公开(公告)号：CN114038611A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202111282766.X

申请日：2021-11-01

Applicant: 吉林大学

Inventor： 胡超权 ,  周子剑 ,  潘佩琨 ,  朱嘉琦 ,  郑伟涛

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明属于光电薄膜材料技术领域，具体涉及一种远红外透明导电薄膜材料及其制备方法，该薄膜材料是含有阴离子空位的、具有Te置换Se固溶体的菱方相Bi‑Se‑Te薄膜材料，所述薄膜材料的化学结构式为Bi2SexTey，其中x＞y，且x+y

公开(公告)号：CN114038611B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202111282766.X

申请日：2021-11-01

Applicant: 吉林大学

Inventor： 胡超权 ,  周子剑 ,  潘佩琨 ,  朱嘉琦 ,  郑伟涛

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明属于光电薄膜材料技术领域，具体涉及一种远红外透明导电薄膜材料及其制备方法，该薄膜材料是含有阴离子空位的、具有Te置换Se固溶体的菱方相Bi‑Se‑Te薄膜材料，所述薄膜材料的化学结构式为Bi2SexTey，其中x＞y，且x+y

公开(公告)号：CN114023398A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202111284066.4

申请日：2021-11-01

Applicant: 吉林大学

Inventor： 胡超权 ,  周子剑 ,  李晓春 ,  朱嘉琦 ,  郑伟涛

IPC: G16C20/70 ,  G16C60/00 ,  C30B29/46 ,  C30B28/12 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明属于晶体材料技术领域，具体涉及一种少电子多中心键晶体的设计方法及其获得的晶体，该设计方法包括如下步骤：1)计算候选晶体中阳离子和阴离子的离化度；2)计算候选晶体中阳离子和阴离子的杂化度；3)计算候选晶体中键的饱和度；4)以离化度、杂化度、饱和度为坐标轴建立三维坐标系，标记出离化度、杂化度、饱和度满足筛选条件的区域，区域内的材料即为少电子多中心键晶体。本发明通过将离化度、杂化度和饱和度的概念引入到少电子多中心键合晶体的设计中，提供了设计多中心键晶体的有效方法，为今后的科学技术工作者研究少电子多中心晶体中更加深刻的成键原因、键合机理、键合性质提供了新的思路。