公开(公告)号：CN102796333A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210327337.4

申请日：2012-09-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 宋英 ,  孙秋 ,  刘福 ,  李存梅 ,  王福平

IPC: C08L27/16 ,  C08K9/04 ,  C08K3/04 ,  C08K9/12 ,  C08K3/08 ,  C08F292/00 ,  C08F8/30 ,  H01C7/04

Abstract: 具有负温度系数效应的聚偏氟乙烯基温敏电阻材料的制备方法，本发明涉及聚偏氟乙烯基温敏电阻材料的制备方法。本发明是为了解决现有聚合物基温敏材料存在的导电相填充量高、室温电阻率偏大、灵敏度偏低的问题。制备方法：（一）以石墨粉为原料，采用改进的Hummers法制备氧化石墨；（二）制备氧化石墨烯N，N-二甲基甲酰胺分散液Ⅰ；（三）制备改性石墨烯（聚对苯乙烯磺酸钠接枝的石墨烯或负载纳米银的石墨烯）；（四）制备以改性石墨烯为导电填料的聚偏氟乙烯基复合材料。本发明应用于聚偏氟乙烯基温敏电阻材料的制备领域。

公开(公告)号：CN102796333B

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201210327337.4

申请日：2012-09-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 宋英 ,  孙秋 ,  刘福 ,  李存梅 ,  王福平

IPC: C08L27/16 ,  C08K9/04 ,  C08K3/04 ,  C08K9/12 ,  C08K3/08 ,  C08F292/00 ,  C08F8/30 ,  H01C7/04

Abstract: 具有负温度系数效应的聚偏氟乙烯基温敏电阻材料的制备方法，本发明涉及聚偏氟乙烯基温敏电阻材料的制备方法。本发明是为了解决现有聚合物基温敏材料存在的导电相填充量高、室温电阻率偏大、灵敏度偏低的问题。制备方法：（一）以石墨粉为原料，采用改进的Hummers法制备氧化石墨；（二）制备氧化石墨烯N，N-二甲基甲酰胺分散液Ⅰ；（三）制备改性石墨烯（聚对苯乙烯磺酸钠接枝的石墨烯或负载纳米银的石墨烯）；（四）制备以改性石墨烯为导电填料的聚偏氟乙烯基复合材料。本发明应用于聚偏氟乙烯基温敏电阻材料的制备领域。