面向PUF的BCH纠错码硬件电路实现方法及BCH译码器

    公开(公告)号:CN113972917A

    公开(公告)日:2022-01-25

    申请号:CN202010714989.8

    申请日:2020-07-23

    Abstract: 本发明公开一种面向PUF的BCH纠错码硬件电路实现方法及BCH译码器,利用二进制BCH纠错码的对数表和反对数表,将采用有限域乘法器实现的有限域乘法功能转换到实数域实现。本发明对数表/反对数表主要借助组合逻辑电路实现,在满足算法要求的基础上尽可能减小芯片面积,不需要占用flash等结构的存储(使用存储的方案也可以实现),通过对求余和负数的处理,进一步达到了减小芯片面积和功耗的目的。

    一种碳化硅增强型铝基复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102618740A

    公开(公告)日:2012-08-01

    申请号:CN201110444069.X

    申请日:2011-12-27

    Abstract: 本发明涉及一种碳化硅增强型铝基复合材料及其制备方法,其特征为该复合材料由微米级和纳米级的beta相碳化硅球形颗粒与铝基体复合而成,其中beta相碳化硅球形颗粒分布于铝基体形成协同增强相。其制备方法概括来看主要为预制备beta相碳化硅球形颗粒,并将铝基体粉末和占复合材料重量百分比0~25%的beta相碳化硅球形颗粒加入球磨机中进行球磨处理,并顺次进行冷压成型,烧结,空气热压,最终热挤压成型制得复合材料成型产品,其中铝基体粉末的粒径为1μm~100μm。应用本发明的技术方案,创新性地使用了球形颗粒状beta相碳化硅且利用微米和纳米碳化硅颗粒协同强化作用,大幅提升了铝基复合材料的具强度、韧性以及耐磨性等,并且制备工艺简单,有效降低了成本投入。

    单片集成的HEMT太赫兹探测器阵列结构及其应用

    公开(公告)号:CN115773814A

    公开(公告)日:2023-03-10

    申请号:CN202111030712.4

    申请日:2021-09-06

    Abstract: 本发明公开了一种单片集成的HEMT太赫兹探测器阵列结构及其应用。所述太赫兹探测器阵列结构包括呈阵列排布的多个太赫兹探测单元,每一太赫兹探测单元内包括太赫兹探测器、放大器模块和开关模块,太赫兹探测器与放大器模块、开关模块电连接,其中,放大器模块用于将太赫兹探测单元内产生的响应信号放大后通过开关模块输出。本发明通过全HEMT工艺,将太赫兹探测器、放大器模块和开关模块集成于同一太赫兹探测器阵列芯片上,实现了高增益、高带宽、低噪声的太赫兹探测器,提升了探测器的灵敏度,并节约了成本。

    碳纳米管改性有机硅树脂基复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN104559187B

    公开(公告)日:2017-06-16

    申请号:CN201510055691.X

    申请日:2015-02-03

    Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管改性有机硅树脂基复合材料的制备方法,包括以下步骤:1)先用溶剂将碳纳米管分散,再包裹一层表面活性剂,然后加热使溶剂挥发,得到分散均匀的干燥的碳纳米管;2)用有机溶剂将有机硅树脂稀释成50%的固含量,加入步骤1)处理后的碳纳米管,采用超声分散将碳纳米管均匀分散于稀释后的有机硅树脂中;3)将过量的有机溶剂除去,并加热固化,即可得到。本发明使用性能优异的碳纳米管作为填料,使得最终复合材料的导电性能良好。本发明的制备方法可以达到最佳的分散效果;制备工艺所需设备成本较低,操作方便,制备周期较短;所用原材料对基体和碳纳米管的结构无破坏,适用于工业化批量生产。

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