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公开(公告)号:CN118725252A
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202410707770.3
申请日:2024-06-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C08G18/76 , C08G18/48 , C08G18/32 , C08G18/66 , C08J5/22 , C08L75/08 , H01M10/0565 , H01M10/0525
Abstract: 磺酰亚胺基聚氨酯单离子聚合物电解质膜及其制备方法和应用,涉及有机高分子功能材料和电化学技术领域。本发明制备的单离子聚合物电解质由刚性的芳香族硬段和柔性的PEO软链组成,其中阴离子位于结构的硬段之中,可以微相分离成硬域均匀分散在连续软相中的微相结构,同时表现出好的离子电导率和机械性能。本发明制备得到的磺酰亚胺基聚氨酯单离子聚合物电解质膜,具有离子电导率优异、机械性能良好、锂离子迁移数接近于1以及电化学稳定窗口宽等优点。本发明可获得磺酰亚胺基聚氨酯单离子聚合物电解质膜及其制备方法和应用。
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公开(公告)号:CN118388812A
公开(公告)日:2024-07-26
申请号:CN202410099974.3
申请日:2024-01-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 高介电储能聚脲薄膜及其制备方法和应用,涉及有机高分子功能材料和储能电容器技术领域。本发明聚脲薄膜制备方法,采用二次真空干燥,第一次程序升温至120~140℃下加热24~96h,有效脱除大部分溶剂;薄膜在去离子水中浸泡24~48h,最后在真空烘箱中,程序升温至80~100℃并保温24~72h,彻底除去水和残留的溶剂。本发明的聚脲薄膜制备方法,有利于形成致密薄膜,提高击穿场强和储能密度。本发明可获得高介电储能聚脲薄膜及其制备方法和应用。
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公开(公告)号:CN114015007B
公开(公告)日:2023-06-13
申请号:CN202111395228.1
申请日:2021-11-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C08G18/66 , C08G18/50 , C08G18/38 , C08G65/334 , C08J5/22 , C08L75/04 , H01M10/0525 , H01M10/0565
Abstract: 含氟聚氨酯单离子聚合物电解质膜及其制备方法和应用,涉及有机高分子功能材料和电化学技术领域。本发明的目的是为了解决传统的单离子聚合物电解质存在不能兼具较低的玻璃化温度与较高的锂离子浓度,以及不能兼具优异的离子电导率与机械性能的问题。方法:将间羧基苯磺酸锂和聚氧化乙烯加入到溶剂中,反应12~94h,真空除水处理,得到反应物a;将反应物a、含全氟烷基二氨和二异氰酸酯加入到溶剂中,反应12~94h,然后水洗、醇洗和干燥,得到含氟聚氨酯单离子聚合物电解质;将其加入到溶剂中,成膜处理,得到含氟聚氨酯单离子聚合物电解质膜。本发明可获得含氟聚氨酯单离子聚合物电解质膜及其制备方法和应用。
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公开(公告)号:CN106086980B
公开(公告)日:2018-07-03
申请号:CN201610472777.7
申请日:2016-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/04
Abstract: 一种铝合金基体上高光洁度涂层的制备方法,本发明涉及一种铝合金基体表面改性的方法,它为了解决现有常规铝合金微弧氧化表面处理方法所得的涂层表面粗糙度高、耐腐蚀性能不佳的问题。制备方法:一、打磨铝合金和纯铜材的表面,放入丙酮中进行超声清洗;二、将主盐溶解到去离子水中,配制得到电解液;三、将清洗后的铝合金和铜材置于装有电解液的不锈钢槽体中,以铝合金和纯铜材作阳极、槽体为阴极,在脉冲电源的作用下,通过微弧氧化方法在铝合金基体上制得高光洁度涂层。本发明制得的涂层的粗糙度Ra仅为0.400μm~0.600μm,摩擦系数为0.1~0.4。涂层盐雾电化学测试,其腐蚀电流可达到10‑8A/cm2。
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公开(公告)号:CN105949226B
公开(公告)日:2017-09-29
申请号:CN201610464692.4
申请日:2016-06-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 铕铈共掺杂配合物荧光传感材料的制备方法及应用其检测有机小分子化合物,本发明属于材料学科领域,它为了解决现有检测有机小分子化合物的准确性不高的问题。荧光传感材料的制备:一、将铕盐、铈盐和芳香羧酸配体加入到溶剂中,得到混合液;二、混合液进行水热反应,干燥得到铕铈共掺杂配合物。检测方法:一、将铕铈共掺杂配合物加入到有机小分子的水溶液中,配制多个具有浓度梯度的悬浊液样品;二、以悬浊液样品的最大荧光强度为纵坐标,以相应的体积浓度为横坐标,得到标准线性方程;三、将铕铈共掺杂配合物加入到待测的水溶液中,测试相应荧光强度,推算有机小分子的浓度。本发明能够实现对有机小分子化合物的高效识别和快速检测,准确性高。
