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公开(公告)号:CN118084478A
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202410132831.8
申请日:2024-01-31
申请人: 哈尔滨理工大学
IPC分类号: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01C7/10
摘要: 本发明公开了一种锰酸锌陶瓷的固相反应制备方法及其掺杂改性方法,属于锰酸锌陶瓷制备及其掺杂改性技术领域。本发明解决了现有固相反应法合成ZnMn2O4陶瓷困难的问题。本发明采用两步烧结法利用固相反应成功制备了ZnMn2O4陶瓷,并针对ZnMn2O4陶瓷的损耗较高,无法长时间作为稳压器件使用的问题,采用掺杂对锰酸锌陶瓷进行改性,利用掺杂离子形成的局部应力场和电场,诱导锰酸锌陶瓷压敏性能和介电性能的可控变化,实现对锰酸锌陶瓷电导非线性系数的有效调控,并且阈值电场可调控,拓宽了锰酸锌陶瓷的应用范围。
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公开(公告)号:CN116120052A
公开(公告)日:2023-05-16
申请号:CN202310138893.5
申请日:2023-02-21
申请人: 哈尔滨理工大学
IPC分类号: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要: 本发明公开了一种氧化锌基巨介电陶瓷材料及其制备方法和应用,属于功能性介电陶瓷材料制备技术领域。本发明解决现有氧化锌陶瓷材料的介电常数较低的问题,实现氧化锌陶瓷介电常数、耐压性同步提升的目标。本发明采用施主‑受主共掺杂的方式对氧化锌进行改性,利用掺杂离子形成的缺陷偶极子结构,使掺杂氧化锌陶瓷具有巨介电常数,同时实现对掺杂陶瓷压敏电压的有效调控,拓宽氧化锌陶瓷的应用范围。此外,采用本发明提供的方法制备的氧化锌基陶瓷材料的具有巨介电常数,同时其非线性系数可调控,在电子储能器件、防雷装置接地装置等领域具有较大的实际应用价值。
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公开(公告)号:CN118754641A
公开(公告)日:2024-10-11
申请号:CN202410776323.3
申请日:2024-06-17
申请人: 哈尔滨理工大学
IPC分类号: C04B35/453 , C04B35/622 , H01C7/112
摘要: 本发明公开了一种高电压梯度氧化锌压敏陶瓷及其制备方法和应用,属于功能性压敏陶瓷及其制备技术领域。本发明解决了现有ZnO压敏陶瓷无法实现高电压梯度特性的问题。本发明使用Fe2O3、Li2O和ZnO进行复合,在保证尽量少的ZnO压敏陶瓷的组分数量同时,综合利用晶粒电阻及晶界势垒层诱导和改善ZnO陶瓷压敏特性,获得高电压梯度ZnO压敏陶瓷。此外,本发明提供的高电压梯度ZnO压敏陶瓷具有简单的组分数量,通过调节Fe2O3和Li2O的添加量,就可以实现掺杂陶瓷压敏电压的有效调控,获得高电压梯度ZnO压敏陶瓷。
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公开(公告)号:CN116283272A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310111343.4
申请日:2023-02-14
申请人: 哈尔滨理工大学
IPC分类号: C04B35/46 , C04B35/622 , G01D5/12
摘要: 本发明公开了一种室温铁电性氧化钛陶瓷及其制备方法和应用,属于功能性介电陶瓷材料制备技术领域。本发明解决了现有金红石型TiO2陶瓷不具有室温铁电性的问题。本发明通过掺杂改性的方式改性陶瓷性能,采用+5价离子和+3价离子同时掺杂,使掺杂陶瓷在外电场作用下具有自发极化效应,具有铁电性。同时,+5价离子和+3价离子受到不同的作用力而相互靠近,实现局域应力场的构建,使自发极化效应可以在室温下稳定存在。此外,本发明的改性方法不仅使金红石型二氧化钛具有铁电相的室温稳定性,同时其介电常数也有显著提高。
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