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公开(公告)号：CN117895782B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410099994.0
申请日：2024-01-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种考虑开关损耗和时域扩散系数的降低传导EMI的周期频率调制方法，属于电力电子技术领域。本发明针对电机驱动控制系统中传导EMI的存在影响系统运行的问题。包括：根据SVPWM策略的电压源逆变器中每个开关器件的开关损耗功率与开关频率和电流幅值的正比关系，确定开关频率和电流幅值负相关关系；由三相电流幅值之和的变化趋势得到期望开关频率函数的变化趋势；设置二分之一变化周期对应的开关频率最大值和开关频率最小值；再结合期望开关频率函数在时域的扩散系数计算得到期望开关频率函数的表达式，进行开关器件的开关频率调制。本发明用于实现传导EMI的降低。
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公开(公告)号：CN117543934A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311488554.6
申请日：2023-11-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02M1/00 , H02M1/12 , H02M7/483 , H02M7/5387
Abstract: 一种降低交流侧共模电压的三相两电平逆变器矢量调制方法，属于电力电子矢量调制技术领域。本发明针对三相两电平逆变器的传统调制策略会产生高频、高幅值的共模电压的问题。包括：在I、III、V扇区采用U1、U3和U5三个电压矢量合成参考电压矢量，在II、IV、VI扇区采用U2、U4和U6三个电压矢量合成参考电压矢量；调整一个载波周期内三个电压矢量的作用发送顺序，使逆变器三相桥臂开关管在一个载波周期内均进行两次切换动作；计算所在扇区内三个电压矢量的作用时间；预测每一个电压矢量结束或起始时刻对应的三相电流实际值，进行基于时间脉冲宽度的死区补偿。本发明用于三相两电平逆变器的矢量调制。
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公开(公告)号：CN114744861B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202210542544.5
申请日：2022-05-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路，涉及电力电子技术领域。本发明是为了解决SiCMOSFET对线路的寄生参数敏感，器件高速动作会引发串扰，进而不适用于传统的SiMOSFET驱动电路的问题。本发明所述的一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路，在每个桥臂SiC MOSFET的栅源极之间均设有一组并联分压结构，所述并联分压结构包括电容C1、电阻R1和电阻R4，电容C1的一端、电阻R1的一端和电阻R4的一端均与SiC MOSFET的栅极相连，电容C1的另一端、电阻R1的另一端和电阻R4的另一端均与SiC MOSFET的源极相连。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117543934B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202311488554.6
申请日：2023-11-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02M1/00 , H02M1/12 , H02M7/483 , H02M7/5387
Abstract: 一种降低交流侧共模电压的三相两电平逆变器矢量调制方法，属于电力电子矢量调制技术领域。本发明针对三相两电平逆变器的传统调制策略会产生高频、高幅值的共模电压的问题。包括：在I、III、V扇区采用U1、U3和U5三个电压矢量合成参考电压矢量，在II、IV、VI扇区采用U2、U4和U6三个电压矢量合成参考电压矢量；调整一个载波周期内三个电压矢量的作用发送顺序，使逆变器三相桥臂开关管在一个载波周期内均进行两次切换动作；计算所在扇区内三个电压矢量的作用时间；预测每一个电压矢量结束或起始时刻对应的三相电流实际值，进行基于时间脉冲宽度的死区补偿。本发明用于三相两电平逆变器的矢量调制。
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公开(公告)号：CN119093731A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411191151.X
申请日：2024-08-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于谐振辅助换流技术的高精度功率放大器及参数设计方法，属于功率放大器技术领域。本发明针对现有PWM调制的开关功放，存在电流过零畸变和死区效应的问题而提出。功率放大器包括电容C1、电容C2、四个MOSFET开关管S1、S2、S3、S4、辅助电感Ld1、辅助电感Ld2、滤波电感Lo和滤波电容Co，开关管S1、S2、S3、S4形成两个桥臂与电容C1和电容C2形成的支路并联；在两个桥臂之间串联辅助电感Ld1和辅助电感Ld2；将辅助电感Ld1和辅助电感Ld2之间的连接点作为C点，在C点与电容C1和电容C2的连接点之间依次串联滤波电感Lo和滤波电容Co；负载R与滤波电容Co并联。本发明可实现功率放大器全负载范围软开关。
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公开(公告)号：CN117895847A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410087562.8
申请日：2024-01-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种结合电流纹波预估和驱动脉冲宽度校正的电压源逆变器死区补偿方法，属于电力电子技术领域。本发明针对现有对逆变器的死区效应补偿中电流极性检测不准确，补偿效果差的问题。对于三相两电平逆变器的驱动信号，根据三相调制波比较值与三角载波的比较结果确定驱动信号的上升沿时刻和下降沿时刻；计算驱动信号在上升沿时刻和下降沿时刻的电流纹波估计值，再结合采样基波电流值，确定死区效应作用时刻的实际相电流极性；再对三相调制波比较值进行校正，得到校正后的三相调制波比较值，并在下一个中断控制周期内赋值给电机驱动控制系统，从而改变驱动信号的脉冲宽度，实现电压源逆变器死区补偿。本发明用于逆变器死区补偿。
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公开(公告)号：CN117895782A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410099994.0
申请日：2024-01-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种考虑开关损耗和时域扩散系数的降低传导EMI的周期频率调制方法，属于电力电子技术领域。本发明针对电机驱动控制系统中传导EMI的存在影响系统运行的问题。包括：根据SVPWM策略的电压源逆变器中每个开关器件的开关损耗功率与开关频率和电流幅值的正比关系，确定开关频率和电流幅值负相关关系；由三相电流幅值之和的变化趋势得到期望开关频率函数的变化趋势；设置二分之一变化周期对应的开关频率最大值和开关频率最小值；再结合期望开关频率函数在时域的扩散系数计算得到期望开关频率函数的表达式，进行开关器件的开关频率调制。本发明用于实现传导EMI的降低。
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公开(公告)号：CN114744861A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210542544.5
申请日：2022-05-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路，涉及电力电子技术领域。本发明是为了解决SiCMOSFET对线路的寄生参数敏感，器件高速动作会引发串扰，进而不适用于传统的SiMOSFET驱动电路的问题。本发明所述的一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路，在每个桥臂SiC MOSFET的栅源极之间均设有一组并联分压结构，所述并联分压结构包括电容C1、电阻R1和电阻R4，电容C1的一端、电阻R1的一端和电阻R4的一端均与SiC MOSFET的栅极相连，电容C1的另一端、电阻R1的另一端和电阻R4的另一端均与SiC MOSFET的源极相连。
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