公开(公告)号：CN112670197A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011534616.9

申请日：2020-12-22

申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所

发明人： 王永刚 ,  刘智辉 ,  张鹏 ,  刘志远 ,  王明伟 ,  倪雷 ,  陈冬卅

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 一种检测ICP工艺微小尺寸刻蚀深度及均匀性的方法，涉及一种ICP工艺对微小尺寸刻蚀深度及均匀性的检测方法。解决了现有检测ICP工艺刻蚀微小尺寸硅微结构的深度及均匀性的方法存在测量误差大，不方便连续进行刻蚀，费时费力的问题。本发明确定对晶圆背面的腐蚀深度；根据确定的腐蚀深度，采用各向异性湿法将晶圆每个单元的背面腐蚀出54.74°的斜坡结构；通过双面光刻对准技术，将待刻蚀区域与斜坡结构进行对准；在晶圆待刻蚀区域，采用ICP工艺进行固定线宽结构刻蚀，没有新的刻透结构产生，利用最后出现的刻透结构对应的刻蚀深度计算ICP工艺在该刻蚀宽度时的最大深度，计算ICP工艺在该宽度时刻蚀的均匀性。本发明适用于检测ICP工艺微小尺寸刻蚀深度及均匀性。

公开(公告)号：CN112670197B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202011534616.9

申请日：2020-12-22

申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所

发明人： 王永刚 ,  刘智辉 ,  张鹏 ,  刘志远 ,  王明伟 ,  倪雷 ,  陈冬卅

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 一种检测ICP工艺微小尺寸刻蚀深度及均匀性的方法，涉及一种ICP工艺对微小尺寸刻蚀深度及均匀性的检测方法。解决了现有检测ICP工艺刻蚀微小尺寸硅微结构的深度及均匀性的方法存在测量误差大，不方便连续进行刻蚀，费时费力的问题。本发明确定对晶圆背面的腐蚀深度；根据确定的腐蚀深度，采用各向异性湿法将晶圆每个单元的背面腐蚀出54.74°的斜坡结构；通过双面光刻对准技术，将待刻蚀区域与斜坡结构进行对准；在晶圆待刻蚀区域，采用ICP工艺进行固定线宽结构刻蚀，没有新的刻透结构产生，利用最后出现的刻透结构对应的刻蚀深度计算ICP工艺在该刻蚀宽度时的最大深度，计算ICP工艺在该宽度时刻蚀的均匀性。本发明适用于检测ICP工艺微小尺寸刻蚀深度及均匀性。

公开(公告)号：CN116253284A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202211658717.6

申请日：2022-12-22

申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所

发明人： 刘智辉 ,  李子旭 ,  李玉玲 ,  于海超 ,  刘志远 ,  顾博 ,  陈冬卅 ,  吴双宇 ,  姜晓龙 ,  柳微微

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00

摘要： 晶圆级封装的热式MEMS流量传感器芯片及其制作方法，涉及传感器技术领域。本发明是为了解决现有热式MEMS流量传感器替换性差、测量精度差的问题。本发明所述的晶圆级封装的热式MEMS流量传感器芯片，芯片表面通过晶圆级键合工艺设有通道构件，所述通道构件与芯片的电阻之间构成气流通道。采用MEMS工艺制作气流通道，并且采用先进的MEMS晶圆级键合工艺将气流通道整体安装于芯片上，将气流通道的截面加工误差和安装误差从毫米级降低至微米级。