一种核反应堆用高效结合包覆层及其制备方法

    公开(公告)号:CN110106467A

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201910554794.9

    申请日:2019-06-25

    Abstract: 本发明公开了一种核反应堆用高效结合包覆层,所述包覆层沉积在核反应堆用基体材料外表面上,包覆层由内向外依次包括Zr-Cr或Ti-Cr过渡层以及Cr沉积层。上述包覆层的制备方法,采用物理气相沉积法、热喷涂法、冷喷涂法、激光熔覆法、电镀法或化学气相沉积法,优选采用物理气相沉积法中的电弧离子镀。在锆合金基体材料上涂覆上述包覆层获得的包壳材料具有良好的耐腐蚀、膜基协同变形以及抗高温氧化能力,是一种有发展前景的耐事故燃料包壳材料,且以N36合金为基体的涂层包壳材料高温力学性能表现更好。

    一种用于锆合金包壳上涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN109943811A

    公开(公告)日:2019-06-28

    申请号:CN201910270332.4

    申请日:2019-04-04

    Abstract: 本发明公开了一种用于锆合金包壳上涂层的制备方法,解决了现有涂层的制备方法均存在各自缺陷的问题。本发明在涂层制备工艺上采用了真空电弧离子镀与磁控溅射离子镀相结合的方法。本发明首先采用真空电弧离子镀的方法在锆合金包壳上沉积涂层,以提高镀膜速率以及膜基结合力;然后,同时进行真空电弧离子镀沉积和磁控溅射离子镀沉积,生成致密的中间层,提高表面平整度;最后,单独采用磁控溅射离子镀继续沉积涂层,以获得致密精细的表层组织,达到降低涂层表面粗糙度、降低摩擦系数的效果。

    一种两步法PVD技术制备超厚Ti-Al-C三元涂层的方法

    公开(公告)号:CN109957757B

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN201910270621.4

    申请日:2019-04-04

    Abstract: 本发明公开了一种两步法PVD技术制备超厚Ti‑Al‑C三元涂层的方法,对锆包壳基体样件进行表面洁净,冷风吹干样件后,装夹在真空腔室内的三维转架上,并对基体样件进行加热;充入Ar气,施加高偏压,对基体样件进行辉光溅射清洗或者电子枪加热清洗刻蚀;用引弧针开启TixAl弧靶,高偏压溅射清洗TixAl靶材,同时在基体表面生成基础层;低偏压沉积TixAl涂层,生成过渡涂层;调整合适的弧电流、偏压,开启中频磁控石墨靶,沉积Ti‑Al‑C超厚涂层;进行高温退火。本发明的制备工艺下得到的材料更能适用于核领域,使用更加安全,得到的材料的性能更好。

    一种用于锆合金包壳上涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN109943811B

    公开(公告)日:2020-12-29

    申请号:CN201910270332.4

    申请日:2019-04-04

    Abstract: 本发明公开了一种用于锆合金包壳上涂层的制备方法,解决了现有涂层的制备方法均存在各自缺陷的问题。本发明在涂层制备工艺上采用了真空电弧离子镀与磁控溅射离子镀相结合的方法。本发明首先采用真空电弧离子镀的方法在锆合金包壳上沉积涂层,以提高镀膜速率以及膜基结合力;然后,同时进行真空电弧离子镀沉积和磁控溅射离子镀沉积,生成致密的中间层,提高表面平整度;最后,单独采用磁控溅射离子镀继续沉积涂层,以获得致密精细的表层组织,达到降低涂层表面粗糙度、降低摩擦系数的效果。

    一种核反应堆用高硬度包覆层及其制备方法

    公开(公告)号:CN110184604A

    公开(公告)日:2019-08-30

    申请号:CN201910554773.7

    申请日:2019-06-25

    Abstract: 本发明公开了一种核反应堆用高硬度包覆层,所述包覆层用于沉积在核反应堆用基体材料外表面上,包覆层由内向外依次包括Cr沉积层和CrN硬化层。上述包覆层的制备方法,采用物理气相沉积法、热喷涂法、冷喷涂法、激光熔覆法、电镀法或化学气相沉积法,优选采用物理气相沉积法中的电弧离子镀。在锆合金基体材料上涂覆上述包覆层获得的包壳材料具有良好的抗高温氧化和耐磨损性能,是一种有发展前景的耐事故燃料包壳材料,且以N36合金为基体的包壳材料具有良好的高温力学能。

    一种量化测定氧化膜微观缺陷的方法与仪器

    公开(公告)号:CN104977336A

    公开(公告)日:2015-10-14

    申请号:CN201510376679.9

    申请日:2015-07-01

    Abstract: 本发明公开了一种量化测定氧化膜微观缺陷的方法,通过测定氧化膜的纯电子传导电流或电阻和离子向氧化膜中迁移形成的电流或阻抗,由离子迁移电流或阻抗与电子传导电流或电阻的差异及其数值,来量化表征氧化膜中的微观缺陷。本发明的有益效果是:本发明的方法能客观量化表征氧化膜微观缺陷的情况,如缺陷尺度、分布密度等,而不只是定性地了解,能反映出微观缺陷在宏观尺度(10mm)上的分布情况;本方法不需要制样,可在样品上直接测量,方便快捷,避免了制样过程造成的影响及人为因素的影响。

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