一种宽滞后Ti-Ni-Zr-Cu记忆合金及利用其制备应力可控固态储热材料的方法

    公开(公告)号:CN118621200A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202410793108.4

    申请日:2024-06-19

    Abstract: 一种宽滞后Ti‑Ni‑Zr‑Cu记忆合金及利用其制备应力可控固态储热材料的方法,本发明属于储热合金材料领域,具体涉及一种宽滞后Ti‑Ni‑Zr‑Cu记忆合金及利用其制备应力可控固态储热材料的方法。本发明要解决当前相变储热材料所存储的热能随温度自发耗散的问题。方法:制备宽滞后Ti‑Ni‑Zr‑Cu记忆合金;马氏体相变行为测试;利用加热台将宽滞后Ti‑Ni‑Zr‑Cu记忆合金加热至高温,使其处于奥氏体相后冷却至室温;对材料施加单轴应力,利用K型热电偶测量其绝热温变。材料可以吸收大于60℃的热能并在单轴应力驱动下发生奥氏体相到马氏体相的转变,产生热效应进行热能存储与释放。

    一种Mg-Sc基轻质形状记忆合金及其获得方法

    公开(公告)号:CN118064776B

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN202410414611.4

    申请日:2024-04-08

    Abstract: 一种Mg‑Sc基轻质形状记忆合金及其获得方法,本发明涉及金属材料制备技术领域,具体涉及一种Mg‑Sc基轻质形状记忆合金及其获得方法。本发明要解决现有Mg‑Sc形状记忆合金的相变温度极低、超弹性滞后较大、成本高的问题。化学通式为Mg‑17.1875at.%Sc‑1.5625at.%X,其中X表示Co或Ge。包括:一、搭建各元素掺杂后奥氏体与马氏体模型;二、计算优化后奥氏体与马氏体相变温度、相变应变,初步确定合金掺杂元素;三、通过对相变过程的插值处理并进行计算,绘制出合金的应力应变曲线。采用第一性原理计算法从找到一种轻质Mg‑Sc基形状记忆合金,具有相变温度在室温附近、超弹性良好、成本低的优点。

    一种基于机器学习预测Ni-Mn基形状记忆合金热滞后∆Thys的方法

    公开(公告)号:CN117894387A

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202311565817.9

    申请日:2023-11-22

    Abstract: 一种基于机器学习预测Ni‑Mn基形状记忆合金热滞后ΔThys的方法,本发明具体涉及一种基于机器学习预测Ni‑Mn基形状记忆合金热滞后ΔThys的方法。本发明是要解决现有技术缺少对Ni‑Mn基形状记忆合金热滞后ΔThys预测方法的问题。通过第一性原理计算结合机器学习获得全部Ni‑Mn基形状记忆合金的本征值与体积变化率,将其作为关键物理耦合特征加入到Ni‑Mn基形状记忆合金热滞后数据集中,以元素和物理性质为特征,热滞后为标签,建立不同的机器学习模型,进行模型调参与模型选择,最后采用随机森林模型对新型Ni‑Mn基形状记忆合金的热滞后进行预测,通过实验制备,获取新型窄滞后Ni‑Mn基形状记忆合金。

    一种基于机器学习预测Ni-Mn基形状记忆合金热滞后∆Thys的方法

    公开(公告)号:CN117894387B

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202311565817.9

    申请日:2023-11-22

    Abstract: 一种基于机器学习预测Ni‑Mn基形状记忆合金热滞后ΔThys的方法,本发明具体涉及一种基于机器学习预测Ni‑Mn基形状记忆合金热滞后ΔThys的方法。本发明是要解决现有技术缺少对Ni‑Mn基形状记忆合金热滞后ΔThys预测方法的问题。通过第一性原理计算结合机器学习获得全部Ni‑Mn基形状记忆合金的本征值与体积变化率,将其作为关键物理耦合特征加入到Ni‑Mn基形状记忆合金热滞后数据集中,以元素和物理性质为特征,热滞后为标签,建立不同的机器学习模型,进行模型调参与模型选择,最后采用随机森林模型对新型Ni‑Mn基形状记忆合金的热滞后进行预测,通过实验制备,获取新型窄滞后Ni‑Mn基形状记忆合金。

