公开(公告)号：CN109698278B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN201811546508.6

申请日：2018-12-18

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 陈洪宇 ,  王月飞 ,  王贺彬 ,  李炳生

IPC: H10K30/10 ,  H10K85/10 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域，具体涉及一种基于有机无机复合结构的p‑n结自驱动日盲紫外探测器及其制备方法。本发明器件结构包括：衬底、n型氧化镓微米线、p型有机导电聚合物纳米薄膜，以及在p、n型层上制备的金属接触电极。本发明的特点是通过p型有机导电聚合物与n型氧化镓微米线形成核壳结构，使其在零偏压下工作具有良好的光电特性和深紫外选择性，该器件解决了传统p‑n结构无机半导体深紫外光电探测器中p型材料无法可控制备的难题。本发明的探测器制备工艺简单，在日盲紫外探测领域具有很大的应用前景。

公开(公告)号：CN111072057B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN201811231209.3

申请日：2018-10-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李炳生 ,  王贺彬 ,  王月飞 ,  李丽 ,  陈洪宇

IPC: C01G15/00

Abstract: 本发明公开了一种氧化镓微米线的制备方法，涉及化学材料制备技术领域，包括：一、将氧化镓和碳粉混合，研磨，得到混合粉末；二、取步骤一得到的混合粉末放入刚玉舟中，将衬底置于刚玉舟正上方，然后放入洁净的石英管中，将石英管放入水平管式炉的生长区；向石英管中通入保护气，在常压下以恒定的升温速率加热升温到反应温度；保温一定时间，然后自然冷却至室温；在衬底上得到氧化镓微米线。本发明通过化学气相沉积的方法生长超长氧化镓微米线。氧化镓微米线形貌均一，长度可达1cm，可在肉眼下进行手工操作，方便了电极的引入和器件的制备。

公开(公告)号：CN105349953A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510658463.1

申请日：2015-10-12

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李丽 ,  李炳生 ,  王月飞 ,  宋东宇

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5853

Abstract: 热氧化Zn3N2：III族元素制备p-型氧化锌的方法，涉及一种制备p-型氧化锌的方法。本发明是为了解决现有的p-型氧化锌掺杂时存在自补偿效应、受主的固溶率低、受主在氧化锌中不稳定的技术问题。本发明：一、清洗衬底；二、磁控溅射沉积制备Zn3N2：III族元素薄膜：三、热氧化Zn3N2：III族元素薄膜。本发明通过氧化Zn3N2：III族元素的方法得到了p-型氧化锌，并且在800℃下退火仍然保持p-型，甚至在900℃高温下，氧化锌的导电特性仍为p-型导电，提高了p-型氧化锌的热稳定性。

公开(公告)号：CN111072057A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201811231209.3

申请日：2018-10-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李炳生 ,  王贺彬 ,  王月飞 ,  李丽 ,  陈洪宇

IPC: C01G15/00

Abstract: 本发明公开了一种氧化镓微米线的制备方法，涉及化学材料制备技术领域，包括：一、将氧化镓和碳粉混合，研磨，得到混合粉末；二、取步骤一得到的混合粉末放入刚玉舟中，将衬底置于刚玉舟正上方，然后放入洁净的石英管中，将石英管放入水平管式炉的生长区；向石英管中通入保护气，在常压下以恒定的升温速率加热升温到反应温度；保温一定时间，然后自然冷却至室温；在衬底上得到氧化镓微米线。本发明通过化学气相沉积的方法生长超长氧化镓微米线。氧化镓微米线形貌均一，长度可达1cm，可在肉眼下进行手工操作，方便了电极的引入和器件的制备。

公开(公告)号：CN109698278A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811546508.6

申请日：2018-12-18

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 陈洪宇 ,  王月飞 ,  王贺彬 ,  李炳生

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域，具体涉及一种基于有机无机复合结构的p-n结自驱动日盲紫外探测器及其制备方法。本发明器件结构包括：衬底、n型氧化镓微米线、p型有机导电聚合物纳米薄膜，以及在p、n型层上制备的金属接触电极。本发明的特点是通过p型有机导电聚合物与n型氧化镓微米线形成核壳结构，使其在零偏压下工作具有良好的光电特性和深紫外选择性，该器件解决了传统p-n结构无机半导体深紫外光电探测器中p型材料无法可控制备的难题。本发明的探测器制备工艺简单，在日盲紫外探测领域具有很大的应用前景。

公开(公告)号：CN105349953B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201510658463.1

申请日：2015-10-12

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李丽 ,  李炳生 ,  王月飞 ,  宋东宇

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

Abstract: 热氧化Zn3N2：III族元素制备p‑型氧化锌的方法，涉及一种制备p‑型氧化锌的方法。本发明是为了解决现有的p‑型氧化锌掺杂时存在自补偿效应、受主的固溶率低、受主在氧化锌中不稳定的技术问题。本发明：一、清洗衬底；二、磁控溅射沉积制备Zn3N2：III族元素薄膜：三、热氧化Zn3N2：III族元素薄膜。本发明通过氧化Zn3N2：III族元素的方法得到了p‑型氧化锌，并且在800℃下退火仍然保持p‑型，甚至在900℃高温下，氧化锌的导电特性仍为p‑型导电，提高了p‑型氧化锌的热稳定性。