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公开(公告)号：CN113687379B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202110820635.6
申请日：2021-07-20
申请人： 国网内蒙古东部电力有限公司 , 国网内蒙古东部电力有限公司兴安供电公司 , 国家电网有限公司 , 清研自动化技术(洛阳)有限公司
摘要： 本发明涉及降低接收光路背景杂散光干扰的系统及其降扰方法，其中系统包括包括激光发射准直头、窄带滤光片、第一45°反射镜、第二45°反射镜、非球面透镜、光栏、光电探测器和反射镜；激光发射准直头生成发射激光束，发射激光束依次经反射镜、第二45°反射镜、第一45°反射镜、窄带滤光片后照射在目标物上，发射激光束在目标物上发生反射后生成回波激光束；所述回波激光束依次经过窄带滤光片、第一45°反射镜、第二45°反射镜、非球面透镜、光栏后到达光电探测器。本发明通过增加接收光程，减小接收视场角，确保能接收到大部分回波激光束的同时减小太阳辐射的背景杂散光送入到光电探测器，从而提高信噪比，并实现仪器小型化及轻量化设计。
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公开(公告)号：CN113765520A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202011339509.0
申请日：2020-11-25
申请人： 国网内蒙古东部电力有限公司 , 国网内蒙古东部电力有限公司兴安供电公司 , 国家电网有限公司 , 清研自动化技术(洛阳)有限公司
IPC分类号： H03M1/12 , G05B19/042
摘要： 多路高速ADC采样FPGA回波全波形采样的方法包括以下步骤：1)：激光器发射脉冲信号，激光打在待测目标上产生回波信号；2)：APD光电探照器将待测目标漫反射回来的回波信号转换成电信号；3)：将步骤(2)中的电信号用AGC进行放大；4)：高频时钟源芯片输出的多路同频率带有设定固定相位差的时钟信号同时给高速ADC作为采样时钟，多路高速ADC同时采样将多路高速ADC的采样数据拼接成一个ADC采样数据；5)：将拼接后的ADC采样数据重新存储于FPGA处理器的FIFO里；本发明采用多路ADC并行采样的方式实现ADC数据内插，用高速ADC采样方式实现类似超高速ADC更高数据采集率，降低了设计难、降低了ADC成本还保证了高速数据采样的速率。
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公开(公告)号：CN113687379A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110820635.6
申请日：2021-07-20
申请人： 国网内蒙古东部电力有限公司 , 国网内蒙古东部电力有限公司兴安供电公司 , 国家电网有限公司 , 清研自动化技术(洛阳)有限公司
摘要： 本发明涉及降低接收光路背景杂散光干扰的系统及其降扰方法，其中系统包括包括激光发射准直头、窄带滤光片、第一45°反射镜、第二45°反射镜、非球面透镜、光栏、光电探测器和反射镜；激光发射准直头生成发射激光束，发射激光束依次经反射镜、第二45°反射镜、第一45°反射镜、窄带滤光片后照射在目标物上，发射激光束在目标物上发生反射后生成回波激光束；所述回波激光束依次经过窄带滤光片、第一45°反射镜、第二45°反射镜、非球面透镜、光栏后到达光电探测器。本发明通过增加接收光程，减小接收视场角，确保能接收到大部分回波激光束的同时减小太阳辐射的背景杂散光送入到光电探测器，从而提高信噪比，并实现仪器小型化及轻量化设计。
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公开(公告)号：CN115588593A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211366061.0
申请日：2022-11-03
申请人： 国网内蒙古东部电力有限公司赤峰供电公司 , 西安西电伊顿电力科技有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明涉及电气设备技术领域，且公开了一种气体绝缘的隔离开关，包括支架、操作机构和相柱，所述支架的内部固定有所述操作机构，且所述支架的顶部固定有所述相柱，所述相柱包括隔离断口套管和支撑绝缘子，所述隔离断口套管的顶部固定有上接线端子，且所述隔离断口套管的底部固定有下接线端子，所述下接线端子的底部固定有所述支撑绝缘子，所述上接线端子的底部中间处位于所述隔离断口套管的内部固定有隔离断口静触头装配；本发明有效解决了户外隔离触头受环境影响导致的发热问题，同时有效解决了传动卡涩导致隔离分合闸不到位以及机械损伤故障的问题，另外超长开距的设计以及内部填充的SF6气体，使隔离开关整体具有很高的绝缘可靠性。
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公开(公告)号：CN110444414B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201910660837.1
申请日：2019-07-22
申请人： 国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院 , 河北清华发展研究院 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明涉及一种铜基铬二铌电触头材料，包括纯铜层以及形成在所述纯铜层上的复合层，所述复合层包括依次层叠设置的多层Cu‑Cr2Nb合金层，每层所述Cu‑Cr2Nb合金层包括不同质量百分含量的Cu和Cr2Nb，且所述Cu和Cr2Nb的质量百分含量在厚度方向上呈梯度分布，从所述纯铜层往上，每层所述Cu‑Cr2Nb合金层中Cr2Nb质量百分含量依次增加。
