公开了用散射的离子来形成集电极的变化的杂质分布同时形成子集电极的方法。在一个实施方案中，本发明包括：提供衬底；在衬底上形成包括第一尺度的第一开口的掩模层；以及基本上同时通过第一开口在衬底(子集电极)中第一深度处形成第一杂质区和在衬底中不同于第一深度的第二深度处形成第二杂质区。利用第一尺度的尺寸，亦即第一开口到器件有源区的距离，能够控制器件的击穿电压。利用单个掩模和单个注入，大量不同尺寸的开口可以被用来提供击穿电压不同的器件。还公开了一种半导体器件。