公开(公告)号：CN113284975B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202110580050.1

申请日：2021-05-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王东博 ,  刘东昊 ,  肖淑丹 ,  王金忠 ,  胡云飞 ,  张冰珂 ,  矫淑杰 ,  李政昊 ,  张雨琦

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种异质结中长波红外探测器及其制备方法，所述探测器包括Si衬底、WS2/石墨烯量子点异质结和金电极，Si衬底上生长WS2/石墨烯量子点异质结，金电极设置在WS2/石墨烯量子点异质结上，制备步骤如下：一、在Si衬底上磁控溅射沉积WS2薄膜；二、制备WS2/石墨烯量子点异质结；三、利用磁控溅射技术在异质结表面沉积Au电极。本发明的探测器为光电导型器件，通过合成WS2/石墨烯量子点异质结使材料的带隙处于中长波红外波段，当入射光子能量大于异质结禁带宽度，材料中光生载流子可以实现跃迁，整个材料体系的电导率增大，从而实现器件在中长波红外波段的响应，材料制备工艺简单，便于工业化大规模生产。

公开(公告)号：CN113284975A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110580050.1

申请日：2021-05-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王东博 ,  刘东昊 ,  肖淑丹 ,  王金忠 ,  胡云飞 ,  张冰珂 ,  矫淑杰 ,  李政昊 ,  张雨琦

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种异质结中长波红外探测器及其制备方法，所述探测器包括Si衬底、WS2/石墨烯量子点异质结和金电极，Si衬底上生长WS2/石墨烯量子点异质结，金电极设置在WS2/石墨烯量子点异质结上，制备步骤如下：一、在Si衬底上磁控溅射沉积WS2薄膜；二、制备WS2/石墨烯量子点异质结；三、利用磁控溅射技术在异质结表面沉积Au电极。本发明的探测器为光电导型器件，通过合成WS2/石墨烯量子点异质结使材料的带隙处于中长波红外波段，当入射光子能量大于异质结禁带宽度，材料中光生载流子可以实现跃迁，整个材料体系的电导率增大，从而实现器件在中长波红外波段的响应，材料制备工艺简单，便于工业化大规模生产。

公开(公告)号：CN119269392A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411371324.6

申请日：2024-09-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李政昊 ,  孟祥达 ,  董一宁 ,  胡程鹏 ,  田浩

IPC: G01N21/01 ,  G01N21/3581 ,  G01N21/59 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明涉及一种基于镍碲化合物的太赫兹透明电极及其制备方法与应用，属于太赫兹电极技术领域。为解决现有太赫兹透明电极无法兼具在太赫兹波传播方向透过率高和导电性能好的问题，本发明提供了一种基于镍碲化合物的太赫兹透明电极，包括基底和镍碲化合物薄膜。本发明通过设置不同镍碲面积的靶材制备得到具有不同镍碲比例的镍碲化合物薄膜，实现了对太赫兹透明电极的电导率、透过率和厚度的调节，使其太赫兹波段较高的透过率和高电导率实现平衡，所得基于镍碲化合物的太赫兹透明电极在太赫兹波段透过率高于80％，电导率大于1000S/cm，满足透明导电薄膜的合格标准。本发明制备方法要求低，适用于太赫兹透明电极的实用批量化生产。