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公开(公告)号：CN100364068C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200410034206.2
申请日：2004-04-08
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司 , 国际商业机器公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/28052 , H01L21/28518
Abstract: 一种在一半导体装置上形成一自我对准金属硅化物的方法，其包括覆盖一第一耐火性金属层于一基板之硅区域之上，沉积一近贵金属层而覆盖于该第一耐火性金属层之上，以及沉积一第二耐火性金属层而覆盖于该近贵金属层之上。该半导体装置系在一第一退火步骤中进行退火，以形成邻接该半导体装置之已掺杂区域的硅化层，该近贵金属层未反应的部分以及该第二耐火性金属层系被移除，该装置可在一随意的第二退火步骤中进行退火，而将该硅化物层转变为一低电阻相硅化材料。接面漏电流及桥接系藉由本发明之实施例而被最小化或消除，并且，亦可以达成较平滑之硅化表面。
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公开(公告)号：CN1591796A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410034206.2
申请日：2004-04-08
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司 , 国际商业机器公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/28052 , H01L21/28518
Abstract: 一种在一半导体装置上形成一自我对准金属硅化物的方法，其包括覆盖一第一耐火性金属层于一基板之硅区域之上，沉积一近贵金属层而覆盖于该第一耐火性金属层之上，以及沉积一第二耐火性金属层而覆盖于该近贵金属层之上。该半导体装置系在一第一退火步骤中进行退火，以形成邻接该半导体装置之已掺杂区域的硅化层，该近贵金属层未反应的部分以及该第二耐火性金属层系被移除，该装置可在一随意的第二退火步骤中进行退火，而将该硅化物层转变为一低电阻相硅化材料。接面漏电流及桥接系藉由本发明之实施例而被最小化或消除，并且，亦可以达成较平滑之硅化表面。
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公开(公告)号：CN1274011C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200310123560.8
申请日：1999-06-09
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/288 , H01L21/445 , H01L21/324 , H01L21/477 , C22F1/08
CPC classification number: C25D5/50 , H05K1/09 , H05K3/22 , H05K2203/0723 , H05K2203/1105 , Y10T428/12431 , Y10T428/12882 , Y10T428/12903
Abstract: 一种控制沉积在底物上的薄金属膜(如铜或金)的微结构中晶粒长大的方法。在一组实施方案中，该金属膜是沉积在底物上，形成一种微细晶粒微结构的一层膜。此膜在温度70-100℃的范围内被加热至少5分钟，其中此微细晶粒微结构就被转化为稳定的大晶粒的微结构。在另一组实施方案中，在沉积步骤之后，将此电镀膜储存于温度不超过-20℃的条件下，其中在整个储存期中，此微细晶粒微结构稳定，而晶粒未长大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101542710B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200780031776.8
申请日：2007-09-06
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/76856
Abstract: 本发明的实施例提供了一种在半导体器件和后端工艺互连之间的电介质材料层中制造接触结构的方法。该方法包括在所述电介质材料层中生成至少一个接触开口；通过化学气相淀积工艺形成第一TiN膜，所述第一TiN膜对所述接触开口加衬；以及通过物理气相淀积工艺形成第二TiN膜，所述第二TiN膜对所述第一TiN膜加衬。还提供了根据本发明的实施例制造的接触结构。
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公开(公告)号：CN101542710A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780031776.8
申请日：2007-09-06
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/76856
Abstract: 本发明的实施例提供了一种在半导体器件和后端工艺互连之间的电介质材料层中制造接触结构的方法。该方法包括在所述电介质材料层中生成至少一个接触开口；通过化学气相淀积工艺形成第一TiN膜，所述第一TiN膜对所述接触开口加衬；以及通过物理气相淀积工艺形成第二TiN膜，所述第二TiN膜对所述第一TiN膜加衬。还提供了根据本发明的实施例制造的接触结构。
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公开(公告)号：CN1516243A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN200310123560.8
申请日：1999-06-09
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/288 , H01L21/445 , H01L21/324 , H01L21/477 , C22F1/08
CPC classification number: C25D5/50 , H05K1/09 , H05K3/22 , H05K2203/0723 , H05K2203/1105 , Y10T428/12431 , Y10T428/12882 , Y10T428/12903
Abstract: 一种控制沉积在底物上的薄金属膜(如铜或金)的微结构中晶粒长大的方法。在一组实施方案中，该金属膜是沉积在底物上，形成一种微细晶粒微结构的一层膜。此膜在温度70－100℃的范围内被加热至少5分钟，其中此微细晶粒微结构就被转化为稳定的大晶粒的微结构。在另一组实施方案中，在沉积步骤之后，将此电镀膜储存于温度不超过－20℃的条件下，其中在整个储存期中，此微细晶粒微结构稳定，而晶粒未长大。
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公开(公告)号：CN1156613C
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN99107192.1
申请日：1999-06-09
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: C25D5/50 , H05K1/09 , H05K3/22 , H05K2203/0723 , H05K2203/1105 , Y10T428/12431 , Y10T428/12882 , Y10T428/12903
Abstract: 一种控制沉积在底物上的薄金属膜(如铜或金)的微结构中晶粒长大的方法。在一组实施方案中，该金属膜是沉积在底物上，形成一种微细晶粒微结构的一层膜。此膜在温度70—100℃的范围内被加热至少5分钟，其中此微细晶粒微结构就被转化为稳定的大晶粒的微结构。在另一组实施方案中，在沉积步骤之后，将此电镀膜储存于温度不超过-20℃的条件下，其中在整个储存期中，此微细晶粒微结构稳定，而晶粒未长大。
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公开(公告)号：CN1238394A
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：CN99107192.1
申请日：1999-06-09
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: C25D5/48
CPC classification number: C25D5/50 , H05K1/09 , H05K3/22 , H05K2203/0723 , H05K2203/1105 , Y10T428/12431 , Y10T428/12882 , Y10T428/12903
Abstract: 一种控制沉积在底物上的薄金属膜(如铜或金)的微结构中晶粒长大的方法。在一组实施方案中，该金属膜是沉积在底物上，形成一种微细晶粒微结构的一层膜。此膜在温度70—100℃的范围内被加热至少5分钟，其中此微细晶粒微结构就被转化为稳定的大晶粒的微结构。在另一组实施方案中，在沉积步骤之后，将此电镀膜储存于温度不超过－20℃的条件下，其中在整个储存期中，此微细晶粒微结构稳定，而晶粒未长大。
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