    一种大弹热效应多晶Co-V-Ga-Ti记忆合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN117535560B

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202311326421.9

    申请日:2023-10-13

    Abstract: 一种大弹热效应多晶Co‑V‑Ga‑Ti记忆合金及其制备方法,本发明属于形状记忆合金固态制冷技术领域,具体涉及一种大弹热效应多晶Co‑V‑Ga‑Ti记忆合金及其制备方法。本发明要解决现有Co‑V‑Ga基形状记忆合金弹热制冷材料施加应力大且绝热温变低的问题。化学通式为Co51.7V31.3Ga17‑xTix,0≤x≤3。采用铸态多晶合金电弧熔炼和均匀化热处理技术制备;应力滞后仅21MPa,400MPa驱动应力下就有‑10K的大绝热温变;性能系数COP最大达到31.7,本发明的工艺流程简单、超弹性能优异和大弹热效应等优点,在弹热制冷领域具有潜在的应用前景。

    一种Mg-Sc基轻质形状记忆合金及其获得方法

    公开(公告)号:CN118064776A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202410414611.4

    申请日:2024-04-08

    Abstract: 一种Mg‑Sc基轻质形状记忆合金及其获得方法,本发明涉及金属材料制备技术领域,具体涉及一种Mg‑Sc基轻质形状记忆合金及其获得方法。本发明要解决现有Mg‑Sc形状记忆合金的相变温度极低、超弹性滞后较大、成本高的问题。化学通式为Mg‑17.1875at.%Sc‑1.5625at.%X,其中X表示Co或Ge。包括:一、搭建各元素掺杂后奥氏体与马氏体模型;二、计算优化后奥氏体与马氏体相变温度、相变应变,初步确定合金掺杂元素;三、通过对相变过程的插值处理并进行计算,绘制出合金的应力应变曲线。采用第一性原理计算法从找到一种轻质Mg‑Sc基形状记忆合金,具有相变温度在室温附近、超弹性良好、成本低的优点。

    一种基于TiNi形状记忆合金薄膜的可动态调控的多功能太赫兹超材料器件

    公开(公告)号:CN112701490B

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202011495226.5

    申请日:2020-12-17

    Abstract: 一种基于TiNi形状记忆合金薄膜的可动态调控的多功能太赫兹超材料器件。本发明涉及太赫兹超材料功能器件领域,具体涉及一种基于TiNi形状记忆合金薄膜的可动态调控的多功能太赫兹超材料器件。本发明是为解决现有太赫兹超材料存在的结构复杂、调控范围受限以及器件功能单一的问题。它包括衬底和开口谐振环结构薄膜层;所述开口谐振环结构薄膜层包括N×N个开口谐振环结构周期单元,所述开口谐振环结构周期单元包括一个单开口谐振环结构和对称设置在单开口谐振环结构开口处的两个可弯曲臂结构。本发明用于可动态调控的多功能太赫兹超材料器件。

    一种大弹热效应多晶Co-V-Ga-Ti记忆合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN117535560A

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202311326421.9

    申请日:2023-10-13

    Abstract: 一种大弹热效应多晶Co‑V‑Ga‑Ti记忆合金及其制备方法,本发明属于形状记忆合金固态制冷技术领域,具体涉及一种大弹热效应多晶Co‑V‑Ga‑Ti记忆合金及其制备方法。本发明要解决现有Co‑V‑Ga基形状记忆合金弹热制冷材料施加应力大且绝热温变低的问题。化学通式为Co51.7V31.3Ga17‑xTix,0≤x≤3。采用铸态多晶合金电弧熔炼和均匀化热处理技术制备;应力滞后仅21MPa,400MPa驱动应力下就有‑10K的大绝热温变;性能系数COP最大达到31.7,本发明的工艺流程简单、超弹性能优异和大弹热效应等优点,在弹热制冷领域具有潜在的应用前景。

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