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公开(公告)号：CN116811386B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202310792495.5
申请日：2023-06-30
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B32B27/02 , D01F6/94 , D01F1/10 , H01G4/18 , B32B27/28 , B32B27/06 , B32B27/20 , B32B7/02 , B32B37/15 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B37/08 , B32B38/16
Abstract: 一种基于非对称梯度结构的聚醚酰亚胺基复合材料薄膜及其制备方法和应用，涉及聚醚酰亚胺基复合材料薄膜技术领域。本发明的目的是为了解决目前的薄膜材料不能兼具高击穿场强和高介电常数的问题。本发明以聚醚酰亚胺为基体，六方氮化硼纳米片为填料。本发明基于非对称梯度结构的聚醚酰亚胺基复合材料薄膜由6层掺杂有BNNS的填料层组成，并使掺杂的六方氮化硼纳米片浓度沿介质中心到下表面的梯度方向与上表面到介质中心一致，且其中沿上表面到介质中心和介质中心到下表面的BNNS体积分数呈逐步降低的反梯度变化。本发明可获得一种基于非对称梯度结构的聚醚酰亚胺基复合材料薄膜及其制备方法和应用。
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公开(公告)号：CN119039631A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411166090.1
申请日：2024-08-23
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C08J5/18 , H01G4/18 , C08L67/00 , C08K5/3492
Abstract: 一种兼具高击穿强度和介电性能的芴聚酯‑三(2‑羟乙基)氰尿酸酯复合介质的制备方法及应用，涉及复合薄膜制备技术领域。本发明的目的是为了解决传统的复合介质不能兼具高介电常数和高击穿强度的问题。采用本发明方法制备的芴聚酯‑三(2‑羟乙基)氰尿酸酯复合介质，呈现出卓越的介电性能和击穿性能。这为高性能电容器和航空材料提供了全新的材料选择，广泛适用于电气、电子以及新能源汽车等先进领域。同时，本发明的制备设备工艺操作简便，容易实施，成本较低，且环保无污染，为开发先进的聚合物电容器提供了极为有利的途径。本发明可获得一种兼具高击穿强度和介电性能的芴聚酯‑三(2‑羟乙基)氰尿酸酯复合介质的制备方法及应用。
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公开(公告)号：CN117866251A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311672719.5
申请日：2023-12-07
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种高击穿的热塑性聚氨酯弹性体‑芴聚酯复合材料的制备方法及应用，涉及复合薄膜制备技术领域。本发明的目的是为了解决以芴聚酯为基体的传统复合材料薄膜的击穿场强低，以及掺杂填料后复合薄膜的介电损耗和电导率存在明显增加而击穿场强存在明显降低的问题。本发明将热塑性聚氨酯弹性体加入到N‑甲基吡咯烷酮溶液中，在80℃的温度条件下以及400r/min的转速条件下充分搅拌，再在N‑甲基吡咯烷酮溶液中加入芴聚酯颗粒制得混合溶液b后，最后利用溶液共混的方法，将混合溶液a和混合溶液b充分搅拌混合制备而成。本发明可获得一种高击穿的热塑性聚氨酯弹性体‑芴聚酯复合材料的制备方法及应用。
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公开(公告)号：CN116811386A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310792495.5
申请日：2023-06-30
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B32B27/02 , D01F6/94 , D01F1/10 , H01G4/18 , B32B27/28 , B32B27/06 , B32B27/20 , B32B7/02 , B32B37/15 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B37/08 , B32B38/16
Abstract: 一种基于非对称梯度结构的聚醚酰亚胺基复合材料薄膜及其制备方法和应用，涉及聚醚酰亚胺基复合材料薄膜技术领域。本发明的目的是为了解决目前的薄膜材料不能兼具高击穿场强和高介电常数的问题。本发明以聚醚酰亚胺为基体，六方氮化硼纳米片为填料。本发明基于非对称梯度结构的聚醚酰亚胺基复合材料薄膜由6层掺杂有BNNS的填料层组成，并使掺杂的六方氮化硼纳米片浓度沿介质中心到下表面的梯度方向与上表面到介质中心一致，且其中沿上表面到介质中心和介质中心到下表面的BNNS体积分数呈逐步降低的反梯度变化。本发明可获得一种基于非对称梯度结构的聚醚酰亚胺基复合材料薄膜及其制备方法和应用。
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