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公开(公告)号：CN114051371B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202111283007.5
申请日：2021-11-01
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于光电薄膜材料技术领域，具体涉及一种远红外透明电磁屏蔽涂层及其制备方法，该远红外透明电磁屏蔽涂层是由菱方相Bi‑Se晶体材料组成的远红外透明导电连续膜，膜厚为40nm；菱方相Bi‑Se晶体材料的化学式为Bi2Sex，其中1.5
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公开(公告)号：CN116855907A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310831274.4
申请日：2023-07-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于光电薄膜材料技术领域，具体涉及一种红外透明导电薄膜材料及其制备方法，不同于传统的引入润湿层来提高表面能以便提供更多成核位点来提高薄膜粘附性的方法。该方法以材料本身作为晶种层，对其进行原位退火来促进晶种层结晶性以及晶粒尺寸的提升，同时把这层晶种层当作优良模板，以实现后续生长出来的薄膜具有更好的薄膜质量，提高其电学与光学性能。与传统方法相比较，该方法更注重于晶种层对于薄膜的生长起到一个指导的作用，同时也因未引入金属层等润湿层，对于薄膜本身的光学透射性能也不会产生负面影响。运用该方法生长出的薄膜相对于传统的透明材料拥有更高的电导率同时兼备一定的中远红外透射能力。
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公开(公告)号：CN114032501A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111284055.6
申请日：2021-11-01
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于功能材料技术领域，具体涉及一种在薄膜材料中兼容远红外透明与导电性能的方法，通过设计光频介电常数大于15的介质薄膜，并引入浓度为25‑35％的阴离子空位以实现远红外透明与导电性能的兼容；具体通过制备菱方相的Bi2Tex材料来获得光频介电常数大于15的介质薄膜，Bi2Tex材料的制备工艺包括如下步骤：将纯Bi2Te3靶安装在磁控射频溅射靶中，采用硅片或硫化锌片作为衬底；抽真空度，通入高纯Ar气；控制纯Bi2Te3靶的溅射功率，在基底上沉积；沉积得到薄膜材料后，采用管式炉退火。本发明方法设计科学合理，相比较于传统通过调控载流子浓度或有效质量方法，其能够在薄膜材料中很好地实现兼容远红外透明与导电性能。
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公开(公告)号：CN118280637A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410386573.6
申请日：2024-04-01
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于光电薄膜材料技术领域，具体涉及一种P型红外透明导电薄膜及其制备方法。本发明利用碲化锑材料作为P型导电材料，在远红外波段具有良好的透射率，且非晶态具有高导电性的特性；通过对碲化锑靶材和金属碲、锑靶材分别进行磁控溅射，以及热退火等后处理方法，形成了内生双相纳米层增强非晶复合的结构，使得薄膜在远红外波段具有良好的P型透明导电性能；本发明制备的碲化锑薄膜材料不仅在远红外波段具有高透射率，还实现了P型材料透明导电性能的集成。
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公开(公告)号：CN114023398A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111284066.4
申请日：2021-11-01
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于晶体材料技术领域，具体涉及一种少电子多中心键晶体的设计方法及其获得的晶体，该设计方法包括如下步骤：1)计算候选晶体中阳离子和阴离子的离化度；2)计算候选晶体中阳离子和阴离子的杂化度；3)计算候选晶体中键的饱和度；4)以离化度、杂化度、饱和度为坐标轴建立三维坐标系，标记出离化度、杂化度、饱和度满足筛选条件的区域，区域内的材料即为少电子多中心键晶体。本发明通过将离化度、杂化度和饱和度的概念引入到少电子多中心键合晶体的设计中，提供了设计多中心键晶体的有效方法，为今后的科学技术工作者研究少电子多中心晶体中更加深刻的成键原因、键合机理、键合性质提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN114032501B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202111284055.6
申请日：2021-11-01
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于功能材料技术领域，具体涉及一种在薄膜材料中兼容远红外透明与导电性能的方法，通过设计光频介电常数大于15的介质薄膜，并引入浓度为25‑35％的阴离子空位以实现远红外透明与导电性能的兼容；具体通过制备菱方相的Bi2Tex材料来获得光频介电常数大于15的介质薄膜，Bi2Tex材料的制备工艺包括如下步骤：将纯Bi2Te3靶安装在磁控射频溅射靶中，采用硅片或硫化锌片作为衬底；抽真空度，通入高纯Ar气；控制纯Bi2Te3靶的溅射功率，在基底上沉积；沉积得到薄膜材料后，采用管式炉退火。本发明方法设计科学合理，相比较于传统通过调控载流子浓度或有效质量方法，其能够在薄膜材料中很好地实现兼容远红外透明与导电性能。
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公开(公告)号：CN114051371A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111283007.5
申请日：2021-11-01
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于光电薄膜材料技术领域，具体涉及一种远红外透明电磁屏蔽涂层及其制备方法，该远红外透明电磁屏蔽涂层是由菱方相Bi‑Se晶体材料组成的远红外透明导电连续膜，膜厚为40nm；菱方相Bi‑Se晶体材料的化学式为Bi2Sex，其中1.5
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