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公开(公告)号：CN115588593A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211366061.0
申请日：2022-11-03
申请人： 国网内蒙古东部电力有限公司赤峰供电公司 , 西安西电伊顿电力科技有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明涉及电气设备技术领域，且公开了一种气体绝缘的隔离开关，包括支架、操作机构和相柱，所述支架的内部固定有所述操作机构，且所述支架的顶部固定有所述相柱，所述相柱包括隔离断口套管和支撑绝缘子，所述隔离断口套管的顶部固定有上接线端子，且所述隔离断口套管的底部固定有下接线端子，所述下接线端子的底部固定有所述支撑绝缘子，所述上接线端子的底部中间处位于所述隔离断口套管的内部固定有隔离断口静触头装配；本发明有效解决了户外隔离触头受环境影响导致的发热问题，同时有效解决了传动卡涩导致隔离分合闸不到位以及机械损伤故障的问题，另外超长开距的设计以及内部填充的SF6气体，使隔离开关整体具有很高的绝缘可靠性。
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公开(公告)号：CN117672762A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311684605.2
申请日：2023-12-08
申请人： 国网内蒙古东部电力有限公司赤峰供电公司 , 国家电网有限公司 , 西安西电伊顿电力科技有限公司
IPC分类号： H01H33/06
摘要： 本发明公开了一种接地开关，包括：壳体、静触头部件、动触头部件、第一分隔部件、第二分隔部件、第一弹簧以及驱动器；静触头部件上具有导电套，第二分隔部件上形成有绝缘柱，动触头部件上形成有导电柱；在接地开关从闭合状态切换至断开状态过程中，绝缘柱插入至导电套的同时导电柱退出导电套，从而能够有效抑制电弧。
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公开(公告)号：CN112968128A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110132481.1
申请日：2021-01-31
申请人： 国家电网有限公司 , 国网内蒙古东部电力有限公司赤峰供电公司 , 东北电力大学
摘要： 一种蒸发水热两步生长锑基薄膜材料的方法和薄膜太阳电池，蒸发/水热两步生长锑基薄膜材料的方法，是采用蒸发/水热两步法制备锑基电子传输吸光薄膜，所述的锑基电子传输吸光薄膜是Sb2S3电子传输吸光薄膜、Sb2Se3电子传输吸光薄膜和Sb2S3/Sb2Se3渐变带隙电子传输吸光薄膜中的一种。一种采用锑基薄膜材料制备的锑基薄膜太阳电池，包括有依次叠放的锑基电子传输吸光薄膜、空穴传输层和金属电极层。本发明先用快速热蒸发法生长锑基薄膜，之后采用水热法完成后续薄膜的生长。通过水热法继续生长的锑基薄膜表面平整致密，可以起到钝化锑基薄膜表面缺陷和优化界面特性的效果，有效的解决了因快速热蒸发法所造成的薄膜表面起伏度高，不平整的问题。
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公开(公告)号：CN112968128B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202110132481.1
申请日：2021-01-31
申请人： 国家电网有限公司 , 国网内蒙古东部电力有限公司赤峰供电公司 , 东北电力大学
摘要： 一种蒸发水热两步生长锑基薄膜材料的方法和薄膜太阳电池，蒸发/水热两步生长锑基薄膜材料的方法，是采用蒸发/水热两步法制备锑基电子传输吸光薄膜，所述的锑基电子传输吸光薄膜是Sb2S3电子传输吸光薄膜、Sb2Se3电子传输吸光薄膜和Sb2S3/Sb2Se3渐变带隙电子传输吸光薄膜中的一种。一种采用锑基薄膜材料制备的锑基薄膜太阳电池，包括有依次叠放的锑基电子传输吸光薄膜、空穴传输层和金属电极层。本发明先用快速热蒸发法生长锑基薄膜，之后采用水热法完成后续薄膜的生长。通过水热法继续生长的锑基薄膜表面平整致密，可以起到钝化锑基薄膜表面缺陷和优化界面特性的效果，有效的解决了因快速热蒸发法所造成的薄膜表面起伏度高，不平整的问题。
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公开(公告)号：CN112968133A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110132474.1
申请日：2021-01-31
申请人： 国家电网有限公司 , 国网内蒙古东部电力有限公司赤峰供电公司 , 东北电力大学
摘要： 一种太阳电池用CdO电子传输层的制备方法和薄膜太阳电池，CdO电子传输层的制备方法是采用喷雾热解法：将Cd(CH3COO)2溶于去离子水中，配制Cd(CH3COO)2水溶液；清洗透明导电薄膜作为衬底；采用超声喷雾设备在衬底上喷涂Cd(CH3COO)2水溶液，得到附在衬底上的厚度为20～200nm的CdO薄膜，与衬底共同构成太阳电池用CdO电子传输层。具有太阳电池用CdO电子传输层的薄膜太阳电池，包括有依次叠放的玻璃、CdO电子传输层、吸光层、空穴传输层和金属电极层。本发明具有原材料丰富、制备工艺简单、反应温度低、成本低的特点，适用于工业化大规模生产。将CdO薄膜作为电子传输层，能够增加太阳电池的性价比，而且电池质量好，使用寿命长。
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公开(公告)号：CN219842470U
