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公开(公告)号:CN118754641B
公开(公告)日:2025-04-22
申请号:CN202410776323.3
申请日:2024-06-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , H01C7/112
Abstract: 本发明公开了一种高电压梯度氧化锌压敏陶瓷及其制备方法和应用,属于功能性压敏陶瓷及其制备技术领域。本发明解决了现有ZnO压敏陶瓷无法实现高电压梯度特性的问题。本发明使用Fe2O3、Li2O和ZnO进行复合,在保证尽量少的ZnO压敏陶瓷的组分数量同时,综合利用晶粒电阻及晶界势垒层诱导和改善ZnO陶瓷压敏特性,获得高电压梯度ZnO压敏陶瓷。此外,本发明提供的高电压梯度ZnO压敏陶瓷具有简单的组分数量,通过调节Fe2O3和Li2O的添加量,就可以实现掺杂陶瓷压敏电压的有效调控,获得高电压梯度ZnO压敏陶瓷。
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公开(公告)号:CN119039631A
公开(公告)日:2024-11-29
申请号:CN202411166090.1
申请日:2024-08-23
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C08J5/18 , H01G4/18 , C08L67/00 , C08K5/3492
Abstract: 一种兼具高击穿强度和介电性能的芴聚酯‑三(2‑羟乙基)氰尿酸酯复合介质的制备方法及应用,涉及复合薄膜制备技术领域。本发明的目的是为了解决传统的复合介质不能兼具高介电常数和高击穿强度的问题。采用本发明方法制备的芴聚酯‑三(2‑羟乙基)氰尿酸酯复合介质,呈现出卓越的介电性能和击穿性能。这为高性能电容器和航空材料提供了全新的材料选择,广泛适用于电气、电子以及新能源汽车等先进领域。同时,本发明的制备设备工艺操作简便,容易实施,成本较低,且环保无污染,为开发先进的聚合物电容器提供了极为有利的途径。本发明可获得一种兼具高击穿强度和介电性能的芴聚酯‑三(2‑羟乙基)氰尿酸酯复合介质的制备方法及应用。
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公开(公告)号:CN116063849A
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202310113122.0
申请日:2023-02-15
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高介电复合材料及其制备方法和应用,属于功能性介电复合材料制备技术领域。本发明解决现有高介电陶瓷材料的机械强度较低的问题。本发明采用预烧制备Ta5+‑La3+离子掺杂改性的二氧化钛陶瓷粉,而后采用耐高温树脂粘结成型的工艺制备高介电复合材料,采用低树脂含量的配方设计,通过高陶瓷粉体掺杂提升材料介电性能,并采用耐热聚合物粘接工艺提升复合材料的机械性能和耐热性。本发明提供的复合材料断裂韧性为3.2‑3.4MPa·m1/2,击穿场强为3‑5kV/cm,介电损耗为0.01‑0.03。
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公开(公告)号:CN119683991A
公开(公告)日:2025-03-25
申请号:CN202411828091.8
申请日:2024-12-12
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种庞介电氧化锌陶瓷及其制备方法和应用,属于功能性介电陶瓷及其制备技术领域。本发明解决了现有ZnO陶瓷材料介电常数低、介电损耗大及频率稳定性差,无法具有庞介电特性的问题。本发明采用Li2O和Al2O3对ZnO进行复合掺杂,并结合放电等离子体烧结方式,设计ZnO陶瓷的介电性能,获得庞介电特性。本发明采用放电等离子体烧结方式,降低烧结温度和时间,抑制其本征缺陷的产生,降低介电损耗;并采用Li2O和Al2O3进行复合掺杂,在抑制本征缺陷的同时,利用掺杂离子在晶界处的偏析形成晶界电容势垒,提高掺杂陶瓷介电常数,使得制备的氧化锌基陶瓷具有庞介电特性,且频率稳定性良好。
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公开(公告)号:CN118754641A
公开(公告)日:2024-10-11
申请号:CN202410776323.3
申请日:2024-06-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , H01C7/112
Abstract: 本发明公开了一种高电压梯度氧化锌压敏陶瓷及其制备方法和应用,属于功能性压敏陶瓷及其制备技术领域。本发明解决了现有ZnO压敏陶瓷无法实现高电压梯度特性的问题。本发明使用Fe2O3、Li2O和ZnO进行复合,在保证尽量少的ZnO压敏陶瓷的组分数量同时,综合利用晶粒电阻及晶界势垒层诱导和改善ZnO陶瓷压敏特性,获得高电压梯度ZnO压敏陶瓷。此外,本发明提供的高电压梯度ZnO压敏陶瓷具有简单的组分数量,通过调节Fe2O3和Li2O的添加量,就可以实现掺杂陶瓷压敏电压的有效调控,获得高电压梯度ZnO压敏陶瓷。
