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公开(公告)号：CN105136394B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201410224753.0
申请日：2014-05-26
Applicant: 国家电网公司 , 华北电力科学研究院有限责任公司
IPC: G01M1/38
Abstract: 本发明提供了一种快速处理锅炉风机振动故障的方法及装置，该方法包括以下步骤：获取被测风机振动测点处的振动信号和键相信号；根据所述振动信号和所述键相信号判断所述被测风机是否存在振动故障；如果存在，则从动平衡历史数据库中找出与所述键相信号匹配的配重响应系数；根据所述配重响应系数和所述键相信号获取消除动不平衡所需的配重块的重量及其配重位置。本发明仅需一次启停即可有效降低振动值到设定的合格范围内，因而大大减少了处理风机振动故障过程的启停机次数，有效缩短了机组限负荷运行时间。
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公开(公告)号：CN105136394A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201410224753.0
申请日：2014-05-26
Applicant: 国家电网公司 , 华北电力科学研究院有限责任公司
IPC: G01M1/38
Abstract: 本发明提供了一种快速处理锅炉风机振动故障的方法及装置，该方法包括以下步骤：获取被测风机振动测点处的振动信号和键相信号；根据所述振动信号和所述键相信号判断所述被测风机是否存在振动故障；如果存在，则从动平衡历史数据库中找出与所述键相信号匹配的配重响应系数；根据所述配重响应系数和所述键相信号获取消除动不平衡所需的配重块的重量及其配重位置。本发明仅需一次启停即可有效降低振动值到设定的合格范围内，因而大大减少了处理风机振动故障过程的启停机次数，有效缩短了机组限负荷运行时间。
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公开(公告)号：CN107256885B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201710524879.3
申请日：2017-06-30
Applicant: 北京工业大学 , 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网河北省电力公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供了一种高可靠性绝缘栅双极晶体管(IGBT)，包括N型单晶硅衬底，位于衬底上表面的P阱，P阱深度不小于P阱结深的隔离槽及槽底氧化层，相邻隔离槽之间的浮空P阱，紧靠P阱上表面的N+源区，位于N+源区下方且与隔离槽相邻的P+浅阱，位于衬底上表面的栅氧化层，位于两P阱之间的厚度大于栅氧化层的颈区氧化层，颈区氧化层上表面依次设有二氧化硅层、多晶硅层、介质层，跨越并暴露N+源区和P+浅阱并与相邻隔离槽交叠的发射极和发射极接触孔槽，位于衬底下表面的掺杂层和集电极，在常规的自对准平面型IGBT结构基础上，加入隔离槽及槽底局域氧化层结构，改善了IGBT器件的整体性能，使之成为具有抗辐射能力的高可靠性IGBT。
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公开(公告)号：CN107644903B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201710827906.4
申请日：2017-09-14
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 江苏中科君芯科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/10
Abstract: 本发明涉及一种具有高抗短路能力的沟槽栅IGBT器件及其制备方法，其元胞区内的元胞包括两个相邻的元胞沟槽，所述两相邻元胞沟槽相邻外侧壁上方设置第二导电类型第一体区，所述第二导电类型第一体区与相应元胞沟槽的侧壁接触，所述两相邻元胞沟槽间相互远离的外侧壁上方设置第一导电类型源区，第一导电类型源区与相应的元胞沟槽侧壁接触，在制作第二导电类型第一体区时，只需要对第一导电类型源区注入的光刻版进行调整即可，在不影响IGBT器件的耐压和寄生电容情况下，降低沟槽栅IGBT的沟道密度，降低饱和电流，有效提高沟槽栅IGBT器件的抗短路能力，结构紧凑，与现有工艺兼容，安全可靠。
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公开(公告)号：CN104409485B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201410737058.4
申请日：2014-12-05
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/423 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种具有低反向传输电容抗闩锁结构的平面栅IGBT及制造方法，本发明在常规方法基础上对P阱注入进行改进，在P阱总注入剂量和总推阱时间不变的情况下采用P阱多次注入，多次推结方式，使得N+区下方P阱浓度更高，更有效的降低空穴电流流经路径的电阻，有效抑制IGBT器件大电流状态下的闩锁现象，电阻的降低同时可以降低通态压降。本发明在JFET区上方添加一层厚度1.0‑1.5μm的场氧化层，减小IGBT器件的反向传输电容，降低器件关断时反向传输电容的放电时间，减小关断损耗；通过减小IGBT器件的反向传输电容同样可以达到避免短路测试时发生LC震荡的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107799416A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201711012160.8
申请日：2017-10-26
