一种静电致动辅助进给的微细电解加工装置

    公开(公告)号:CN109158719A

    公开(公告)日:2019-01-08

    申请号:CN201811011738.2

    申请日:2018-08-31

    Abstract: 本发明提供了一种静电致动辅助进给的微细电解加工装置,包括静电致动辅助进给系统,所述静电致动辅助进给系统包括加工工件的平面电极、加工电源、驱动所述平面电极的静电场电极和辅助电源,所述加工电源的两端分别与所述平面电极、工件连接,所述辅助电源的两端分别与所述平面电极、静电场电极连接,所述静电场电极的外表面设有使所述辅助电源不参与电解加工的绝缘膜,所述辅助电源仅产生静电场来驱动所述平面电极变形。本发明的有益效果是:通过辅助电源产生静电场来驱动平面电极变形,从而实现了静电致动辅助进给,利用平面电极片在静电力的致动下实现微进给,很好的解决了微细电解加工电压限制而使静电致动变形量过小的问题。

    一种二维扫描装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116203719A

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202211743496.2

    申请日:2022-12-30

    Abstract: 本发明涉及一种二维扫描装置,包括:微镜机构、电机反射机构、棱镜机构和用于输出驱动信号的FPGA控制器,微镜机构包括一维MEMS微镜、微镜底座和微镜升降架,电机反射机构包括反射镜、调节电机、电机底座和电机升降架,反射镜设置于调节电机上,棱镜机构包括分光棱镜、棱镜底座、棱镜升降架和棱镜转架,从激光器反射的光束依次经过分光棱镜、一维MEMS微镜、分光棱镜和反射镜。本发明采用一维MEMS微镜对高频维度进行扫描,在低频扫描维度中使用控制更为简单的永磁同步电机反射装置,降低控制难度及增大扫描角度,并且一维MEMS微镜和永磁同步电机反射装置可以按照实际需求安装在不同位置,增加了系统整体的可移植性。

    一种基于模型的MEMS控制方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116047905A

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202211744076.6

    申请日:2022-12-30

    Abstract: 本发明涉及一种基于模型的MEMS控制方法。其中的方法包括:获取所述一维MEMS微镜的参考偏转角度,获取超螺旋观测器输出的反馈偏转角度;其中,所述一维MEMS微镜的当前偏转角度反馈输入到所述超螺旋观测器中;基于预建的模型,通过超螺旋控制器采用半隐式欧拉法运算获得驱动所述一维MEMS微镜的控制信号;将运算获得的电压控制信号输入到所述一维MEMS微镜中,以调节所述一维MEMS微镜的当前偏转角度。本发明采用半隐式欧拉法设计的超螺旋控制器应用于MEMS扭转微镜的控制,以及结合电磁驱动的MEMS微镜的模型采用隐式欧拉法设计了观测角度和角速度的超螺旋观测器,并应用到MEMS扫描系统的控制器中,有效的提高了控制精度。

    一种静电致动辅助进给的微细电解加工装置

    公开(公告)号:CN109158719B

    公开(公告)日:2019-11-26

    申请号:CN201811011738.2

    申请日:2018-08-31

    Abstract: 本发明提供了一种静电致动辅助进给的微细电解加工装置,包括静电致动辅助进给系统,所述静电致动辅助进给系统包括加工工件的平面电极、加工电源、驱动所述平面电极的静电场电极和辅助电源,所述加工电源的两端分别与所述平面电极、工件连接,所述辅助电源的两端分别与所述平面电极、静电场电极连接,所述静电场电极的外表面设有使所述辅助电源不参与电解加工的绝缘膜,所述辅助电源仅产生静电场来驱动所述平面电极变形。本发明的有益效果是:通过辅助电源产生静电场来驱动平面电极变形,从而实现了静电致动辅助进给,利用平面电极片在静电力的致动下实现微进给,很好的解决了微细电解加工电压限制而使静电致动变形量过小的问题。

    闭式整体涡轮叶盘最大运动范围电极进给轨迹规划方法

    公开(公告)号:CN109396578B

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201811467062.8

    申请日:2018-12-03

    Abstract: 本发明提供了一种闭式整体涡轮叶盘最大运动范围电极进给轨迹规划方法,包括轨迹规划:把每个运动节点的运动范围最大当作目标函数,进行电极与闭式整体涡轮叶盘的干涉判断,利用参数辨识拟合出曲面方程;借助刚体运动的形式对电极运动进行描述,并且采用序列二次规划算法求解,得出电极运动轨迹上的每个节点,并且利用样条插值方式得到电极的运动轨迹。本发明的有益效果是:不涉及较为复杂的计算,计算相对简单;借助刚体运动的形式对电极运动进行描述,并且采用序列二次规划算法(SQP)进行求解该优化问题,进而得到电极进给轨迹上的运动节点,最后对各个运动节点进行样条插值得到电极的进给轨迹。

    闭式整体涡轮叶盘最大运动范围电极进给轨迹规划方法

    公开(公告)号:CN109396578A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201811467062.8

    申请日:2018-12-03

    Abstract: 本发明提供了一种闭式整体涡轮叶盘最大运动范围电极进给轨迹规划方法,包括轨迹规划:把每个运动节点的运动范围最大当作目标函数,进行电极与闭式整体涡轮叶盘的干涉判断,利用参数辨识拟合出曲面方程;借助刚体运动的形式对电极运动进行描述,并且采用序列二次规划算法求解,得出电极运动轨迹上的每个节点,并且利用样条插值方式得到电极的运动轨迹。本发明的有益效果是:不涉及较为复杂的计算,计算相对简单;借助刚体运动的形式对电极运动进行描述,并且采用序列二次规划算法(SQP)进行求解该优化问题,进而得到电极进给轨迹上的运动节点,最后对各个运动节点进行样条插值得到电极的进给轨迹。

Patent Agency Ranking