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公开(公告)号:CN116283272A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310111343.4
申请日:2023-02-14
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/46 , C04B35/622 , G01D5/12
Abstract: 本发明公开了一种室温铁电性氧化钛陶瓷及其制备方法和应用,属于功能性介电陶瓷材料制备技术领域。本发明解决了现有金红石型TiO2陶瓷不具有室温铁电性的问题。本发明通过掺杂改性的方式改性陶瓷性能,采用+5价离子和+3价离子同时掺杂,使掺杂陶瓷在外电场作用下具有自发极化效应,具有铁电性。同时,+5价离子和+3价离子受到不同的作用力而相互靠近,实现局域应力场的构建,使自发极化效应可以在室温下稳定存在。此外,本发明的改性方法不仅使金红石型二氧化钛具有铁电相的室温稳定性,同时其介电常数也有显著提高。
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公开(公告)号:CN116253850A
公开(公告)日:2023-06-13
申请号:CN202111508924.9
申请日:2021-12-10
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高导热高粘接性聚氨酯树脂及其制备方法,属于聚氨酯复合材料技术领域。本发明采用环氧氯丙烷和端氨基聚醚多元醇合成环氧氯丙烷‑聚醚多元醇,再与异氰酸酯反应合成聚氨酯树脂,并向树脂中填入氧化石墨烯,制成高导热高粘接性聚氨酯树脂。本发明将含有氯的环氧氯丙烷应用于聚氨酯合成过程中,不但能提高固化物的力学性能,还通过富含活性羟基的氧化石墨烯的引入提升其热学性能且所用异氰酸酯可以有针对性地选择,对于不同的使用环境可以运用不同结构的异氰酸酯,从而使材料可以灵活的改变结构变现为偏柔性或偏刚性。
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公开(公告)号:CN118084478A
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202410132831.8
申请日:2024-01-31
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01C7/10
Abstract: 本发明公开了一种锰酸锌陶瓷的固相反应制备方法及其掺杂改性方法,属于锰酸锌陶瓷制备及其掺杂改性技术领域。本发明解决了现有固相反应法合成ZnMn2O4陶瓷困难的问题。本发明采用两步烧结法利用固相反应成功制备了ZnMn2O4陶瓷,并针对ZnMn2O4陶瓷的损耗较高,无法长时间作为稳压器件使用的问题,采用掺杂对锰酸锌陶瓷进行改性,利用掺杂离子形成的局部应力场和电场,诱导锰酸锌陶瓷压敏性能和介电性能的可控变化,实现对锰酸锌陶瓷电导非线性系数的有效调控,并且阈值电场可调控,拓宽了锰酸锌陶瓷的应用范围。
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公开(公告)号:CN116333586B
公开(公告)日:2024-01-02
申请号:CN202310319780.5
申请日:2023-03-29
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C09D179/08 , C09D5/25 , C09D7/63
Abstract: 本发明公开了一种高耐热浸渍漆及其制备方法和应用,属于绝缘材料制备技术领域。本发明解决现有浸渍漆浸渍漆、耐热性差的问题。本发明通过分子结构设计,制备了具有类似双马来酰亚胺树脂树脂分子结构的液态树脂,并将其与耐热稀释剂等原料,通过预聚、复配制得耐热浸渍漆,该浸渍漆既具有较低的漆液粘度,同时具有较高的初始分解温度,经冷热冲击验证后,具有在200级以上环境使用的可能性,可用于长期使用温度为200℃的电机定子线圈浸渍。
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公开(公告)号:CN116063849B
公开(公告)日:2023-08-15
申请号:CN202310113122.0
申请日:2023-02-15
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高介电复合材料及其制备方法和应用,属于功能性介电复合材料制备技术领域。本发明解决现有高介电陶瓷材料的机械强度较低的问题。本发明采用预烧制备Ta5+‑La3+离子掺杂改性的二氧化钛陶瓷粉,而后采用耐高温树脂粘结成型的工艺制备高介电复合材料,采用低树脂含量的配方设计,通过高陶瓷粉体掺杂提升材料介电性能,并采用耐热聚合物粘接工艺提升复合材料的机械性能和耐热性。本发明提供的复合材料断裂韧性为3.2‑3.4MPa·m1/2,击穿场强为3‑5kV/cm,介电损耗为0.01‑0.03。
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