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202321207464.0
申请日：2023-05-18
申请人： 国家电网有限公司 , 国网内蒙古东部电力有限公司赤峰供电公司
发明人： 王乾力 , 张俊双 , 张国彦 , 谭继锐 , 唐亚夫 , 郭洪武 , 张勇 , 栾景春 , 苏新永 , 陈必赤 , 郭宏杰 , 苗春雨 , 娄博闻 , 郭静 , 邱颖 , 陈雪 , 顾忠一 , 斯钦图 , 薛雪 , 马一鸣
摘要： 本实用新型涉及消谐器电流采集传感器技术领域，具体为一种消谐器电流采集传感器安装结构，包括消谐器外壳和电流采集传感器，所述消谐器外壳的内部后端面两侧对称固定设置有内安装块，所述内安装块上开设有安装圆弧孔，且内安装块上开设有移动槽，所述移动槽与安装圆弧孔贯通，所述电流采集传感器的后端面中间位置上固定设置有后端板，改变传统的螺钉安装方式，通过半圆盘插板和安装圆弧孔的配合将电流采集传感器安装在消谐器的内部，且通过限位顶块的作用下使得半圆盘插板处于固定状态，进而使其稳定插接在安装圆弧孔中，保证电流采集传感器的稳定安装，操作简单方便，无需工具。
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公开(公告)号：CN110444414B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201910660837.1
申请日：2019-07-22
申请人： 国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院 , 河北清华发展研究院 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明涉及一种铜基铬二铌电触头材料，包括纯铜层以及形成在所述纯铜层上的复合层，所述复合层包括依次层叠设置的多层Cu‑Cr2Nb合金层，每层所述Cu‑Cr2Nb合金层包括不同质量百分含量的Cu和Cr2Nb，且所述Cu和Cr2Nb的质量百分含量在厚度方向上呈梯度分布，从所述纯铜层往上，每层所述Cu‑Cr2Nb合金层中Cr2Nb质量百分含量依次增加。
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公开(公告)号：CN110444414A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910660837.1
申请日：2019-07-22
申请人： 国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院 , 河北清华发展研究院 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明涉及一种铜基铬二铌电触头材料，包括纯铜层以及形成在所述纯铜层上的复合层，所述复合层包括依次层叠设置的多层Cu-Cr2Nb合金层，每层所述Cu-Cr2Nb合金层包括不同质量百分含量的Cu和Cr2Nb，且所述Cu和Cr2Nb的质量百分含量在厚度方向上呈梯度分布，从所述纯铜层往上，每层所述Cu-Cr2Nb合金层中Cr2Nb质量百分含量依次增加。
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公开(公告)号：CN111986949A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010710828.1
申请日：2020-07-22
申请人： 国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院 , 河北清华发展研究院 , 国家电网有限公司
摘要： 本申请提供了一种隔离负荷开关，包括第一主触头、第一导电杆、第二主触头、第二导电杆、第一辅助触头和第二辅助触头。第一导电杆设置于第一主触头，且第一导电杆的延伸方向与第一主触头的延伸方向垂直。第二主触头与第一主触头接触电连接。第二导电杆设置于第二主触头，且第二导电杆的延伸方向与第二主触头的延伸方向垂直。第一辅助触头设置于第一导电杆远离第一主触头的一侧。第二辅助触头设置于第二导电杆远离第二主触头的一侧。第二辅助触头与第一辅助触头接触电连接。当隔离负荷开关断开时，第一主触头与第二主触头分离并断开电连接。当第一主触头与第二主触头之间断开后，第一辅助触头与第二辅助触头分离并断开电连接。
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公开(公告)号：CN115980110A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211509650.X
申请日：2022-11-29
申请人： 国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司 , 西安西电高压开关有限责任公司
IPC分类号： G01N23/223
摘要： 本发明属于金属镀层检测技术领域，为了解决X射线荧光检测法无法直接测量曲面镀层厚度的问题，提供了一种曲面样品的金属镀层检测方法及系统。其中，该方法包括利用校准后的X射线荧光检测仪，测量曲面样品的金属镀层厚度；根据金属镀层厚度测量值与设计厚度的差值，确定曲面样品的金属镀层是否合格；其中，X射线荧光检测仪的校准过程为：选取与曲面样品金属镀层设计厚度最接近的平面标准块，并利用平面标准块对未校准的X射线荧光检测仪进行初始校准；在平面标准块上垂直增设一间隔厚度为S的间隔块，再对初始校准的X射线荧光检测仪进行最终校准；其中，S＝r‑r*cosθ，r为曲面样品的曲率半径；θ为当射线从弧顶垂直入射后，射线与弧面法线的最大角度。
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