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公开(公告)号：CN112301429B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202011076718.0
申请日：2020-10-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种制备单晶金属箔片及二维材料的管式炉改装装置及方法，通过这种方法可以实现管式炉内金属箔片样件的匀速推进，获得均匀可控的温度梯度，从而将工业金属箔片快速转化单晶金属箔片，并在其表面生长二维单晶材料。本方法可在不改变炉体密闭性和其他炉体参数的前提下，精细地调节样件的位置、移动的速度、以及所处的温度梯度场条件。本改装方法操作简单，适用性广，可与多数型号的水平管式炉相兼容，降低了单晶金属箔片的转化过程和二维材料的生长过程中对于特殊设备的要求。
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公开(公告)号：CN112159970A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011087287.8
申请日：2020-10-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级、高质量的氮化硼/石墨烯异质结薄膜的制备方法；它的制备方法为：步骤一：通过表面催化生长方法，在金属表面制备出连续的六方氮化硼薄膜；步骤二：通过等离子体刻蚀技术，将金属箔片一侧表面处的六方氮化硼薄膜除去；步骤三：将该金属箔片折叠为袋状进行密封；步骤四：将该金属袋置于管式炉中，升高到一定温度并通入高浓度含碳气体，实现碳原子由外表面向内表面的扩散，并在降温过程中析出，在金属与六方氮化硼界面处生成石墨烯；步骤五：将该金属袋剪开并水平铺开，转移至目标衬底表面，即可得到六方氮化硼/石墨烯垂直异质结薄膜。本发明的制备工艺适用性高，工艺参数窗口较宽；相比传统通过外延或扩散方式来制备异质结的方法，本方法有效避免原子间的掺杂现象，同时可获得晶圆级，高质量的垂直氮化硼/石墨烯异质结薄膜。
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公开(公告)号：CN112159970B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202011087287.8
申请日：2020-10-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级、高质量的氮化硼/石墨烯异质结薄膜的制备方法；它的制备方法为：步骤一：通过表面催化生长方法，在金属表面制备出连续的六方氮化硼薄膜；步骤二：通过等离子体刻蚀技术，将金属箔片一侧表面处的六方氮化硼薄膜除去；步骤三：将该金属箔片折叠为袋状进行密封；步骤四：将该金属袋置于管式炉中，升高到一定温度并通入高浓度含碳气体，实现碳原子由外表面向内表面的扩散，并在降温过程中析出，在金属与六方氮化硼界面处生成石墨烯；步骤五：将该金属袋剪开并水平铺开，转移至目标衬底表面，即可得到六方氮化硼/石墨烯垂直异质结薄膜。本发明的制备工艺适用性高，工艺参数窗口较宽；相比传统通过外延或扩散方式来制备异质结的方法，本方法有效避免原子间的掺杂现象，同时可获得晶圆级，高质量的垂直氮化硼/石墨烯异质结薄膜。
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公开(公告)号：CN112301429A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011076718.0
申请日：2020-10-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种制备单晶金属箔片及二维材料的管式炉改装装置及方法，通过这种方法可以实现管式炉内金属箔片样件的匀速推进，获得均匀可控的温度梯度，从而将工业金属箔片快速转化单晶金属箔片，并在其表面生长二维单晶材料。本方法可在不改变炉体密闭性和其他炉体参数的前提下，精细地调节样件的位置、移动的速度、以及所处的温度梯度场条件。本改装方法操作简单，适用性广，可与多数型号的水平管式炉相兼容，降低了单晶金属箔片的转化过程和二维材料的生长过程中对于特殊设备的要求。
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