-
公开(公告)号：CN118388812A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410099974.3
申请日：2024-01-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 高介电储能聚脲薄膜及其制备方法和应用，涉及有机高分子功能材料和储能电容器技术领域。本发明聚脲薄膜制备方法，采用二次真空干燥，第一次程序升温至120～140℃下加热24～96h，有效脱除大部分溶剂；薄膜在去离子水中浸泡24～48h，最后在真空烘箱中，程序升温至80～100℃并保温24～72h，彻底除去水和残留的溶剂。本发明的聚脲薄膜制备方法，有利于形成致密薄膜，提高击穿场强和储能密度。本发明可获得高介电储能聚脲薄膜及其制备方法和应用。
Search Results
1
records
(took 0.016 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
