公开(公告)号：CN101691655A

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200910072848.4

申请日：2009-09-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李宜彬 ,  赫晓东 ,  吕宏振

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 一种制备BiFeO3薄膜的方法，它涉及一种制备BiFeO3薄膜的方法。本发明解决了现有的磁控溅射技术制备得到的BiFeO3薄膜中Fe含量不足的问题。方法：一、Bi1.1FeO3靶材和Fe靶材同时将Bi1.1FeO3和Fe溅射到Pt/Ti/SiO2/Si基体上；二、将步骤一溅射结束后的基体置于氧气气氛下保温5min，然后冷却至室温，即得到BiFeO3薄膜。本发明方法可以准确地控制BiFeO3薄膜的成分，制备得到的BiFeO3薄膜具有优良的铁电性能和铁磁性能。

公开(公告)号：CN101673705A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910073011.1

申请日：2009-09-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李宜彬 ,  赫晓东 ,  吕宏振 ,  孙玉芳

IPC: H01L21/768 ,  C23C14/35

Abstract: 一种扩散阻挡层薄膜的制备方法，它涉及集成电路中铜与硅之间一种新的扩散阻挡层的制备方法。本发明解决了现有铜与硅之间扩散阻挡层Ru-N在高温下N元素容易溢出，从而使得Ru-N扩散阻挡层失效的问题。本发明方法如下：1.清洗硅基片；2.利用磁控溅射法沉积薄膜；3.退火后得到Ru-TiN扩散阻挡层薄膜。本发明的工艺简单；得到Ru-TiN扩散阻挡层薄膜能有效地抑制铜原子和硅原子之间的扩散。

公开(公告)号：CN101673705B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200910073011.1

申请日：2009-09-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李宜彬 ,  赫晓东 ,  吕宏振 ,  孙玉芳

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种Ru-TiN扩散阻挡层薄膜的制备方法，它涉及集成电路中铜与硅之间一种新的扩散阻挡层的制备方法。本发明解决了现有铜与硅之间扩散阻挡层Ru-N在高温下N元素容易溢出，从而使得Ru-N扩散阻挡层失效的问题。本发明方法如下：一、清洗硅基片；二、利用磁控溅射法沉积薄膜；三、退火后得到Ru-TiN扩散阻挡层薄膜。本发明的工艺简单，得到Ru-TiN扩散阻挡层薄膜能有效地抑制铜原子和硅原子之间的扩散。