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公开(公告)号：CN1227724C
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN01820212.8
申请日：2001-11-29
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司 , 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/762
CPC classification number: H01L29/0653 , H01L21/7621 , H01L21/76224 , H01L21/7624 , H01L21/823418 , H01L21/823481
Abstract: 一种图样化的埋入绝缘体在源极及漏极之下形成，其方式为在本体面积上形成一掩模及注入n或p型离子于源极及漏极之形成面积中，之后蚀刻STI及蚀刻掉注入面积。随后，在STI及在蚀刻面积中以共形氧化沉积实施光氧化，因此仅在所希望之处构成埋入之氧化物。
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公开(公告)号：CN1591796A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410034206.2
申请日：2004-04-08
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司 , 国际商业机器公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/28052 , H01L21/28518
Abstract: 一种在一半导体装置上形成一自我对准金属硅化物的方法，其包括覆盖一第一耐火性金属层于一基板之硅区域之上，沉积一近贵金属层而覆盖于该第一耐火性金属层之上，以及沉积一第二耐火性金属层而覆盖于该近贵金属层之上。该半导体装置系在一第一退火步骤中进行退火，以形成邻接该半导体装置之已掺杂区域的硅化层，该近贵金属层未反应的部分以及该第二耐火性金属层系被移除，该装置可在一随意的第二退火步骤中进行退火，而将该硅化物层转变为一低电阻相硅化材料。接面漏电流及桥接系藉由本发明之实施例而被最小化或消除，并且，亦可以达成较平滑之硅化表面。
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公开(公告)号：CN100364068C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200410034206.2
申请日：2004-04-08
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司 , 国际商业机器公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/28052 , H01L21/28518
Abstract: 一种在一半导体装置上形成一自我对准金属硅化物的方法，其包括覆盖一第一耐火性金属层于一基板之硅区域之上，沉积一近贵金属层而覆盖于该第一耐火性金属层之上，以及沉积一第二耐火性金属层而覆盖于该近贵金属层之上。该半导体装置系在一第一退火步骤中进行退火，以形成邻接该半导体装置之已掺杂区域的硅化层，该近贵金属层未反应的部分以及该第二耐火性金属层系被移除，该装置可在一随意的第二退火步骤中进行退火，而将该硅化物层转变为一低电阻相硅化材料。接面漏电流及桥接系藉由本发明之实施例而被最小化或消除，并且，亦可以达成较平滑之硅化表面。
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公开(公告)号：CN1479943A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN01820212.8
申请日：2001-11-29
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司 , 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/762
CPC classification number: H01L29/0653 , H01L21/7621 , H01L21/76224 , H01L21/7624 , H01L21/823418 , H01L21/823481
Abstract: 一种图样化的埋入绝缘体在源极及漏极之下形成，其方式为在本体面积上形成一掩模及注入n或p型离子于源极及漏极之形成面积中，之后蚀刻STI及蚀刻掉注入面积。随后，在STI及在蚀刻面积中以共形氧化沉积实施光氧化，因此仅在所希望之处构成埋入之氧化物。
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