一种隔离封装结构差压谐振压力敏感芯片探头及封装方法

    公开(公告)号:CN113697762B

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202110983368.4

    申请日:2021-08-25

    Abstract: 一种隔离封装结构差压谐振压力敏感芯片探头及封装方法,它涉及一种探头及其封装方法。本发明为了解决现有的谐振压力敏感芯片存在Q值偏低,测量精度和长期稳定性下降的问题。本发明的可伐合金引脚安装在密封管座的引线孔上,硅谐振压力敏感芯片安在密封管座的芯片粘接面上,硅谐振压力敏感芯片和可伐合金引脚之间通过电极键合引线连接;两个波纹膜片分别安装在上波纹膜片接触面上和下波纹膜片接触面上,两个压环分别压装在两个波纹膜片上,隔离介质填充在密闭空腔内;硅谐振压力敏感芯片通过两个压力谐振器实现差压测量。封装方法:对谐振层进行二次封装,使硅谐振压力敏感芯片处于隔离介质中工作。本发明用于压力的测量以及压力芯片探头的封装。

    一种真空封装结构的谐振温度敏感芯片探头及其封装方法

    公开(公告)号:CN113816330A

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202110984930.5

    申请日:2021-08-25

    Abstract: 一种真空封装结构的谐振温度敏感芯片探头及其封装方法,它涉及一种探头及其封装方法。本发明为了解决现有的谐振压力敏感芯片存在Q值偏低的问题,封装方法存在测量精度和长期稳定性下降的问题。本发明的可伐合金引脚安在密封管座的引线孔上,硅谐振压力敏感芯片安在密封管座的芯片粘接面上,且硅谐振压力敏感芯片与阶梯槽的侧壁之间留有空隙,硅谐振压力敏感芯片和可伐合金引脚之间通过电极键合引线连接;密封盖板安在密封盖板接触面上,探头介质传递通道和密封管座的三级阶梯槽之间形成保护谐振压力敏感芯片的密闭空腔。封装方法:对谐振层进行二次封装,使硅谐振压力敏感芯片处于隔离介质中工作。本发明用于压力的测量以及压力芯片探头的封装。

    一种隔离封装结构差压谐振压力敏感芯片探头及封装方法

    公开(公告)号:CN113697762A

    公开(公告)日:2021-11-26

    申请号:CN202110983368.4

    申请日:2021-08-25

    Abstract: 一种隔离封装结构差压谐振压力敏感芯片探头及封装方法,它涉及一种探头及其封装方法。本发明为了解决现有的谐振压力敏感芯片存在Q值偏低,测量精度和长期稳定性下降的问题。本发明的可伐合金引脚安装在密封管座的引线孔上,硅谐振压力敏感芯片安在密封管座的芯片粘接面上,硅谐振压力敏感芯片和可伐合金引脚之间通过电极键合引线连接;两个波纹膜片分别安装在上波纹膜片接触面上和下波纹膜片接触面上,两个压环分别压装在两个波纹膜片上,隔离介质填充在密闭空腔内;硅谐振压力敏感芯片通过两个压力谐振器实现差压测量。封装方法:对谐振层进行二次封装,使硅谐振压力敏感芯片处于隔离介质中工作。本发明用于压力的测量以及压力芯片探头的封装。

    一种基于整体式霍普金森杆PVDF传感器的冲击测试系统

    公开(公告)号:CN109282941A

    公开(公告)日:2019-01-29

    申请号:CN201811399260.5

    申请日:2018-11-22

    Abstract: 一种基于整体式霍普金森杆PVDF传感器的冲击测试系统,本发明属于PVDF传感器测试标定技术领域,具体涉及一种基于整体式霍普金森杆PVDF传感器的冲击测试系统。本发明是为了解决现有采用分离式霍普金森杆每个冲击脉冲仅能标定一个PVDF传感器,如多传感器同时标定会出现冲击脉冲信号叠加不均匀现象以及标定量程短的问题。一种基于整体式霍普金森杆PVDF传感器的冲击测试系统由整体式霍普金森杆、PVDF传感器测试组件、信号采集系统组成;所述整体式霍普金森杆为一体式结构;PVDF传感器测试组件通过螺纹固定于整体式霍普金森杆的待测样品处;本发明结构简单,可以实现多批次PVDF样品同时标定。

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