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 江苏中科君芯科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种RC-IGBT器件的背面加工方法，其包括如下步骤：步骤1、提供制备有正面元胞结构的RC-IGBT晶圆，并将RC-IGBT晶圆的背面减薄至所需的厚度；步骤2、对RC-IGBT晶圆背面进行P型杂质离子注入；步骤3、将注入基片键合在上述RC-IGBT晶圆的背面；步骤4、将N型杂质离子注入到RC-IGBT晶圆的背面；步骤5、将注入基片与RC-IGBT晶圆的背面分离，并激活RC-IGBT晶圆背面的P型杂质离子与N型杂质离子；步骤6、对上述RC-IGBT晶圆的背面金属化。本发明工艺步骤简单，能够省去RC-IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序，有效缩短RC-IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本，与现有工艺兼容，安全可靠。
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公开(公告)号：CN107768437A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201711017439.5
申请日：2017-10-26
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 江苏中科君芯科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网山西省电力公司晋城供电公司
IPC: H01L29/739 , H01L23/488
Abstract: 本发明涉及一种用于压接式IGBT器件正面电极加工的基片，其包括能键合于压接式IGBT晶圆上方连接金属电极层的基片体，所述基片体的形状与压接式IGBT晶圆相一致，基片体上设有金属淀积图形，基片体键合于连接金属电极层上后，利用基片体的金属淀积图形能在连接金属电极层上方进行金属电极，并在基片体与连接金属电极层分离后，在连接金属电极层上得到与所述连接金属电极层电连接的压接金属电极层。本发明结构紧凑，能有效实现压接式IGBT器件正面上第二层金属电极的制备，可以省掉压接式IGBT器件正面第二层金属电极的光刻加工工序，有效缩短压接式IGBT器件的加工周期，降低加工成本，安全可靠。
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公开(公告)号：CN107658260A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710674475.2
申请日：2017-08-08
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/76237
Abstract: 本发明提供了一种在基板上形成绝缘沟槽方法及半导体器件，其中，方法包括：在基板表面待形成所述绝缘沟槽的区域中形成绝缘层，可以作为绝缘沟槽的底部，具体的厚度可以根据器件类型和使用要求进行相应的调整，在基板表面行成绝缘层比较容易实现，而且厚度和区域范围比较容易控制，再在基板形成外延层，外延层的结构可以根据半导体器件类型决定，再在外延层上形成开口暴露出绝缘层，由此可以形成绝缘沟槽，相较于现有技术，不仅可以实现控制沟槽底部的绝缘层底部厚度，改善电场分布，实现不需要额外的设备和工艺，实现过程以及实现工艺简单。
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公开(公告)号：CN107644810A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201610574275.5
申请日：2016-07-20
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC: H01L21/285 , H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/05
Abstract: 本发明提供了一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极加工方法，包括在第一金属层上方采用化学气相沉积方法形成第一薄膜层并对第一薄膜层刻蚀形成第一窗口；对第一窗口处暴露出的第一金属层进行反溅刻蚀；将第二金属层采用溅射方法生长在第一金属层和第一薄膜层形成的组合结构表面，并对第二金属层进行刻蚀；在第一薄膜层和第二金属层形成的组合结构的表面涂覆第二薄膜层，对第二薄膜层刻蚀形成用于焊接的第二窗口。与现有技术相比，本发明提供的一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极加工方法，不需要对现有设备进行改进、操作简单。
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公开(公告)号：CN107634095A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710828440.X
申请日：2017-09-14
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 江苏中科君芯科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及一种沟槽型半导体功率器件及其制备方法，其半导体基板包括第一导电类型基区，所述元胞区采用沟槽结构，元胞沟槽设置于第一导电类型基区内，元胞沟槽内设置沟槽栅结构；在每个元胞沟槽的槽底外均设置第二导电类型浮空层，所述第二导电类型浮空层包覆元胞沟槽的槽底；在每个元胞沟槽下部的外侧均设置第一导电类型浮空层，第一导电类型浮空层位于第一导电类型基区内，所述第一导电类型浮空层包裹第二导电类型浮空层以及元胞沟槽的下部，第二导电类型浮空层与第一导电类型浮空层以及元胞沟槽的槽底外壁邻接。本发明在较小的元胞尺寸下，仍同时具备较好的击穿特性和正向导通的特性，具有较宽的短路安全工作区，与现有半导体工艺兼容。
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