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公开(公告)号:CN106086980A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201610472777.7
申请日:2016-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/04
CPC classification number: C25D11/04 , C25D11/024 , C25D11/026
Abstract: 一种铝合金基体上高光洁度涂层的制备方法,本发明涉及一种铝合金基体表面改性的方法,它为了解决现有常规铝合金微弧氧化表面处理方法所得的涂层表面粗糙度高、耐腐蚀性能不佳的问题。制备方法:一、打磨铝合金和纯铜材的表面,放入丙酮中进行超声清洗;二、将主盐溶解到去离子水中,配制得到电解液;三、将清洗后的铝合金和铜材置于装有电解液的不锈钢槽体中,以铝合金和纯铜材作阳极、槽体为阴极,在脉冲电源的作用下,通过微弧氧化方法在铝合金基体上制得高光洁度涂层。本发明制得的涂层的粗糙度Ra仅为0.400μm~0.600μm,摩擦系数为0.1~0.4。涂层盐雾电化学测试,其腐蚀电流可达到10‑8A/cm2。
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公开(公告)号:CN103981531B
公开(公告)日:2016-04-27
申请号:CN201410241942.9
申请日:2014-06-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种荧光碳点的制备方法,本发明涉及荧光碳点的制备方法。本发明要解决现有碳点制备方法产率低、操作复杂、碳点粒径分布不均及碳点荧光稳定性差的问题。方法:一、预处理;二、液相等离子放电,即得到荧光碳点粉体。本发明制备的碳点荧光稳定,碳点粒径分布均匀,放电时间增加会导致碳点产率增加,适合碳点的工业化生产,设备简单、操作方便。本发明用于一种荧光碳点的制备。
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公开(公告)号:CN102796333A
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN201210327337.4
申请日:2012-09-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 具有负温度系数效应的聚偏氟乙烯基温敏电阻材料的制备方法,本发明涉及聚偏氟乙烯基温敏电阻材料的制备方法。本发明是为了解决现有聚合物基温敏材料存在的导电相填充量高、室温电阻率偏大、灵敏度偏低的问题。制备方法:(一)以石墨粉为原料,采用改进的Hummers法制备氧化石墨;(二)制备氧化石墨烯N,N-二甲基甲酰胺分散液Ⅰ;(三)制备改性石墨烯(聚对苯乙烯磺酸钠接枝的石墨烯或负载纳米银的石墨烯);(四)制备以改性石墨烯为导电填料的聚偏氟乙烯基复合材料。本发明应用于聚偏氟乙烯基温敏电阻材料的制备领域。
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公开(公告)号:CN101050119A
公开(公告)日:2007-10-10
申请号:CN200710072252.5
申请日:2007-05-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/624 , C04B35/472 , C04B35/48 , H01B3/12
Abstract: 一种高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法,是为了解决采用溶胶-凝胶法制备锆钛酸铅薄膜过程中存在制备方法复杂,可重复操作性差的问题。本发明中的一种高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法主要由PZT溶胶的制备、PZT薄膜的沉积、PZT薄膜的预晶化和PZT薄膜的晶化这四个步骤完成。本发明制备工艺简单,制备出的锆钛酸铅薄膜(PZT)为高度(111)取向,薄膜表面平整致密、厚度均匀、晶粒大小均匀,本发明制备出的高度(111)取向的锆钛酸铅铁电薄膜具有高的剩余极化值,剩余极化值为43~60μC/cm2,薄膜具有较小的矫顽场,矫顽场仅为60~75kV/cm;采用本发明制备出的锆钛酸铅反铁电薄膜的饱和极化值高。
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公开(公告)号:CN101016381A
公开(公告)日:2007-08-15
申请号:CN200710071751.2
申请日:2007-02-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 聚苯并噁唑-酰亚胺及其纤维的制备方法,它涉及聚合物及其纤维的制备方法。它解决两步法合成的聚苯并噁唑-酰亚胺分子量低,难以制成纤维及聚苯并噁唑-酰亚胺纤维在脱水环化阶段在纤维中产生孔隙,纤维材料的力学性能差的缺陷。本发明在多聚磷酸中制备苯并噁唑二胺,不用分离,直接作为反应单体与芳香类二元酸酐聚合成聚苯并噁唑-酰亚胺。将聚合溶液作为纺丝原液,采用干喷湿法纺制力学性能优异的聚苯并噁唑-酰亚胺纤维。本发明制备出的聚苯并噁唑-酰亚胺分子量高,纤维孔隙率低,聚苯并噁唑-酰亚胺拉伸强度达到2.2~2.7GPa。
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