公开(公告)号：CN114966964B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202210476460.6

申请日：2022-04-29

Applicant: 同济大学

Inventor： 程鑫彬 ,  董思禹 ,  周健宇 ,  王占山

IPC: G02B6/12 ,  G02B5/20

Abstract: 本发明涉及一种高制备容差导模共振带通滤波器及制备方法，所述高制备容差导模共振带通滤波器包括衬底、氢化硅Si:H波导层、氧化硅SiO2间隔层和顶部光栅层；所述衬底为熔融石英，所述顶部光栅层为周期性的Si:H网格微结构；所述制备方法包括：首先通过粒子群优化算法优化获得高制备容差导模共振带通滤波器的结构设计，再利用磁控溅射镀膜、电子束曝光、反应离子刻蚀技术进行实际制作。与现有技术相比，本发明有效减弱了光栅层与波导层中模式的耦合，增加了滤波器对于光栅线宽的制备容差。

公开(公告)号：CN114966964A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210476460.6

申请日：2022-04-29

Applicant: 同济大学

Inventor： 程鑫彬 ,  董思禹 ,  周健宇 ,  王占山

IPC: G02B6/12 ,  G02B5/20

Abstract: 本发明涉及一种高制备容差导模共振带通滤波器及制备方法，所述高制备容差导模共振带通滤波器包括衬底、氢化硅Si:H波导层、氧化硅SiO2间隔层和顶部光栅层；所述衬底为熔融石英，所述顶部光栅层为周期性的Si:H网格微结构；所述制备方法包括：首先通过粒子群优化算法优化获得高制备容差导模共振带通滤波器的结构设计，再利用磁控溅射镀膜、电子束曝光、反应离子刻蚀技术进行实际制作。与现有技术相比，本发明有效减弱了光栅层与波导层中模式的耦合，增加了滤波器对于光栅线宽的制备容差。

公开(公告)号：CN115343792A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202211014190.3

申请日：2022-08-23

Applicant: 同济大学

Inventor： 程鑫彬 ,  朱静远 ,  董思禹 ,  周健宇 ,  王占山

IPC: G02B5/20 ,  G02B5/28 ,  G02B5/08 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/16 ,  G03F7/38 ,  G03F7/32 ,  G03F7/30

Abstract: 本发明涉及一种金属‑介质混合材料FP腔滤波阵列结构及制备方法，所述阵列结构自下而上包括SiO2衬底、底部高反膜、间隔层和顶部高反膜；其中，高反膜为Ag/SiO2/TiO2膜系的金属‑介质混合材料多层膜；所述间隔层为采用电子束直写灰度光刻技术制备的不同高度的光刻胶间隔层，用以对应不同波长的光谱。与现有技术相比，本发明采用电子束直写灰度光刻技术制备不同高度的光刻胶间隔层，直写效率高，且采用金属‑介质混合材料多层膜替代传统金属反射层，极大提升FP腔滤波阵列光谱性能。