公开(公告)号：CN101673705A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910073011.1

申请日：2009-09-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李宜彬 ,  赫晓东 ,  吕宏振 ,  孙玉芳

IPC: H01L21/768 ,  C23C14/35

Abstract: 一种扩散阻挡层薄膜的制备方法，它涉及集成电路中铜与硅之间一种新的扩散阻挡层的制备方法。本发明解决了现有铜与硅之间扩散阻挡层Ru-N在高温下N元素容易溢出，从而使得Ru-N扩散阻挡层失效的问题。本发明方法如下：1.清洗硅基片；2.利用磁控溅射法沉积薄膜；3.退火后得到Ru-TiN扩散阻挡层薄膜。本发明的工艺简单；得到Ru-TiN扩散阻挡层薄膜能有效地抑制铜原子和硅原子之间的扩散。

公开(公告)号：CN101673705B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200910073011.1

申请日：2009-09-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李宜彬 ,  赫晓东 ,  吕宏振 ,  孙玉芳

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种Ru-TiN扩散阻挡层薄膜的制备方法，它涉及集成电路中铜与硅之间一种新的扩散阻挡层的制备方法。本发明解决了现有铜与硅之间扩散阻挡层Ru-N在高温下N元素容易溢出，从而使得Ru-N扩散阻挡层失效的问题。本发明方法如下：一、清洗硅基片；二、利用磁控溅射法沉积薄膜；三、退火后得到Ru-TiN扩散阻挡层薄膜。本发明的工艺简单，得到Ru-TiN扩散阻挡层薄膜能有效地抑制铜原子和硅原子之间的扩散。

公开(公告)号：CN101671173A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910072979.2

申请日：2009-09-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李宜彬 ,  赫晓东 ,  孙跃 ,  孙玉芳

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/453

Abstract: 一种提高BiFeO 3 陶瓷块体材料多铁性能的方法，它涉及一种提高陶瓷块体材料多铁性能的制备方法。本发明解决了现有BiFeO 3 陶瓷块体材料漏电流大、铁电性能差的问题。方法：一、将原料按照一定的化学计量比混合得到配料粉；二、将配料粉放入球磨罐中进行球磨；三、将球磨后的粉末压成圆片；四、将圆片放入陶瓷坩埚中进行烧结，然后随炉冷却至室温即提高了BiFeO 3 陶瓷块体材料的多铁性能。本发明方法在制作过程中无杂相产生，所制作得到的BiFeO 3 陶瓷块体材料为单相块体，本发明的方法制作得到BiFeO 3 陶瓷块体材料铁电性能好，无漏电现象。