晶体管器件缺陷分析方法及系统

    公开(公告)号:CN118011175B

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202410420863.8

    申请日:2024-04-09

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明提供一种晶体管器件缺陷分析方法及系统,涉及半导体器件检测领域。分析方法包括:搭建缺陷检测平台,并检测缺陷检测样品的初始瞬态电容;其中,缺陷检测样品包括在衬底上形成的多个晶体管器件,晶体管器件具有金属/氧化物/半导体层叠结构,每一晶体管器件的栅极通过梳状导电结构连接至第一引脚,缺陷检测样品的衬底连接至第二引脚;搭建电磁干扰平台,并对缺陷检测样品进行电磁干扰;检测损伤瞬态电容;基于初始瞬态电容确定初始缺陷能级和初始缺陷浓度,基于损伤瞬态电容确定损伤缺陷能级和损伤缺陷浓度;确定缺陷检测样品的电磁损伤程度。通过本发明提供的分析方法,能够探测晶体管器件的微观缺陷,准确测量晶体管器件的缺陷能级。

    探针卡及晶圆测试系统
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117647668A

    公开(公告)日:2024-03-05

    申请号:CN202311390319.5

    申请日:2023-10-25

    IPC分类号: G01R1/073 G01R31/26

    摘要: 本发明提供一种探针卡及晶圆测试系统,涉及晶圆测试领域,探针卡包括:信号转发模块和依次连接的激励装置、压电晶片与探针模块;信号转发模块用于转发检测信号和反馈信号;探针模块用于通过焊垫将检测信号发送给晶圆,并通过焊垫接收晶圆发送的反馈信号;激励装置用于输出交变电压;压电晶片用于基于激励装置输出交变电压,发生周期性形变,从而产生机械振动,以带动探针模块在焊垫上表面来回振动,使得探针模块划破焊垫上表面的氧化层与焊垫形成欧姆接触。通过本发明提供的探针卡,能够在减小针尖对焊垫施加的应力的同时,保证探针和焊垫形成良好欧姆接触,以减少探针积屑或烧针,提高晶圆测试精确度和探针寿命。