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公开(公告)号：CN112159970B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202011087287.8
申请日：2020-10-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级、高质量的氮化硼/石墨烯异质结薄膜的制备方法；它的制备方法为：步骤一：通过表面催化生长方法，在金属表面制备出连续的六方氮化硼薄膜；步骤二：通过等离子体刻蚀技术，将金属箔片一侧表面处的六方氮化硼薄膜除去；步骤三：将该金属箔片折叠为袋状进行密封；步骤四：将该金属袋置于管式炉中，升高到一定温度并通入高浓度含碳气体，实现碳原子由外表面向内表面的扩散，并在降温过程中析出，在金属与六方氮化硼界面处生成石墨烯；步骤五：将该金属袋剪开并水平铺开，转移至目标衬底表面，即可得到六方氮化硼/石墨烯垂直异质结薄膜。本发明的制备工艺适用性高，工艺参数窗口较宽；相比传统通过外延或扩散方式来制备异质结的方法，本方法有效避免原子间的掺杂现象，同时可获得晶圆级，高质量的垂直氮化硼/石墨烯异质结薄膜。
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公开(公告)号：CN112159970A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011087287.8
申请日：2020-10-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级、高质量的氮化硼/石墨烯异质结薄膜的制备方法；它的制备方法为：步骤一：通过表面催化生长方法，在金属表面制备出连续的六方氮化硼薄膜；步骤二：通过等离子体刻蚀技术，将金属箔片一侧表面处的六方氮化硼薄膜除去；步骤三：将该金属箔片折叠为袋状进行密封；步骤四：将该金属袋置于管式炉中，升高到一定温度并通入高浓度含碳气体，实现碳原子由外表面向内表面的扩散，并在降温过程中析出，在金属与六方氮化硼界面处生成石墨烯；步骤五：将该金属袋剪开并水平铺开，转移至目标衬底表面，即可得到六方氮化硼/石墨烯垂直异质结薄膜。本发明的制备工艺适用性高，工艺参数窗口较宽；相比传统通过外延或扩散方式来制备异质结的方法，本方法有效避免原子间的掺杂现象，同时可获得晶圆级，高质量的垂直氮化硼/石墨烯异质结薄膜。
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