公开(公告)号：CN101257039A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810082261.7

申请日：2008-02-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 斯蒂芬·H.·沃尔德曼 ,  罗伯特·M.·拉塞尔 ,  布拉德利·A.·奥纳 ,  戴维·C.·谢里丹

IPC: H01L29/00 ,  H01L21/328

CPC classification number: H01L21/763 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/732

Abstract: 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。通过向初始半导体衬底的区域进行掺杂剂的离子注入，然后外延生长半导体材料，形成位于超出常规离子注入范围的深度处的远次集电极或埋置掺杂半导体层。通过从沉积在与远次集电极邻接的至少一个深沟槽中的掺杂材料层向外扩散掺杂剂来形成到达该远次集电极的穿通区域。可以围绕所述至少一个深沟槽或仅在所述至少一个深沟槽的一侧形成所述穿通区域。如果所述至少一个沟槽的内部与所述穿通区域电连接，则可以在所述至少一个沟槽内的掺杂填充材料上形成金属接触件。如果所述至少一个沟槽的内部不与所述穿通区域电连接，则在接触所述穿通区域的辅助穿通区域上形成金属接触件。

公开(公告)号：CN1873920B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN200610087754.0

申请日：2006-05-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 路易斯·D.·兰泽洛蒂 ,  杰伊·莱斯科 ,  斯蒂芬·A.·圣昂格 ,  戴维·C.·谢里登 ,  布拉德利·A.·奥纳 ,  道格拉斯·D.·库尔鲍

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/8222 ,  H01L21/266 ,  H01L27/0825 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/36

Abstract: 公开了用散射的离子来形成集电极的变化的杂质分布同时形成子集电极的方法。在一个实施方案中，本发明包括：提供衬底；在衬底上形成包括第一尺度的第一开口的掩模层；以及基本上同时通过第一开口在衬底(子集电极)中第一深度处形成第一杂质区和在衬底中不同于第一深度的第二深度处形成第二杂质区。利用第一尺度的尺寸，亦即第一开口到器件有源区的距离，能够控制器件的击穿电压。利用单个掩模和单个注入，大量不同尺寸的开口可以被用来提供击穿电压不同的器件。还公开了一种半导体器件。

公开(公告)号：CN101257039B

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200810082261.7

申请日：2008-02-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 斯蒂芬·H.·沃尔德曼 ,  罗伯特·M.·拉塞尔 ,  布拉德利·A.·奥纳 ,  戴维·C.·谢里丹

IPC: H01L29/00 ,  H01L21/328

CPC classification number: H01L21/763 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/732

Abstract: 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。通过向初始半导体衬底的区域进行掺杂剂的离子注入，然后外延生长半导体材料，形成位于超出常规离子注入范围的深度处的远次集电极或埋置掺杂半导体层。通过从沉积在与远次集电极邻接的至少一个深沟槽中的掺杂材料层向外扩散掺杂剂来形成到达该远次集电极的穿通区域。可以围绕所述至少一个深沟槽或仅在所述至少一个深沟槽的一侧形成所述穿通区域。如果所述至少一个沟槽的内部与所述穿通区域电连接，则可以在所述至少一个沟槽内的掺杂填充材料上形成金属接触件。如果所述至少一个沟槽的内部不与所述穿通区域电连接，则在接触所述穿通区域的辅助穿通区域上形成金属接触件。

公开(公告)号：CN101076896B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200580011225.6

申请日：2005-04-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 彼得·J.·杰斯 ,  埃尔文·J.·约瑟夫 ,  刘奇志 ,  布拉德利·A.·奥纳

IPC: H01L31/072

CPC classification number: H01L29/0804 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66287

Abstract: 公开了一种双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)或NPN/PNP器件，具有集电极(112)、集电极上方的本征基底(118)、与集电极相邻的浅沟槽隔离区(114)、本征基底上方的升高的非本征基底(202)、非本征基底上方的T形发射极(800)、与发射极相邻的隔层(700)、以及由隔层与发射极隔开的硅化物(400)层。

公开(公告)号：CN101076896A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200580011225.6

申请日：2005-04-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 彼得·J.·杰斯 ,  埃尔文·J.·约瑟夫 ,  刘奇志 ,  布拉德利·A.·奥纳

IPC: H01L31/072

CPC classification number: H01L29/0804 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66287

Abstract: 公开了一种双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)或NPN/PNP器件，具有集电极(112)、集电极上方的本征基底(118)、与集电极相邻的浅沟槽隔离区(114)、本征基底上方的升高的非本征基底(202)、非本征基底上方的T形发射极(800)、与发射极相邻的隔层(700)、以及由隔层与发射极隔开的硅化物(400)层。

公开(公告)号：CN1873920A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610087754.0

申请日：2006-05-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 路易斯·D.·兰泽洛蒂 ,  杰伊·莱斯科 ,  斯蒂芬·A.·圣昂格 ,  戴维·C.·谢里登 ,  布拉德利·A.·奥纳 ,  道格拉斯·D.·库尔鲍

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/8222 ,  H01L21/266 ,  H01L27/0825 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/36

Abstract: 公开了用散射的离子来形成集电极的变化的杂质分布同时形成子集电极的方法。在一个实施方案中，本发明包括：提供衬底；在衬底上形成包括第一尺度的第一开口的掩模层；以及基本上同时通过第一开口在衬底(子集电极)中第一深度处形成第一杂质区和在衬底中不同于第一深度的第二深度处形成第二杂质区。利用第一尺度的尺寸，亦即第一开口到器件有源区的距离，能够控制器件的击穿电压。利用单个掩模和单个注入，大量不同尺寸的开口可以被用来提供击穿电压不同的器件。还公开了一种半导体器件。