术来控制所述CMOS晶体管(T6)的所述栅极电压，所述电荷共享技术使用与所述一组行线和所述一组列线对齐的单元控制线上的不重叠脉冲来更新所述交叉开关突触阵列单元的所述权重。
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