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公开(公告)号：CN112968128A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110132481.1
申请日：2021-01-31
申请人： 国家电网有限公司 , 国网内蒙古东部电力有限公司赤峰供电公司 , 东北电力大学
摘要： 一种蒸发水热两步生长锑基薄膜材料的方法和薄膜太阳电池，蒸发/水热两步生长锑基薄膜材料的方法，是采用蒸发/水热两步法制备锑基电子传输吸光薄膜，所述的锑基电子传输吸光薄膜是Sb2S3电子传输吸光薄膜、Sb2Se3电子传输吸光薄膜和Sb2S3/Sb2Se3渐变带隙电子传输吸光薄膜中的一种。一种采用锑基薄膜材料制备的锑基薄膜太阳电池，包括有依次叠放的锑基电子传输吸光薄膜、空穴传输层和金属电极层。本发明先用快速热蒸发法生长锑基薄膜，之后采用水热法完成后续薄膜的生长。通过水热法继续生长的锑基薄膜表面平整致密，可以起到钝化锑基薄膜表面缺陷和优化界面特性的效果，有效的解决了因快速热蒸发法所造成的薄膜表面起伏度高，不平整的问题。
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公开(公告)号：CN110444414A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910660837.1
申请日：2019-07-22
申请人： 国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院 , 河北清华发展研究院 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明涉及一种铜基铬二铌电触头材料，包括纯铜层以及形成在所述纯铜层上的复合层，所述复合层包括依次层叠设置的多层Cu-Cr2Nb合金层，每层所述Cu-Cr2Nb合金层包括不同质量百分含量的Cu和Cr2Nb，且所述Cu和Cr2Nb的质量百分含量在厚度方向上呈梯度分布，从所述纯铜层往上，每层所述Cu-Cr2Nb合金层中Cr2Nb质量百分含量依次增加。
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公开(公告)号：CN117672762A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311684605.2
申请日：2023-12-08
申请人： 国网内蒙古东部电力有限公司赤峰供电公司 , 国家电网有限公司 , 西安西电伊顿电力科技有限公司
IPC分类号： H01H33/06
摘要： 本发明公开了一种接地开关，包括：壳体、静触头部件、动触头部件、第一分隔部件、第二分隔部件、第一弹簧以及驱动器；静触头部件上具有导电套，第二分隔部件上形成有绝缘柱，动触头部件上形成有导电柱；在接地开关从闭合状态切换至断开状态过程中，绝缘柱插入至导电套的同时导电柱退出导电套，从而能够有效抑制电弧。
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公开(公告)号：CN112968128B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202110132481.1
申请日：2021-01-31
申请人： 国家电网有限公司 , 国网内蒙古东部电力有限公司赤峰供电公司 , 东北电力大学
摘要： 一种蒸发水热两步生长锑基薄膜材料的方法和薄膜太阳电池，蒸发/水热两步生长锑基薄膜材料的方法，是采用蒸发/水热两步法制备锑基电子传输吸光薄膜，所述的锑基电子传输吸光薄膜是Sb2S3电子传输吸光薄膜、Sb2Se3电子传输吸光薄膜和Sb2S3/Sb2Se3渐变带隙电子传输吸光薄膜中的一种。一种采用锑基薄膜材料制备的锑基薄膜太阳电池，包括有依次叠放的锑基电子传输吸光薄膜、空穴传输层和金属电极层。本发明先用快速热蒸发法生长锑基薄膜，之后采用水热法完成后续薄膜的生长。通过水热法继续生长的锑基薄膜表面平整致密，可以起到钝化锑基薄膜表面缺陷和优化界面特性的效果，有效的解决了因快速热蒸发法所造成的薄膜表面起伏度高，不平整的问题。
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公开(公告)号：CN112968133A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110132474.1
申请日：2021-01-31
申请人： 国家电网有限公司 , 国网内蒙古东部电力有限公司赤峰供电公司 , 东北电力大学
摘要： 一种太阳电池用CdO电子传输层的制备方法和薄膜太阳电池，CdO电子传输层的制备方法是采用喷雾热解法：将Cd(CH3COO)2溶于去离子水中，配制Cd(CH3COO)2水溶液；清洗透明导电薄膜作为衬底；采用超声喷雾设备在衬底上喷涂Cd(CH3COO)2水溶液，得到附在衬底上的厚度为20～200nm的CdO薄膜，与衬底共同构成太阳电池用CdO电子传输层。具有太阳电池用CdO电子传输层的薄膜太阳电池，包括有依次叠放的玻璃、CdO电子传输层、吸光层、空穴传输层和金属电极层。本发明具有原材料丰富、制备工艺简单、反应温度低、成本低的特点，适用于工业化大规模生产。将CdO薄膜作为电子传输层，能够增加太阳电池的性价比，而且电池质量好，使用寿命长。
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